GD150PFX170C6SG, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IC

Corrente del collettore @ T C=25o C@ T C=95o C

232

150

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

300

A

PD

Dissipation di potenza massima @ T j =175o C

828

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valori

UNITÀ

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1700

V

IF

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

150

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

300

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1800

V

IO

Corrente di uscita media 5 0Hz/60Hz, onda sinusoidale

150

A

IFSM

Corrente di Surge in Avanti t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

1600

1400

A

I2t

I2valore t, t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

13000

9800

A2s

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T jmax

Temperatura massima della giunzione (inverter) Temperatura massima della giunzione (rettificatore)

175

150

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IC=150A,V GE = 15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=150A,V GE = 15V, T j =125o C

2.25

IC=150A,V GE = 15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=6.00mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

4.3

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

18.1

nF

Cres

Trasferimento inverso Capacità

0.44

nF

QG

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

1.41

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C=150A, Barra G=4.7Ω,V GE =± 15V, LS =46nH ,T j =25o C

292

nS

t barra

Tempo di risalita

55

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

458

nS

t f

Tempo di caduta

392

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

33.6

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

26.3

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C=150A, Barra G=4.7Ω,V GE =± 15V, LS =46nH ,T j =125o C

342

nS

t barra

Tempo di risalita

67

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

520

nS

t f

Tempo di caduta

568

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

50.5

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

35.7

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C=150A, Barra G=4.7Ω,V GE =± 15V, LS =46nH ,T j =150o C

352

nS

t barra

Tempo di risalita

68

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

535

nS

t f

Tempo di caduta

589

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

53.3

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

36.3

mJ

ISC

Dati SC

t P≤10μs, V GE = 15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

600

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IF =150A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =150A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =150A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F =150A,

-di/dt=2340A/μs,V GE = 15V LS =46nH ,T j =25o C

21.3

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

183

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

20.4

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F =150A,

-di/dt=2000A/μs,V GE = 15V LS =46nH ,T j =125o C

36.2

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

196

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

33.9

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F =150A,

-di/dt=1830A/μs,V GE = 15V LS =46nH ,T j =150o C

41.2

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

199

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

36.3

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IC=150A, T j =150o C

0.90

V

IBarra

Corrente inversa

T j =150o C,V Barra =1800V

3.0

mA

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

Barra 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di Barra 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

Barra ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT -inverter ) Giunzione-a-Caratteristica (per invertitore DIODE er) Giunzione-Caso (per Diode-rettificatore )

0.181 0.300 0.289

C/W

Barra thCH

Caso -a -Dissipatore di Calore (perIGBT -inverter )Caso-Dissipatore di calore (per Diode-inverter) )Caso-Dissipatore di calore (per Diode-rettificatore) )Cassa-sink (per Modulo)

0.092 0.152 0.146 0.009

C/W

M

Torsione di montaggio Fabbricazione di prodotti di cui al punto 3.4.

3.0

6.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g