YT-ASC80Y6500IC#, IGCT Asimetris Plus

S sIMBOL

Kondisi

M di

Jenis

M aX

Satuan

V _DRM

T VJ = 125 ℃ , B D ≤B DRM, t p = 10 ms

-

-

6500

V

B _DRM

T VJ = 125 ℃ , V D= V DRM, t p = 10 ms

-

-

150

mA

dv/dt

T VJ = 125 ℃ , V D = 0,67 V DRM

1000

V/ μs

V _DClink

Tegangan DC antara yang diizinkan untuk laju kegagalan 100 FIT

-

-

4000

V

V _RRM

/

-

-

20

V

Simbol

Kondisi

Min

Jenis

Maks

Satuan

IT(RMS)

T C = 85℃ , sinusoidal setengah gelombang, pendinginan dua sisi

-

-

4290

A

B _TSM

B ²t

T Vj = 125℃ , sinusoidal setengah gelombang, 10 ms, V D = V Batang =0

-

-

-

-

48.2

1162

kA

10⁴A ²s

V _TM

T Vj = 125℃ , I T = 4000 A

-

2.52

-

V

V _Terhadap

batang _T

T Vj = 125℃ ,

B T = 1000…4000 A

-

-

1.24

0.22

-

-

V mΩ

S sIMBOL

Kondisi

M di

Jenis

M aX

Satuan

d b _T /dt

TVJ = 125 ℃, IT = 4000 A, VD = 4000 V, f = 0…500 Hz

-

-

1000

A/ μs

t _don

t _donSF

t _batang

E _pada

T Vj = 125℃ , B T = 4000 A, V D = 4000 V, d b /dt = V D/ L i , C CL = 20 μF,

L i = 3 μH, L CL = 0,3μH

-

-

-

-

-

-

-

-

5

8

1.5

1.5

μs

μs

μs

J

S sIMBOL

Kondisi

M di

Jenis

M aX

Satuan

B _TGQM

T VJ = 125 ℃ , V Dm ≤ V DRM, V D = 4000 V, L CL = 0,3μH, C CL = 20 μF, Batang S = 0,5 Ω

-

-

8000

A

t _doff

t _doffSF

t _f

E _mATI

T Vj = 125℃ , B TGQ = 8000 A, V D = 4000 V, V Dm ≤ V DRM, C CL = 20 μF, Batang S = 4 ω ,

L i = 2 μH, L CL = 0,3μH

-

-

-

-

-

-

-

84

10

10

1

-

μs

μs

μs

J