GD100HFQ120C1SD, Modulo IGBT, STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 100A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175 ℃
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Fornitore di alimentazione in modalità di commutazione
Calore induttivo
Saldatrici elettroniche

Assoluto Massimo Classificazioni T F = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C	162 100	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	200	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T vj = 175 o C	595	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo età	1200	V
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu renta	100	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	200	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T vjmax	Temperatura massima di giunzione	175	o C
T vjop	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	o C
T STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =100A,V GE = 15V, T vj = 25 o C		1.85	2.30	V
		Io C =100A,V GE = 15V, T vj = 125 o C		2.25
		Io C =100A,V GE = 15V, T vj = 150 o C		2.35
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C = 4,0 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			7.5		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		10.8		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		0.30		nF
Q G	Importo della porta	V GE =-15 ...+15V		0.84		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =100A, R G =5.1Ω, V GE =± 15V, L S =45 nH ,T vj = 25 o C		59		nS
t r	Tempo di risalita			38		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			209		nS
t f	Tempo di caduta			71		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			11.2		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			3.15		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =100A, R G =5.1Ω, V GE =± 15V, L S =45 nH ,T vj = 125 o C		68		nS
t r	Tempo di risalita			44		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			243		nS
t f	Tempo di caduta			104		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			14.5		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			4.36		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =100A, R G =5.1Ω, V GE =± 15V, L S =45 nH ,T vj = 150 o C		71		nS
t r	Tempo di risalita			46		nS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			251		nS
t f	Tempo di caduta			105		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			15.9		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			4.63		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, T vj = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		400		A

Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =100A,V GE =0V,T vj =2 5o C		1.85	2.30	V
		Io F =100A,V GE =0V,T vj = 125 o C		1.90
		Io F =100A,V GE =0V,T vj = 150 o C		1.95
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =100A, -di/dt=961A/μs,V GE = 15V L S =45 nH ,T vj = 25 o C		7.92		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			46.4		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			2.25		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =100A, -di/dt=871A/μs,V GE = 15V L S =45 nH ,T vj = 125 o C		15.0		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			54.5		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			5.08		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =100A, -di/dt=853A/μs,V GE = 15V L S =45 nH ,T vj = 150 o C		18.8		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			58.9		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			6.67		mJ

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
L CE	Induttanza di deflusso			30	nH
R CC+EE	Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip		0.75		mΩ
R ilJC	Giunti -to -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)			0.252 0.446	C/W
R thCH	Caso -to -Dissipatore di Calore (perIGBT )Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Cassa-sink (per Modulo)		0.157 0.277 0.050		C/W
M	Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G	Peso di Modulo		150		g