GD200HFU120C2S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

Satuan

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C

@ T C=65o C

262

200

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

400

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T =150o C

1315

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

Satuan

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

IF

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

200

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

400

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

Satuan

T jmax

Suhu Junction Maksimum

150

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +125

o C

T STG

Suhu penyimpanan Jangkauan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 mENIT

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC=200A,V GE = 15V, T j =25o C

3.00

3.45

V

IC=200A,V GE = 15V, T j =125o C

3.80

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=2.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

4.5

5.4

6.5

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Batang Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.3

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

13.0

nF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

0.85

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

2.10

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=200A, Batang G=4.7Ω,V GE = ± 15V, T j =25o C

87

n

t batang

Waktu naik

40

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

451

n

t f

Waktu musim gugur

63

n

Eaktif

Nyalakan Beralih

Kerugian

6.8

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

11.9

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=200A, Batang G=4.7Ω,V GE = ± 15V, T j = 125o C

88

n

t batang

Waktu naik

44

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

483

n

t f

Waktu musim gugur

78

n

Eaktif

Nyalakan Beralih

Kerugian

11.4

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

13.5

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10μs,V GE = 15V,

T j =125o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1300

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V F

Dioda Maju

Tegangan

IF =200A,V GE =0V,T j =25o C

1.95

2.40

V

IF =200A,V GE =0V,T j =125o C

2.00

T batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

13.3

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

236

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

6.6

mJ

T batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

23.0

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

269

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

10.5

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

LCE

Induktansi Sisa

30

nH

Batang CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.35

mΩ

Batang thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.095

0.202

K/W

Batang thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.029

0.063

0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g