MZ250, Modul Dioda Pemulihan Cepat, TECHSEM

VRRM

Tipe & Garis Besar

2000V

2200V

2500V

2800V

tegangan 3000V

MZ250-20-417F2

MZ250-22-417F2

MZ250-25-417F2

MZ250-28-417F2

MZ250-30-417F2

Simbol

KARAKTER TERISTIK

Kondisi pengujian

Tj(°C)

Nilai

Unit

Min

TIPE

Max.

IF(AV)

Arus maju rata-rata

gelombang setengah sinus 180° 50Hz

Pendinginan sisi tunggal, TC=85°C

140

250

A

IF(RMS)

Arus maju RMS

392

A

IRRM

Arus puncak repetitif

pada VRRM

140

50

mA

IFSM

Arus Maju Lonjakan

10ms gelombang setengah sinus VR=0.6VRRM

140

8

kA

Saya ²t

Saya ²t untuk koordinasi peleburan

320

10³A ²s

VFO

Tegangan Ambang

140

1.85

V

rF

Resistansi kemiringan maju

0.50

mΩ

VFM

Tegangan maju puncak

IFM=750A

25

2.67

V

trr

Waktu Pemulihan Kembali

IFM = 300A, tp = 4000μs, -di/dt = 20A/μs, VR = 100V

140

4

μs

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Dingin sisi tunggal per chip

0.065

°C /W

Rth(c-h)

Resistansi termal casing ke heatsink

Dingin sisi tunggal per chip

0.030

°C /W

VISO

Tegangan isolasi

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

Fm

Torsi koneksi terminal(M10)

10

12

Jumlah

Torsi pemasangan(M6)

4.5

6.0

Jumlah

TVj

Suhu persimpangan

-40

140

°C

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

125

°C

Wt

Berat

770

g

Rangka kerja

417F2