GD1200SGX170A3S,Modulo IGBT,Modulo IGBT ad alta corrente,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C

2206

1200

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

2400

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C

8.77

Kw

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1700

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

1200

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

2400

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min

4000

V

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =1200A,V GE = 15V, T j = 25 o C

1.85

2.20

V

Io C =1200A,V GE = 15V, T j = 125 o C

2.25

Io C =1200A,V GE = 15V, T j = 150 o C

2.35

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =48,0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza interna della porta

1.0

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

145

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

3.51

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

11.3

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C = 1200A, R G =1,0Ω,

V GE =-9/+15V,

L S =65 nH ,T j = 25 o C

440

nS

t r

Tempo di risalita

112

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

1200

nS

t f

Tempo di caduta

317

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

271

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

295

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C = 1200A, R G =1,0Ω,

V GE =-9/+15V,

L S =65 nH ,T j = 125 o C

542

nS

t r

Tempo di risalita

153

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

1657

nS

t f

Tempo di caduta

385

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

513

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

347

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C = 1200A, R G =1,0Ω,

V GE =-9/+15V,

L S =65 nH ,T j = 150 o C

547

nS

t r

Tempo di risalita

165

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

1695

nS

t f

Tempo di caduta

407

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

573

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

389

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

4800

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =1200A,V GE =0V, t j =25℃

1.80

2.25

V

Io F =1200A,V GE =0V, t j =125℃

1.90

Io F =1200A,V GE =0V, t j =150℃

1.95

Q r

Importo recuperato

V CC =900V,I F = 1200A,

-di/dt=10500A/μs,V GE =-9V, L S =65nH,T j =25℃

190

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

844

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

192

mJ

Q r

Importo recuperato

V CC =900V,I F = 1200A,

-di/dt=7050A/μs,V GE =-9V, L S =65nH,T j =125℃

327

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

1094

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

263

mJ

Q r

Importo recuperato

V CC =900V,I F = 1200A,

-di/dt=6330A/μs,V GE =-9V, L S =65nH,T j =150℃

368

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

1111

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

275

mJ

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

12

nH

R CC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.19

mΩ

R ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio)

17.1 26.2

K/kW

R thCH

Caso -a -Dissipatore di Calore (perIGBT )Cassa-sink (p) diodo) Cassa-sink (per Modulo)

9.9 15.2 6.0

K/kW

M

Terminale di alimentazione Vite:M4 Terminale di alimentazione Vite:M8 Fabbricazione di dispositivi di controllo:

1.8 8.0 4.25

2.1 10.0 5.75

N.M

G

Peso di Modulo

1050

g