MOSFET a giunzione superiore

Il MOSFET a giunzione superiore (transistor a effetto di campo a ossido metallico) introduce un controllo del campo elettrico laterale sulla base del tradizionale VDMOS, rendendo così la distribuzione del campo elettrico verticale prossima a un rettangolo ideale. Questa struttura aumenta la tensione di tenuta del dispositivo di circa il 20%, mantenendo invariata la resistenza epitassiale. prodotti con le stesse specifiche di tensione di tenuta, la resistenza in conduzione per unità di superficie della tecnologia a giunzione superiore può essere ridotta a meno di 1/8 rispetto a quella della struttura tradizionale, ottenendo così un’ottimizzazione sinergica delle caratteristiche in conduzione e in interruzione.
La nostra serie di MOSFET a giunzione superiore è realizzata mediante tecnologia a trincea profonda e processi epitassiali multipli, ed è caratterizzata da bassa resistenza in conduzione e bassa carica di gate. Riduce significativamente le perdite in conduzione e in interruzione, rendendola particolarmente adatta ai sistemi di conversione elettronica di potenza ad alta densità di potenza e ad alto rendimento.

Panoramica sull’applicazione del MOSFET a giunzione superiore nell’OBC

Panoramica sull’applicazione del MOSFET a giunzione superiore nell’OBC
I luoghi ideali per la ricarica dei veicoli elettrici e ibridi non si limitano alle colonnine di ricarica. Si prevede che qualsiasi destinazione in grado di fornire energia elettrica possa essere utilizzata. Un caricabatterie di bordo (on-board charger, OBC) è un dispositivo che converte la corrente alternata nella corrente continua richiesta per la ricarica del veicolo. Consente di ricaricare il veicolo presso casa o sul posto di lavoro. La sua capacità determina la potenza e l’efficienza di ricarica e influisce direttamente sull’esperienza dell’utente.