GD100HCX170C6SA, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =100 o C

196

100

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

200

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T vj = 175 o C

815

W

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1700

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu renta

100

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

200

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min

4000

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =100A,V GE = 15V, T vj = 25 o C

1.85

2.20

V

Io C =100A,V GE = 15V, T vj = 125 o C

2.25

Io C =100A,V GE = 15V, T vj = 150 o C

2.35

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =4.00 mA ,V CE = V GE , T vj = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj = 25 o C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza interna della porta

7.5

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

12.0

nF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.29

nF

Q G

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

0.94

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =100A, R G =1.0Ω,V GE =± 15V, LS =52 nH ,T vj = 25 o C

196

nS

t r

Tempo di risalita

44

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

298

nS

t f

Tempo di caduta

367

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

26.4

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

14.7

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =100A, R G =1.0Ω,V GE =± 15V, LS =52 nH ,T vj = 125 o C

217

nS

t r

Tempo di risalita

53

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

361

nS

t f

Tempo di caduta

516

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

36.0

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

21.0

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =100A, R G =1.0Ω,V GE =± 15V, LS =52 nH ,T vj = 150 o C

223

nS

t r

Tempo di risalita

56

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

374

nS

t f

Tempo di caduta

551

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

39.1

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

22.4

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T vj = 150 o C,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

400

A

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

R CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

1.10

mΩ

R ilJC

Giunti -to -Caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.184 0.274

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.060 0.090 0.009

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Peso di Modulo

350

g