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Modulo IGBT 1200V

Modulo IGBT 1200V

Homepage/Prodotti/Modulo IGBT/Modulo IGBT 1200V

GD100HFQ120C1SD, Modulo IGBT, STARPOWER

1200V 100A, confezione: C1

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD100HFQ120C1SD
  • Introduzione
  • Outline
  • Schema del circuito equivalente
Introduzione

Introduzione sintetica

Modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo .1200V 100A. - Sì.

Caratteristiche

  • Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
  • capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Temperatura massima di giunzione 175
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

  • Fornitore di alimentazione in modalità di commutazione
  • Calore induttivo
  • Saldatrici elettroniche

Assoluto Massimo Classificazioni T F =25o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IC

Corrente del collettore @ T C=25o C @ T C=100o C

162

100

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

200

A

PD

Dissipation di potenza massima @ T vj =175o C

595

A

Diodo

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

IF

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

100

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

200

A

Modulo

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IC=100A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=100A,V GE = 15V, T vj =125o C

2.25

IC=100A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=4.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

7.5

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

10.8

nF

Cres

Trasferimento inverso Capacità

0.30

nF

QG

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

0.84

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=100A, Barra G=5.1Ω, V GE =± 15V, LS =45nH ,T vj =25o C

59

nS

t barra

Tempo di risalita

38

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

209

nS

t f

Tempo di caduta

71

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

11.2

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

3.15

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=100A, Barra G=5.1Ω, V GE =± 15V, LS =45nH ,T vj =125o C

68

nS

t barra

Tempo di risalita

44

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

243

nS

t f

Tempo di caduta

104

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

14.5

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

4.36

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C=100A, Barra G=5.1Ω, V GE =± 15V, LS =45nH ,T vj =150o C

71

nS

t barra

Tempo di risalita

46

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

251

nS

t f

Tempo di caduta

105

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

15.9

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

4.63

mJ

ISC

Dati SC

t P≤10μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

400

A

Diodo Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento Tensione

IF =100A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =100A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =100A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =100A,

-di/dt=961A/μs,V GE = 15V LS =45nH ,T vj =25o C

7.92

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

46.4

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

2.25

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =100A,

-di/dt=871A/μs,V GE = 15V LS =45nH ,T vj =125o C

15.0

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

54.5

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

5.08

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra = 600V,I F =100A,

-di/dt=853A/μs,V GE = 15V LS =45nH ,T vj =150o C

18.8

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

58.9

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

6.67

mJ

Modulo Caratteristiche T C=25o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

LCE

Induttanza di deflusso

30

nH

Barra CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.75

Barra ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.252 0.446

C/W

Barra thCH

Caso -a -Dissipatore di Calore (perIGBT )Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Cassa-sink (per Modulo)

0.157 0.277 0.050

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Peso di Modulo

150

g

Outline

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