CRRC, TG1800HF17H1-S500, Modul IGBT, Jembatan Setengah IGBT

符号 Simbol

参数名称 (nama) Parameter

条件 pengujian

Kondisi pengujian

nilai Nilai

单位 UNIT

V CES

集电极 -tegangan Emitor

Tegangan kolektor-emitter

V GE = 0V, T C= 25 °C

1700

V

V GES

gerbang -tegangan Emitor

Tegangan gerbang-emitter

T C= 25 °C

± 20

V

IC

集电极电流 (mengumpulkan listrik)

Arus kolektor-emitter

T C = 85 °C, T vj maks = 175°C

1800

A

IC(PK)

arus puncak kolektor

Arus puncak kolektor

t P= 1ms

3600

A

Pmaks

kerugian maksimum bagian transistor

Maks. disipasi daya transistor

T vj = 175°C, T C = 25 °C

9.38

kW

I2t

dioda I2t 值 Dioda I2t

V R =0V, t P = 10ms, T vj = 175 °C

551

kA2d

V isolasi

绝缘 listrik (模块 )

Isolasi tegangan -per modul

短接 semua ujung, ujung dan basis panel antara tekanan listrik ( Terminal terhubung s ke plat dasar ) AC RMS,1 min, 50Hz, T C= 25 °C

4000

V

参数 Simbol

keterangan

Penjelasan

值 Nilai

单位 UNIT

jarak merayap

Jarak merayap

terminal -penyebar panas

Terminal ke heat sink

36.0

mm

terminal -terminal

Terminal ke Terminal

28.0

mm

jarak isolasi Izin

terminal -penyebar panas

Terminal ke heat sink

21.0

mm

terminal -terminal

Terminal ke Terminal

19.0

mm

indeks jejak bocor relatif

CTI (Comparative Tracking Index)

400

符号 Simbol

参数名称 (nama) Parameter

条件 pengujian

Kondisi pengujian

paling kecil nilai Min.

典型值 - Tempel.

maksimal nilai Maks.

单位 UNIT

R th ((j-c) IGBT

IGBT resistansi termal junction ke casing

Termal resistance – IGBT

16

K \/ kW

R th ((j-c) Dioda

resistansi termal sambungan dioda

Termal resistance – Dioda

33

K \/ kW

R th ((c-h) IGBT

resistansi termal kontak (IGBT)

Termal resistance –

penutup ke heatsink (IGBT)

pengisian daya 5Nm, pasta termal 1W/m·K Torsi pemasangan 5Nm,

dengan pemasangan grease 1W/m·K

14

K \/ kW

R th ((c-h) Dioda

resistansi termal kontak (Dioda)

Termal resistance –

penutup ke heatsink (Dioda)

pengisian daya 5Nm, pasta termal 1W/m·K Torsi pemasangan 5Nm,

dengan pemasangan grease 1W/m·K

17

K \/ kW

T vjop

bekerja dingin

Operasi junction suhu

IGBT chip ( IGBT )

-40

150

°C

chip dioda ( Dioda )

-40

150

°C

T sTG

suhu penyimpanan

Rentang suhu penyimpanan

-40

150

°C

M

pengisian daya

Torsi sekrup

untuk pengencangan pemasangan – M5 Pemasangan – M5

3

6

Nm

untuk interkoneksi sirkuit – M4

Koneksi Listrik – M4

1.8

2.1

Nm

untuk interkoneksi sirkuit – M8

Koneksi Listrik – M8

8

10

Nm

符号 Simbol

参数名称 (nama) Parameter

条件 pengujian

Kondisi pengujian

paling kecil nilai Min.

典型值 - Tempel.

maksimal nilai Maks.

单位 UNIT

R th ((j-c) IGBT

IGBT resistansi termal junction ke casing

Termal resistance – IGBT

16

K \/ kW

R th ((j-c) Dioda

resistansi termal sambungan dioda

Termal resistance – Dioda

33

K \/ kW

R th ((c-h) IGBT

resistansi termal kontak (IGBT)

Termal resistance –

penutup ke heatsink (IGBT)

pengisian daya 5Nm, pasta termal 1W/m·K Torsi pemasangan 5Nm,

dengan pemasangan grease 1W/m·K

14

K \/ kW

R th ((c-h) Dioda

resistansi termal kontak (Dioda)

Termal resistance –

penutup ke heatsink (Dioda)

pengisian daya 5Nm, pasta termal 1W/m·K Torsi pemasangan 5Nm,

dengan pemasangan grease 1W/m·K

17

K \/ kW

T vjop

bekerja dingin

Operasi junction suhu

IGBT chip ( IGBT )

-40

150

°C

chip dioda ( Dioda )

-40

150

°C

T sTG

suhu penyimpanan

Rentang suhu penyimpanan

-40

150

°C

M

pengisian daya

Torsi sekrup

untuk pengencangan pemasangan – M5 Pemasangan – M5

3

6

Nm

untuk interkoneksi sirkuit – M4

Koneksi Listrik – M4

1.8

2.1

Nm

untuk interkoneksi sirkuit – M8

Koneksi Listrik – M8

8

10

Nm

符号 Simbol

参数名称 (nama) Parameter

条件 pengujian

Kondisi pengujian

paling kecil nilai Min.

典型值 - Tempel.

maksimal nilai Maks.

单位 UNIT

R 25

nilai tahanan nominal

Dinilai ketahanan

T C = 25 °C

5

kΩ

△R /R

R100 simpangan

Deviation of R100

T C = 100 °C, R 100=493Ω

-5

5

%

P25

daya dissipasi

Disipasi Daya

T C = 25 °C

20

mW

B 25/50

B- 值

Nilai B

R 2 = R 25eksp [B 25/501/T 2 - 1/(298.15 K))]

3375

K

B 25/80

B- 值

Nilai B

R 2 = R 25eksp [B 25/801/T 2 - 1/(298.15 K))]

3411

K

B 25/100

B- 值

Nilai B

R 2 = R 25eksp [B 25/1001/T 2 - 1/(298.15 K))]

3433

K

符号 Simbol

参数名称 (nama) Parameter

条件

Kondisi pengujian

paling kecil nilai Min.

典型值 - Tempel.

maksimal nilai Maks.

单位 UNIT

ICES

集电极截止电流 (mengakhiri arus listrik)

Arus pemotongan kolektor

V GE = 0V, V CE = V CES

1

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , T vj = 150 °C

40

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , T vj =175 °C

60

mA

IGES

极漏电流 (Listrik yang terputus)

Gerbang arus kebocoran

V GE = ±20V, V CE = 0V

0.5

μA

V GE (TH)

gerbang -tegangan ambang emitor Tegangan ambang gerbang

IC = 60mA, V GE = V CE

5.1

5.7

6.3

V

V CE (sat) (*1)

集电极 -tegangan jenuh emitor

Penumpukan kolektor-emitter

tegangan

V GE = 15V, IC = 1800A

1.70

V

V GE = 15V, IC = 1800A, T vj = 150 °C

2.10

V

V GE = 15V, IC = 1800A, T vj = 175 °C

2.15

V

IF

arus DC maju dioda Dioda arus ke depan

DC

1800

A

IFRM

arus puncak berulang maju dioda Dioda arus maju puncak nt

t P = 1ms

3600

A

V F (*1)

tegangan maju dioda

Tegangan dioda ke depan

IF = 1800A, V GE = 0

1.60

V

IF = 1800A, V GE = 0, T vj = 150 °C

1.75

V

IF = 1800A, V GE = 0, T vj = 175 °C

1.75

V

ISC

arus pendek

Hubungan pendek saat ini

T vj = 175°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, t p ≤10μs,

V CE(max) = V CES – L(*2) ×di/dt, IEC 60747-9

7400

A

Cies

input kapasitas listrik

Kapasitas input

V CE = 25V, V GE = 0V, f = 100KHZ

542

nF

T g

极电荷

Biaya gerbang

± 15V

23.6

μC

Cres

kapasitas transmisi listrik ke arah belakang

Kapasitas transfer terbalik

V CE = 25V, V GE = 0V, f = 100KHZ

0.28

nF

LsCE

modul induktansi bebas

Modul bebas inducta nce

8.4

nH

R CC ’+EE ’

hambatan kawat modul, terminal -chip Mkawat modul hambatan, terminal-chip

setiap saklar

per saklar

0.20

mΩ

R Gint

hambatan gerbang internal

Gerbang Internal resistor

1

ω

符号 Simbol

参数名称 (nama) Parameter

条件 pengujian

Kondisi pengujian

paling kecil nilai Min.

典型值 - Tempel.

maksimal nilai Maks.

单位 UNIT

t d ((off)

penundaan mati

Waktu penundaan pemutus

IC =1800A,

V CE = 900V,

V GE = ±15V, R G ((OFF) = 0.5Ω, LD = 25nH,

d v \/dt =3800V\/μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

1000

n

T vj = 150 °C

1200

T vj = 175 °C

1250

t f

waktu turun Waktu musim gugur

T vj = 25 °C

245

n

T vj = 150 °C

420

T vj = 175 °C

485

EMATI

kerugian pemutusan

Kerugian energi saat mati

T vj = 25 °C

425

mJ

T vj = 150 °C

600

T vj = 175 °C

615

t d (on)

开通延迟时间

Waktu penundaan menyala

IC =1800A,

V CE = 900V,

V GE = ±15V, R G ((ON) = 0.5Ω, LD = 25nH,

d i \/dt = 8500A\/μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

985

n

T vj = 150 °C

1065

T vj = 175 °C

1070

t r

上升时间 Waktu naik

T vj = 25 °C

135

n

T vj = 150 °C

205

T vj = 175 °C

210

EAktif

kerugian saat pengaktifan

Energi menyala kerugian

T vj = 25 °C

405

mJ

T vj = 150 °C

790

T vj = 175 °C

800

T r

muatan pemulihan balik dioda Dioda terbalik

biaya pemulihan

IF =1800A, V CE = 900V,

- D i F /dt = 8500A\/μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

420

μC

T vj = 150 °C

695

T vj = 175 °C

710

Ir

arus pemulihan balik dioda Dioda terbalik

arus pemulihan

T vj = 25 °C

1330

A

T vj = 150 °C

1120

T vj = 175 °C

1100

ErEC

kerugian pemulihan balik dioda Dioda terbalik

energi pemulihan

T vj = 25 °C

265

mJ

T vj = 150 °C

400

T vj = 175 °C

420