GD2400SGX170C4S,Modulo IGBT,Modulo IGBT ad alta corrente,STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da STARPOWER. 1 700V 1200A ,A3 .

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175oC
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra base in AlSiC per capacità di ciclo ad alta potenza
Substrato AlN per bassa resistenza termica cE

Applicazioni tipiche

Motori a inverter alternativi
Forniture di alimentazione in modalità di commutazione
Saldatrici elettroniche

Assoluto Massimo Classificazioni T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1700	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C	2206 1200	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	2400	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C	8.77	Kw

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo età	1700	V
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu renta	1200	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	2400	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T jmax	Temperatura massima di giunzione	175	o C
T - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	o C
T STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min	4000	V

IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =1200A,V GE = 15V, T j = 25 o C		1.85	2.20	V
		Io C =1200A,V GE = 15V, T j = 125 o C		2.25
		Io C =1200A,V GE = 15V, T j = 150 o C		2.35
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =48,0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza interna della porta			1.0		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		145		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		3.51		nF
Q G	Importo della porta	V GE =-15 ...+15V		11.3		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C = 1200A, R G =1,0Ω, V GE =-9/+15V, L S =65 nH ,T j = 25 o C		440		nS
t r	Tempo di risalita			112		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			1200		nS
t f	Tempo di caduta			317		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			271		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			295		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C = 1200A, R G =1,0Ω, V GE =-9/+15V, L S =65 nH ,T j = 125 o C		542		nS
t r	Tempo di risalita			153		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			1657		nS
t f	Tempo di caduta			385		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			513		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			347		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C = 1200A, R G =1,0Ω, V GE =-9/+15V, L S =65 nH ,T j = 150 o C		547		nS
t r	Tempo di risalita			165		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			1695		nS
t f	Tempo di caduta			407		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			573		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			389		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, T j = 150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V		4800		A

Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =1200A,V GE =0V, t j =25℃		1.80	2.25	V
		Io F =1200A,V GE =0V, t j =125℃		1.90
		Io F =1200A,V GE =0V, t j =150℃		1.95
Q r	Importo recuperato	V CC =900V,I F = 1200A, -di/dt=10500A/μs,V GE =-9V, L S =65nH,T j =25℃		190		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			844		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			192		mJ
Q r	Importo recuperato	V CC =900V,I F = 1200A, -di/dt=7050A/μs,V GE =-9V, L S =65nH,T j =125℃		327		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			1094		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			263		mJ
Q r	Importo recuperato	V CC =900V,I F = 1200A, -di/dt=6330A/μs,V GE =-9V, L S =65nH,T j =150℃		368		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			1111		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			275		mJ

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
L CE	Induttanza di deflusso		12		nH
R CC+EE	Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip		0.19		mΩ
R ilJC	Giunti -to -Caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio)			17.1 26.2	K/kW
R thCH	Caso -to -Dissipatore di Calore (perIGBT )Cassa-sink (p) diodo) Cassa-sink (per Modulo)		9.9 15.2 6.0		K/kW
M	Terminale di alimentazione Vite:M4 Terminale di alimentazione Vite:M8 Fabbricazione di dispositivi di controllo:	1.8 8.0 4.25		2.1 10.0 5.75	N.M
G	Peso di Modulo		1050		g