Semua Kategori
Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama perusahaan
Pesan
0/1000

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Halaman Utama/Produk/Modul IGBT/Modul IGBT 1200V

GD300FFA120C6S, Modul IGBT, STARPOWER

Modul IGBT, 1200V 300A, Kemasan: C6

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300FFA120C6S
  • Pengantar
  • Rangka kerja
  • Skema Sirkuit Setara
Pengantar

Perkenalan singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER .1200V 300A.

Fitur

  • VCE rendah (sat) Teknologi IGBT trench
  • 6μs kemampuan hubung singkat
  • VCE (sat) dengan positif suhu koefisien
  • Suhu junction maksimum 175oC
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Aplikasi Umum

  • Inverter untuk motor drive
  • AC dan DC servo drive amplifier
  • Catu Daya Tak Terputus

Absolute Maksimum Peringkat T F =25o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

320

300

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

600

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

1063

S

Dioda

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

300

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

600

A

Modul

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

IGBT Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC= 300A,V GE = 15V, T j =25o C

1.40

1.85

V

IC= 300A,V GE = 15V, T j =125o C

1.60

IC= 300A,V GE = 15V, T j =175o C

1.60

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=8mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.5

ω

Cies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

51.5

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

0.36

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

4.50

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C= 300A, R G=1.5Ω, Ls=32nH, V GE = ± 15V,

T j =25o C

405

n

t r

Waktu naik

83

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

586

n

t f

Waktu musim gugur

129

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

34.3

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

19.3

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C= 300A, R G=1.5Ω, Ls=32nH, V GE = ± 15V,

T j =125o C

461

n

t r

Waktu naik

107

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

676

n

t f

Waktu musim gugur

214

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

48.0

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

26.6

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C= 300A, R G=1.5Ω, Ls=32nH, V GE = ± 15V,

T j =175o C

518

n

t r

Waktu naik

124

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

738

n

t f

Waktu musim gugur

264

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

58.1

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

31.7

mJ

ISC

Data SC

t P≤7μs, V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1150

A

t P≤6μs, V GE = 15V,

T j =175o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1110

A

Dioda Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

IF = 300A,V GE =0V,T j =25o C

1.60

2.00

V

IF = 300A,V GE =0V,T j =125o C

1.60

IF = 300A,V GE =0V,T j =175o C

1.50

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 300A,

-di/dt=3135A/μs, V GE = 15V, Ls=32nH, T j =25o C

19.1

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

140

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

4.92

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 300A,

-di/dt=2516A/μs, V GE = 15V Ls=32nH, T j =125o C

33.7

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

159

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

9.35

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 300A,

-di/dt=2204A/μs, V GE = 15V Ls=32nH, T j =175o C

46.8

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

171

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

13.7

mJ

NTC Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

R 25

Rentang Rating

5.0

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

T C=100 o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

POWER

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Modul Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

21

nH

R CC+EE

Modul Lead Resista nce,Terminasi ke Chip

1.80

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.141 0.243

K/W

R thCH

Kasus -ke -Heat sink (perIGBT )Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.085 0.147 0.009

K/W

M

Sekrup Pemasangan:M6

3.0

6.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g

Rangka kerja

image(c3756b8d25).png

Skema Sirkuit Setara

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama perusahaan
Pesan
0/1000

Produk Terkait

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami siap menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama perusahaan
Pesan
0/1000

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama perusahaan
Pesan
0/1000