GD900SGU120C3SN, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C

@ T C=80o C

1350

900

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1800

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =150o C

7.40

kW

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

IF

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

900

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1800

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Junction Maksimum

150

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +125

o C

T STG

Suhu Penyimpanan Jangkauan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC= 800A,V GE = 15V, T j =25o C

2.90

3.35

V

IC= 800A,V GE = 15V, T j =125o C

3.60

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC= 16,0 mA,V CE =V GE , T j =25o C

5.0

6.1

7.0

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

53.1

nF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

3.40

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

8.56

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C= 800A, R G= 1.3Ω,

V GE = ± 15V, T j =25o C

90

n

t r

Waktu naik

81

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

500

n

t f

Waktu musim gugur

55

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

36.8

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

41.3

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C= 800A, R G= 1.3Ω,

V GE = ± 15V, T j = 125o C

115

n

t r

Waktu naik

92

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

550

n

t f

Waktu musim gugur

66

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

52.5

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

59.4

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10μs,V GE = 15V,

T j =125o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

5200

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju

Tegangan

IF = 800A,V GE =0V,T j =25o C

1.95

2.40

V

IF = 800A,V GE =0V,T j = 125o C

1.95

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC = 900V,I F = 800A,

-di/dt=9500A/μs,V GE = ± 15V, T j =25o C

56

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

550

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

38.7

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC = 900V,I F = 800A,

-di/dt=9500A/μs,V GE = ± 15V, T j = 125o C

148

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

920

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

91.8

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

12

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.19

mΩ

R θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

16.9

26.2

K/kW

R θ CS

Case-to-Sink (per IGBT)

Case-to-Sink (per Diode)

19.7

30.6

K/kW

R θ CS

Case-to-Sink

6.0

K/kW

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M4 Koneksi Terminal Torsi, Sekrup M8 Torsi pemasangan, Sekrup M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Berat dari Modul

1500

g