Minden kategória

IGBT Modul 1200V

IGBT Modul 1200V

Főoldal /  Termékek /  IGBT modul /  IGBT Modul 1200V

GD200CEX120C8SN,IGBT Modul,STARPOWER

1200V 200A, Csomag:C8

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD200CEX120C8SN
  • Bevezetés
  • Az ábrázolás
  • Ekvivalens áramkör séma
Bevezetés

Rövid bevezetés

IGBT modul ,a következők által gyártott STARPOWER . 1200V 200A.

Jellemzők

  • Alacsony VCE(sat) árok IGBT technológia
  • 10 μs rövidzárlat-képesség
  • VCE (sat) pozitív hőmérsékleti együtthatóval
  • Maximális csatoponti hőmérséklet 175
  • Alacsony induktancia
  • Gyors és puha fordított helyreállítási anti-párhuzamos FWD
  • DBC technológiát használó, szigetelt réz alaplemez

Tipikus alkalmazások

  • Inverter motor meghajtáshoz
  • AC és DC szervó meghajtó erősítő
  • Folyamatlan Ultraszintű Áramellenállás

Abszolút Legfeljebb Szabályozás T F =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

IGBT

Szimbólum

Leírás

Értékek

Egység

V. A CES

A kollektor-kibocsátó feszültség

1200

V.

V. GES

Kapu-kibocsátó feszültség

±20

V.

Én... C

Gyűjtőáram @ T C =25 o C @ T C =100 o C

363

200

A

Én... CRM

Ismételhető Felső Gyűjtő A jelenlegi tp korlátozott a T vjop

400

A

P M

Maximális teljesítmény disszipáció @ T vj =175 o C

1293

W

Diódák

Szimbólum

Leírás

Értékek

Egység

V. RRM

Ismétlődő csúcs fordított volt kor

1200

V.

Én... F

Dioda folyamatos előre irányított áram ent

200

A

Én... A FRM

Ismételhető Felső Előre A jelenlegi tp korlátozott a T vjop

400

A

Modul

Szimbólum

Leírás

Értékek

Egység

T vjmax

A csatlakozás maximális hőmérséklete

175

o C

T vjop

A csatlakozó üzemfoka hőmérséklete

-40 és +150 között

o C

T STG

Tárolóhőmérséklet-tartomány

-40 és +125 között

o C

V. ISO-k

Izolációs feszültség RMS,f=50Hz,t =1 perc

2500

V.

IGBT A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum

Paraméter

A vizsgálati feltételek

Min.

- Tipikus.

- Max, kérlek!

Egység

V. CE (szombat)

A gyűjtő a kibocsátóhoz Telítettség

Én... C =200A,V Általános energia =15V, T vj =25 o C

1.75

2.20

V.

Én... C =200A,V Általános energia =15V, T vj = 125 o C

2.00

Én... C =200A,V Általános energia =15V, T vj =150 o C

2.05

V. Általános energia (a )

A kapcsoló-kibocsátó küszöbértéke Feszültség

Én... C =8.0 mA ,V. CE = V. Általános energia , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V.

Én... A CES

Gyűjtő Vágás -Ki van kapcsolva. A jelenlegi

V. CE = V. A CES ,V. Általános energia =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

Én... GES

A kapuk kibocsátójának szivárgása A jelenlegi

V. Általános energia = V. GES ,V. CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Belső kapu ellenállás a

1.0

ó

C a)

Bevezető kapacitás

V. CE = 25V, f=1Mhz, V. Általános energia =0V

18.6

nF

C res

Visszafordítás A kapacitás

0.52

nF

Q G

Kapu díj

V. Általános energia =-15 …+15V

1.40

μC

t m (a )

Beállítási késleltetési idő

V. CC = 600V,I C =200A, R G =2.0Ω, Ls=50nH, V. Általános energia =±15V, T vj =25 o C

140

cs

t r

Felemelkedési idő

31

cs

t d(ki)

Kiállás Késésítési idő

239

cs

t f

Őszidő

188

cs

E a

Beállítva Átváltás Veszély

11.2

mJ

E ki van kapcsolva.

Kiállító kapcsoló Veszély

13.4

mJ

t m (a )

Beállítási késleltetési idő

V. CC = 600V,I C =200A, R G =2.0Ω, Ls=50nH, V. Általános energia =±15V, T vj = 125 o C

146

cs

t r

Felemelkedési idő

36

cs

t d(ki)

Kiállás Késésítési idő

284

cs

t f

Őszidő

284

cs

E a

Beállítva Átváltás Veszély

19.4

mJ

E ki van kapcsolva.

Kiállító kapcsoló Veszély

18.9

mJ

t m (a )

Beállítási késleltetési idő

V. CC = 600V,I C =200A, R G =2.0Ω, Ls=50nH, V. Általános energia =±15V, T vj =150 o C

148

cs

t r

Felemelkedési idő

37

cs

t d(ki)

Kiállás Késésítési idő

294

cs

t f

Őszidő

303

cs

E a

Beállítva Átváltás Veszély

21.7

mJ

E ki van kapcsolva.

Kiállító kapcsoló Veszély

19.8

mJ

Én... A sz.

SC-adatok

t P ≤10μs, V. Általános energia =15V,

T vj =150 o C,V CC = 800V, V. A CEM ≤ 1200V

800

A

Diódák A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum

Paraméter

A vizsgálati feltételek

Min.

- Tipikus.

- Max, kérlek!

Egyedülálló egységek

V. F

Előrehajtó diódák Feszültség

Én... F =200A,V Általános energia =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V.

Én... F =200A,V Általános energia =0V,T vj = 125 o C

1.90

Én... F =200A,V Általános energia =0V,T vj =150 o C

1.95

Q r

Helyreállított töltés

V. R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5710A/μs, Ls=50nH, V. Általános energia = 15 V, T vj =25 o C

20.0

μC

Én... RM

A csúcs fordított

Visszanyerési áram

220

A

E a felvétel

Visszafordított helyreállítás Energia

7.5

mJ

Q r

Helyreállított töltés

V. R = 600V,I F =200A,

-di/dt=4740A/μs, Ls=50nH, V. Általános energia = 15 V, T vj = 125 o C

34.3

μC

Én... RM

A csúcs fordított

Visszanyerési áram

209

A

E a felvétel

Visszafordított helyreállítás Energia

12.9

mJ

Q r

Helyreállított töltés

V. R = 600V,I F =200A,

-di/dt=4400A/μs, Ls=50nH, V. Általános energia = 15 V, T vj =150 o C

38.7

μC

Én... RM

A csúcs fordított

Visszanyerési áram

204

A

E a felvétel

Visszafordított helyreállítás Energia

14.6

mJ

Modul A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum

Paraméter

Min.

- Tipikus.

- Max, kérlek!

Egység

R thJC

Csomópont -ahhoz -ESET (perIGBT ) Keresztmetszet és ház (per Di ód)

0.116 0.185

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) A hőszink (pe) r Diódás) A hőfolyadékok közötti átállás (M-re) (a szájon belül)

0.150 0.239 0.046

K/W

M

Terminál csatlakozási nyomaték, Csavar M5 Szerelési nyomaték, Csavar M5

2.5 2.5

3.5 3.5

N.m.

G

Súly a Modul

200

g

Az ábrázolás

Ekvivalens áramkör séma

Ingyenes ajánlat kérése

A képviselőnk hamarosan kapcsolatba lép velük.
Email
Név
Cégnév
Üzenet
0/1000

KAPCSOLÓDÓ TERMÉK

Van kérdése bármely termékről?

Profi értékesítési csapatunk várja tanácsát.
Követheti terméklistájukat, és kérdezheti az Ön által fontosnak tartott kérdéseket.

Kérjen árajánlatot

Ingyenes ajánlat kérése

A képviselőnk hamarosan kapcsolatba lép velük.
Email
Név
Cégnév
Üzenet
0/1000