GD100HHU120C6SD,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C@ T C=75o C

146

100

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

200

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =150o C

771

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

100

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

200

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

150

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +125

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=100A,V GE = 15V, T vj =25o C

3.00

3.45

V

IC=100A,V GE = 15V, T vj =125o C

3.80

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=4.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

4.5

5.5

6.5

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.0

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

6.50

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

0.42

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

1.10

μC

t d (nyala )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=100A, R G=9.1Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =48nH ,T vj =25o C

38

n

t r

Waktu naik

50

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

330

n

t f

Waktu musim gugur

27

n

Enyala

Nyalakan Pengalihan Kerugian

8.92

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

2.06

mJ

t d (nyala )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=100A, R G=9.1Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =48nH ,T vj =125o C

37

n

t r

Waktu naik

50

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

362

n

t f

Waktu musim gugur

43

n

Enyala

Nyalakan Pengalihan Kerugian

10.7

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

3.69

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj =125o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

650

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =100A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =100A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2245A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris =48nH ,T vj =25o C

11.5

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

101

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

4.08

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2352A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris =48nH ,T vj =125o C

19.0

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

120

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

7.47

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

T vj =100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

POWER

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

21

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

2.60

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.162 0.401

K/W

R thCH

Kasus -ke -Cuci Piring (perIGBT )

Case-to-Sink (per Diode)

Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.051 0.125 0.009

K/W

M

Torsi pemasangan, Sekrup M6

3.0

6.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g