GD100HCX170C6SA, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IC

Corrente del collettore @ T C=25o C @ T C=100o C

196

100

A

ICm

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

200

A

PD

Dissipation di potenza massima @ T vj =175o C

815

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1700

V

IF

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

100

A

IFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

200

A

Il simbolo

DESCRIZIONE

Valore

UNITÀ

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min

4000

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IC=100A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=100A,V GE = 15V, T vj =125o C

2.25

IC=100A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=4.00mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza interna della porta

7.5

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

12.0

nF

Cres

Trasferimento inverso Capacità

0.29

nF

QG

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

0.94

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C=100A, Barra G=1.0Ω,V GE =± 15V, LS =52nH ,T vj =25o C

196

nS

t barra

Tempo di risalita

44

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

298

nS

t f

Tempo di caduta

367

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

26.4

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

14.7

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C=100A, Barra G=1.0Ω,V GE =± 15V, LS =52nH ,T vj =125o C

217

nS

t barra

Tempo di risalita

53

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

361

nS

t f

Tempo di caduta

516

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

36.0

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

21.0

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C=100A, Barra G=1.0Ω,V GE =± 15V, LS =52nH ,T vj =150o C

223

nS

t barra

Tempo di risalita

56

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

374

nS

t f

Tempo di caduta

551

nS

Eattivo

Accendere Commutazione Perdita

39.1

mJ

EoFF

Sconto di accensione Perdita

22.4

mJ

ISC

Dati SC

t P≤10μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

400

A

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

LCE

Induttanza di deflusso

20

nH

Barra CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

1.10

mΩ

Barra ilJC

Giunti -a -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.184 0.274

C/W

Barra thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.060 0.090 0.009

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Peso di Modulo

350

g