Brosur Produk:UNDUH
Pengenalan singkat
Produk Seri IGCT
Perusahaan kami menyediakan Integrated Gate-Commutated Thyristor (IGCT) berkinerja tinggi produk untuk aplikasi elektronika daya berdaya tinggi dan tegangan menengah. IGCT menggabungkan keunggulan teknologi thyristor dan teknologi komutasi gerbang canggih, dengan karakteristik kemampuan tegangan tinggi, kemampuan penanganan arus ultra-tinggi, rugi konduksi rendah, kinerja pensaklaran unggul, serta keandalan luar biasa.
Portofolio produk IGCT mencakup dua seri utama:
1. IGCT Konduksi Balik (RC-IGCT)
IGCT Konduksi Balik mengintegrasikan IGCT dan dioda bebas-arah ke dalam satu struktur semikonduktor, memberikan solusi ringkas dengan kinerja pensaklaran unggul serta desain sistem yang disederhanakan. Produk ini sangat cocok untuk berbagai aplikasi, seperti penggerak tegangan menengah, konverter, dan sistem inverter berdaya tinggi.
2. IGCT Asimetris (A-IGCT)
IGCT Asimetris dioptimalkan untuk aplikasi pensaklaran daya tinggi, menawarkan kemampuan pemadaman yang sangat baik, rugi konduksi rendah, dan kerapatan arus tinggi. IGCT ini dirancang untuk aplikasi yang menuntut kemampuan penanganan daya maksimum, termasuk konverter tegangan menengah, penggerak industri, dan sistem konversi energi daya tinggi.
Dengan teknologi semikonduktor mutakhir dan kemasan press-pack yang andal, produk IGCT kami memberikan solusi efisien dan andal untuk sistem HVDC, konversi energi terbarukan, penggerak motor industri, sistem traksi, dan aplikasi daya tinggi lainnya
Aplikasi
Konverter Daya Tinggi
Peralatan penggerak motor
Sistem transmisi fleksibel
Fitur
Dengan kapasitas mati sendiri
Kerugian operasi rendah
Cocok untuk penggunaan dalam seri
Kunci Parameter
V DRM |
4500 |
V |
B TGQM |
5000 |
A |
B TSM |
35 |
kA |
V Terhadap |
1.22 |
V |
batang T |
0.28 |
mΩ |
V DClink |
2800 |
V |
Pemblokiran Data
Simbol |
Kondisi |
Min |
Jenis |
Maks |
Satuan |
V DRM |
TVJ = 125℃ , I D ≤ I DRM, tp = 10 ms |
- |
- |
4500 |
V |
Aku DRM |
TVJ = 125℃ , VD = V DRM, tp = 10 ms |
- |
- |
50 |
mA |
dv/dt |
TVJ = 125℃ , VD = 0,67 V DRM |
|
|
1000 |
V/μs |
VDClink |
tegangan DC tengah maksimum yang diizinkan berdasarkan tingkat kegagalan 100 FIT |
- |
- |
2800 |
V |
VRRM |
/ |
- |
- |
17 |
V |
On-state Data
Simbol |
Kondisi |
Min |
Jenis |
Maks |
Satuan |
B T(RMS) |
TC = 85℃ , Gelombang sinus setengah, pendinginan dua sisi |
- |
- |
3000 |
A |
|
B TSM B 2t |
TVJ = 125℃ , Gelombang sinus setengah, 10 ms, VD = VR = 0 |
- - |
- - |
35 545 |
kA 104A 2s |
V TM |
TVJ = 125℃, IT = 5000 A |
- |
2.37 |
2.61 |
V |
|
V Terhadap batang T |
TVJ = 125℃, IT = 1000…5000 A |
- - |
- - |
1.22 0.28 |
V mΩ |
Nyalakan Data
Simbol |
Kondisi |
Min |
Jenis |
Maks |
Satuan |
diT/dt |
TVJ = 125℃, IT = 5000 A, VD = 2800 V, f = 0…500 Hz |
- |
- |
5000 |
A/μs |
tdon |
|
- |
- |
4 |
μs |
|
t donSF tr |
TVJ = 125℃, IT = 5000 A, VD = 2800 V, di/dt = VD/Li, CCL = 20 μF, RS = 0,4 Ω, Li = 3 μH, LCL = 0,3 μH |
- - |
- - |
8 1 |
μs μs |
E on |
|
- |
- |
1.8 |
J |
Data pemadam
Simbol |
Kondisi |
Min |
Jenis e |
Maks |
Satuan |
|
B TGQM |
TVJ = 125℃, VDM ≤ VDRM, VD = 2800 V, LCL = 0,3 μH, CCL = 20 μF, RS = 0,4 Ω, f = 0…300 Hz DFWD = DCL=SF8.FYB2000-45 |
- |
- |
5000 |
A |
|
t doff t doffSF t E OFF |
TVJ = 125℃, ITGQ = 5000 A, VD = 2800 V, VDM ≤ VDRM, CCL = 20 μF, RS = 0,4 Ω L i =4μH, L CL = 0.3μH DFWD = DCL= SF8.FYB2000-45 |
- - - - |
- - - 28 |
8 10 1 33 |
μs μs μs J |
Tim penjualan profesional kami siap menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.
EN
