modul IGBT
Modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) merupakan kemajuan luar biasa dalam elektronika daya, yang menggabungkan keunggulan teknologi MOSFET dan transistor bipolar. Perangkat semikonduktor canggih ini berfungsi sebagai komponen krusial dalam aplikasi kontrol daya modern, menawarkan kemampuan pensaklaran yang luar biasa serta pengelolaan daya yang efisien. Modul ini terdiri dari beberapa chip IGBT yang disusun dalam berbagai konfigurasi, dilengkapi dengan dioda anti-paralel dan pengemasan khusus yang dirancang untuk pengelolaan termal optimal. Beroperasi pada frekuensi antara 1 kHz hingga 100 kHz, modul IGBT mampu menangani tegangan dari 600V hingga 6500V dan arus hingga beberapa ribu ampere. Modul-modul ini unggul dalam aplikasi yang membutuhkan kemampuan penanganan tegangan dan arus tinggi, menjadikannya komponen tak tergantikan dalam penggerak motor industri, sistem energi terbarukan, dan powertrain kendaraan listrik. Integrasi rangkaian kontrol gate canggih memastikan kontrol pensaklaran yang presisi, sementara fitur perlindungan bawaan melindungi terhadap kondisi arus lebih, hubungan pendek, dan suhu berlebih. Modul IGBT modern juga dilengkapi solusi pengelolaan termal canggih, termasuk substrat bonded copper langsung (DCB) dan sistem pendingin mutakhir, memungkinkan operasi yang andal dalam kondisi yang menantang.