H50KPU, Thyristor Kontrol Fase

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj(℃ )

Nilai

Unit

Min

TIPE

Max.

IT(AV)

Arus rata-rata dalam keadaan hidup

180°gelombang setengah sinus 50Hz

Dingin sisi ganda, TC=70 。C

125

600

A

VDRM VRRM

Tegangan off-state puncak repetitif Tegangan balik puncak repetitif

tp=10ms

125

7300

8500

V

Idrm Irrm

Arus puncak repetitif

@ VDRM @ VRRM

125

200

mA

ITSM

Arus dalam keadaan hidup lonjakan

10ms gelombang setengah sinus VR=0.6VRRM

125

9.8

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

480

A2s*103

VTO

Tegangan Ambang

125

1.04

V

rT

Resistansi kemiringan dalam keadaan hidup

2.33

mΩ

VTM

Tegangan puncak dalam keadaan hidup

ITM=1000A, F=24kN

25

2.95

V

dv/dt

Laju kritis kenaikan tegangan off-state

VDM=0.67VDRM

125

2000

V/μs

di/dt

Tingkat kritis peningkatan arus pada keadaan aktif

VDM= 67%VDRM hingga 2000A,

Pulsa gerbang tr ≤0.5μs IGM ＝2.0A

125

100

A/μs

Qrr

Biaya pemulihan

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

125

2500

μC

IGT

Arus pemicu gerbang

VA=12V, IA=1A

25

40

300

mA

Vgt

Tegangan pemicu gerbang

0.8

3.0

V

IH

Arus penahan

25

200

mA

IL

Arus pengunci

500

mA

VGD

Tegangan gerbang non-pemicu

VDM=0.67VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Pada 1800 sine, dingin sisi ganda Gaya penjepit 24.0kN

0.022

。C /W

Rth(c-h)

Resistansi termal casing ke heatsink

0.005

。C /W

Fm

Kekuatan pemasangan

19

24

26

kN

TVj

Suhu persimpangan

-40

125

℃

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

140

℃

Wt

Berat

560

g

Rangka kerja

KT50dT