MTx1500,MFx1500,Modul Thyristor/Diode,Pendinginan Udara

VRRM,VDRM

Jenis & Rangka kerja

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

1800V

MT3 percobaan

MTx 1500-8-436F3

MT3 percobaan

MT3 percobaan

MT3 percobaan

MTx1500-16-436F3

MT3 percobaan

MT1500-18-436F3G

MFx1500-6-436F3

MFx 1500-8-436F3

MFx1500-10-436F3

MFx1500-12-436F3

MFx1500-14-436F3

MFx1500-16-436F3

MFx1500-18-436F3

MTx adalah singkatan dari jenis MTC, MTA, MTK

MFx adalah singkatan dari setiap tipe e dari MFC, MFA, MFK

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj( ℃)

Nilai

Unit

Min

TIPE

Max.

IT(AV)

Arus rata-rata dalam keadaan hidup

180°gelombang setengah sinus 50Hz

Satu sisi didinginkan, TC=70 ℃

125

1500

A

Idrm Irrm

Arus puncak repetitif

pada VDRM pada VRRM

125

130

mA

ITSM

Arus dalam keadaan hidup lonjakan

VR=60%VRRM, t=10ms setengah sinus,

125

30

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

125

4500

10³A ²s

VTO

Tegangan Ambang

125

0.80

V

rT

Resistansi kemiringan dalam keadaan hidup

0.14

mΩ

VTM

Tegangan puncak dalam keadaan hidup

ITM = 3000A

25

1.60

V

dv/dt

Laju kritis kenaikan tegangan off-state

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Tingkat kritis peningkatan arus pada keadaan aktif

Sumber gerbang 1.5A

tr ≤0.5μs Berulang

125

200

A/μs

IGT

Arus pemicu gerbang

VA=12V, IA=1A

25

40

200

mA

Vgt

Tegangan pemicu gerbang

1.0

3.0

V

IH

Arus penahan

20

200

mA

VGD

Tegangan gerbang non-pemicu

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Dingin sisi tunggal per chip

0.025

℃/W

Rth(c-h)

Resistansi termal casing ke heatsink

Dingin sisi tunggal per chip

0.018

℃/W

VISO

Tegangan isolasi

50Hz,R.M.S,t=1min,Iiso:1mA(maks)

3000

V

Fm

Torsi koneksi terminal ((M16)

20

Jumlah

Torsi pemasangan ((M12)

14

Jumlah

TVj

Suhu persimpangan

-40

125

℃

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

125

℃

Wt

Berat

6800

g

Rangka kerja

436F3