GD900HFA120C6S, IGBT Modul, STARPOWER

Szimbólum

LEÍRÁS

Értékek

Egység

V A CES

A kollektor-kibocsátó feszültség

1200

V

V GES

Kapu-kibocsátó feszültség

±20

V

IC

Gyűjtőáram @ T C=90o C

900

A

ICm

Pulzáló gyűjtőáram t p =1 ms

1800

A

PD

Maximális teljesítmény disszipáció @ T j =175o C

3409

S

Szimbólum

LEÍRÁS

Értékek

Egység

V RRM

Ismétlődő csúcs fordított volt kor

1200

V

IF

Diódák folyamatos előrehajtás bérleti díj

900

A

IFM

Dióda maximális előre irányuló áram t p =1 ms

1800

A

IFSM

Támogatás előre áram t p = 10 ms @ T j =25o C @ T j =150o C

4100

3000

A

I2t

I2t-érték,t p = 10 ms @ T j =25o C

@ T j =150o C

84000

45000

A2m

Szimbólum

LEÍRÁS

Érték

Egység

T jmax

A csatlakozás maximális hőmérséklete

175

o C

T jopp

A csatlakozó üzemfoka hőmérséklete

-40 és +150 között

o C

T STG

Tárolóhőmérséklet-tartomány

-40 és +125 között

o C

V ISO

Izolációs feszültség RMS,f=50Hz,t =1 perc

2500

V

Szimbólum

Paraméter

A vizsgálati feltételek

Min.

- Tipikus.

- Max, kérlek!

Egység

V CE (szombat)

A gyűjtő a kibocsátóhoz

Telítettség

IC=900A,V Általános energia =15V, T j =25o C

1.40

1.85

V

IC=900A,V Általános energia =15V, T j =125o C

1.60

IC=900A,V Általános energia =15V, T j =175o C

1.65

V Általános energia (th)

A kapcsoló-kibocsátó küszöbértéke Feszültség

IC=24.0mA ,V CE =V Általános energia , T j =25o C

5.5

6.3

7.0

V

IA CES

Gyűjtő Vágva – Ki van kapcsolva.

Jelenlegi

V CE =V A CES ,V Általános energia =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

A kapuk kibocsátójának szivárgása Jelenlegi

V Általános energia =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Belső kapu ellenállás a

0.5

ó

Ca)

Bevezető kapacitás

V CE = 25V, f=100 kHz, V Általános energia =0V

51.5

nF

Cres

Visszafordítás

A kapacitás

0.36

nF

K G

Kapu díj

V Általános energia =- 15…+15V

13.6

μC

t d (be )

Beállítási késleltetési idő

V CC = 600V,I C=900A, R G=0.51Ω, L M=40nH, V Általános energia =-8V/+15V,

T j =25o C

330

cs

t r

Felemelkedési idő

140

cs

t d(ki)

Kiállás Késésítési idő

842

cs

t f

Őszidő

84

cs

Ebe

Beállítva Átváltás

Veszély

144

mJ

Eki van kapcsolva.

Kiállító kapcsoló

Veszély

87.8

mJ

t d (be )

Beállítási késleltetési idő

V CC = 600V,I C=900A, R G=0.51Ω, L M=40nH, V Általános energia =-8V/+15V,

T j =125o C

373

cs

t r

Felemelkedési idő

155

cs

t d(ki)

Kiállás Késésítési idő

915

cs

t f

Őszidő

135

cs

Ebe

Beállítva Átváltás

Veszély

186

mJ

Eki van kapcsolva.

Kiállító kapcsoló

Veszély

104

mJ

t d (be )

Beállítási késleltetési idő

V CC = 600V,I C=900A, R G=0.51Ω, L M=40nH, V Általános energia =-8V/+15V,

T j =175o C

390

cs

t r

Felemelkedési idő

172

cs

t d(ki)

Kiállás Késésítési idő

950

cs

t f

Őszidő

162

cs

Ebe

Beállítva Átváltás

Veszély

209

mJ

Eki van kapcsolva.

Kiállító kapcsoló

Veszély

114

mJ

IA sz.

SC-adatok

t P≤8μs,V Általános energia =15V,

T j =150o C,V CC = 800V, V A CEM ≤1200V

3200

A

t P≤6μs,V Általános energia =15V,

T j =175o C,V CC = 800V, V A CEM ≤1200V

3000

A

Szimbólum

Paraméter

A vizsgálati feltételek

Min.

- Tipikus.

- Max, kérlek!

Egyedülálló egységek

V F

Előrehajtó diódák

Feszültség

IF =900A,V Általános energia =0V,T j =25o C

1.55

2.00

V

IF =900A,V Általános energia =0V,T j =125o C

1.65

IF =900A,V Általános energia =0V,T j =175o C

1.55

K r

Helyreállított töltés

V R = 600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V Általános energia =-8V, LM=40nH ,T j =25o C

91.0

μC

IRM

A csúcs fordított

Visszanyerési áram

441

A

Ea felvétel

Visszafordított helyreállítás Energia

26.3

mJ

K r

Helyreállított töltés

V R = 600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V Általános energia =-8V, LM=40nH ,T j =125o C

141

μC

IRM

A csúcs fordított

Visszanyerési áram

493

A

Ea felvétel

Visszafordított helyreállítás Energia

42.5

mJ

K r

Helyreállított töltés

V R = 600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V Általános energia =-8V, LM=40nH ,T j =175o C

174

μC

IRM

A csúcs fordított

Visszanyerési áram

536

A

Ea felvétel

Visszafordított helyreállítás Energia

52.4

mJ

Szimbólum

Paraméter

A vizsgálati feltételek

Min.

- Tipikus.

- Max, kérlek!

Egység

R 25

Névleges ellenállás

5.0

kΩ

∆R/R

Eltérés céljából R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

TÁPEGYSÉG

Disszipáció

20.0

mW

B 25/50

B-érték

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2–

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-érték

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2–

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-érték

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2–

1/(298.15K))]

3433

K

Szimbólum

Paraméter

Min.

- Tipikus.

- Max, kérlek!

Egység

LCE

Sétáló induktancia

20

nH

R CC+EE

Modul vezeték ellenállás, terminál és chip között

0.80

mΩ

R thJC

A "Case-to-Case" (IGB-onként) T)

Keresztmetszet és ház (per Di ód)

0.044

0.076

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

A hőszink (pe) r Diódás)

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.028

0.049

0.009

K/W

M

Terminál csatlakozási nyomaték, Függöny M6 Szerelési nyomaték, Csavar M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m.

G

Súly céljából Modul

350

g