GD100HFX170C1S, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IC

Corrente del collettore @ T C=25o C @ T C=100o C

173

112

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

200

A

PD

Massimo Potenza Dissipazione @ T vj =175o C

666

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1700

V

IF

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

100

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

200

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min

4000

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IC=100A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=100A,V GE = 15V, T vj =125o C

2.25

IC=100A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=4.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza interna della porta

7.5

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

12.0

nF

Cres

Trasferimento inverso Capacità

0.29

nF

QG

Importo della porta

V GE =-15...+15V

0.94

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C=100A, Barra G=4.7Ω,V GE =± 15V, Ls=60nH,

T vj =25o C

272

nS

t barra

Tempo di risalita

55

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

369

nS

t f

Tempo di caduta

389

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

28.2

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

16.4

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C=100A, Barra G=4.7Ω,V GE =± 15V, Ls=60nH,

T vj =125o C

296

nS

t barra

Tempo di risalita

66

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

448

nS

t f

Tempo di caduta

576

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

40.1

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

24.1

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C=100A, Barra G=4.7Ω,V GE =± 15V, Ls=60nH,

T vj =150o C

302

nS

t barra

Tempo di risalita

69

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

463

nS

t f

Tempo di caduta

607

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

43.9

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

25.7

mJ

ISC

Dati SC

t P≤10μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC =1000V

V CEM ≤1700V

400

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IF =100A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =100A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =100A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F =100A,

-di/dt=1290A/μs,V GE = 15V Ls=60nH,

T vj =25o C

23.5

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

85

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

11.5

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F =100A,

-di/dt=1020A/μs,V GE = 15V Ls=60nH,

T vj =125o C

36.6

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

88

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

18.1

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F =100A,

-di/dt=960A/μs,V GE = 15V Ls=60nH,

T vj =150o C

46.2

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

91

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

24.6

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

LCE

Induttanza di deflusso

30

nH

Barra CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.65

mΩ

Barra ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio)

0.225 0.391

C/W

Barra thCH

Caso -a -Dissipatore di Calore (perIGBT )Cassa-sink (p) diodo) Cassa-sink (per Modulo)

0.158 0.274 0.050

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Peso di Modulo

150

g