Pengenalan singkat
Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER . 1200V 100A.
Fitur
- Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
- kemampuan hubung singkat 10μs
- VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
-
Suhu junction maksimum 175 ℃
- Kasing induktansi rendah
- Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
- Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC
Aplikasi Tipikal
- Catu daya mode switching
- Pemanasan induktif
- Mesin pengelasan elektronik
Absolute Maksimum Peringkat T F =25o C kecuali jika tidak dicatat
IGBT
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
V CES |
Tegangan kolektor-emitter |
1200 |
V |
V GES |
Tegangan gerbang-emitter |
±20 |
V |
Saya C |
Arus Pengumpul @ T C =25o C @ T C =75o C |
146
100
|
A |
Saya CM |
Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms |
200 |
A |
P P |
Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =150o C |
771 |
W |
Dioda
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
V RRM |
Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia |
1200 |
V |
Saya F |
Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental |
100 |
A |
Saya Fm |
Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms |
200 |
A |
Modul
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
T vjmax |
Suhu Junction Maksimum |
150 |
o C |
T vjop |
Suhu Junction Operasi |
-40 hingga +125 |
o C |
T STG |
Rentang suhu penyimpanan |
-40 hingga +125 |
o C |
V ISO |
Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit |
2500 |
V |
IGBT Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
|
V CE(sat)
|
Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh |
Saya C =100A,V GE = 15V, T vj =25o C |
|
3.00 |
3.45 |
V
|
Saya C =100A,V GE = 15V, T vj =125o C |
|
3.80 |
|
V GE (th ) |
Ambang Gerbang-Emitor Tegangan |
Saya C =4.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C |
4.5 |
5.5 |
6.5 |
V |
Saya CES |
Kolektor Potong -MATI Arus |
V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C |
|
|
5.0 |
mA |
Saya GES |
Kebocoran Gerbang-Emitor Arus |
V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Resistensi Gerbang Dalam keturunan |
|
|
1.0 |
|
ω |
C ies |
Kapasitas input |
V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V |
|
6.50 |
|
nF |
C res |
Transfer Balik Kapasitansi |
|
0.42 |
|
nF |
Q G |
Biaya gerbang |
V GE =-15…+15V |
|
1.10 |
|
μC |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C =100A, R G =9.1Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =48nH ,T vj =25o C
|
|
38 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
50 |
|
n |
t d ((off) |
Matikan Waktu tunda |
|
330 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
27 |
|
n |
E pADA |
Nyalakan Beralih Kerugian |
|
8.92 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
2.06 |
|
mJ |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C =100A, R G =9.1Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =48nH ,T vj =125o C
|
|
37 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
50 |
|
n |
t d ((off) |
Matikan Waktu tunda |
|
362 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
43 |
|
n |
E pADA |
Nyalakan Beralih Kerugian |
|
10.7 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
3.69 |
|
mJ |
Saya SC |
Data SC |
t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,
T vj =125o C ,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V
|
|
650 |
|
A |
Dioda Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
V F |
Dioda Maju Tegangan |
Saya F =100A,V GE =0V,T vj =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V |
Saya F =100A,V GE =0V,T vj =125o C |
|
1.90 |
|
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
V R =600V,I F =100A,
-di/dt=2245A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris =48nH ,T vj =25o C
|
|
11.5 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
101 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
4.08 |
|
mJ |
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
V R =600V,I F =100A,
-di/dt=2352A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris =48nH ,T vj =125o C
|
|
19.0 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
120 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
7.47 |
|
mJ |
NTC Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
R 25 |
Rentang Rating |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Penyimpangan dari R 100 |
T vj =100 o C,R 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Daya
Dissipasi
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
Nilai B |
R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
Nilai B |
R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
Nilai B |
R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modul Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
L CE |
Induktansi Sisa |
|
21 |
|
nH |
R CC+EE |
Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip |
|
2.60 |
|
mΩ |
R thJC |
Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris) |
|
|
0.162 0.401 |
K/W |
|
R thCH
|
Kasus -ke -Cuci Piring (perIGBT )
Case-to-Sink (per Diode)
Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)
|
|
0.051 0.125 0.009 |
|
K/W |
M |
Torsi pemasangan, Sekrup M6 |
3.0 |
|
6.0 |
N.M |
G |
Berat dari Modul |
|
300 |
|
g |
EN
