Minden kategória

IGBT Modul 1200V

IGBT Modul 1200V

Főoldal /  Termékek /  IGBT modul /  IGBT Modul 1200V

GD150HFU120C2SD, IGBT Modul, STARPOWER

1200V 150A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD150HFU120C2SD
  • Bevezetés
  • Az ábrázolás
  • Ekvivalens áramkör séma
Bevezetés

Rövid bevezetés

IGBT modul ,a következők által gyártott STARPOWER . 1200V 150A.

Jellemzők

  • Alacsony VCE(sat) árok IGBT technológia
  • 10 μs rövidzárlat-képesség
  • VCE (sat) pozitív hőmérsékleti együtthatóval
  • Maximális csatoponti hőmérséklet 175
  • Alacsony induktancia
  • Gyors és puha fordított helyreállítási anti-párhuzamos FWD
  • DBC technológiát használó, szigetelt réz alaplemez

Tipikus alkalmazások

  • Kapcsoló üzemmód
  • Induktív fűtés
  • Elektronikus hegesztő

Abszolút Legfeljebb Szabályozás T F =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

IGBT

Szimbólum

Leírás

Érték

Egység

V. A CES

A kollektor-kibocsátó feszültség

1200

V.

V. GES

Kapu-kibocsátó feszültség

±20

V.

Én... C

Gyűjtőáram @ T C =25 o C @ T C = 85 o C

241

150

A

Én... A CM

Pulzáló gyűjtőáram t p =1 ms

300

A

P M

Maximális teljesítmény disszipáció @ T vj =150 o C

1262

W

Diódák

Szimbólum

Leírás

Érték

Egység

V. RRM

Ismétlődő csúcs fordított volt kor

1200

V.

Én... F

Diódák folyamatos előrecsatlakozó Cu áram

150

A

Én... FM

Dióda maximális előre irányuló áram t p =1 ms

300

A

Modul

Szimbólum

Leírás

Érték

Egység

T vjmax

A csatlakozás maximális hőmérséklete

150

o C

T vjop

A csatlakozó üzemfoka hőmérséklete

-40 és +125 között

o C

T STG

Tárolóhőmérséklet-tartomány

-40 és +125 között

o C

V. ISO-k

Izolációs feszültség RMS,f=50Hz,t =1 perc

2500

V.

IGBT A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum

Paraméter

A vizsgálati feltételek

Min.

- Tipikus.

- Max, kérlek!

Egység

V. CE (szombat)

A gyűjtő a kibocsátóhoz Telítettség

Én... C =150A,V Általános energia =15V, T vj =25 o C

2.90

3.35

V.

Én... C =150A,V Általános energia =15V, T vj = 125 o C

3.60

V. Általános energia (a )

A kapcsoló-kibocsátó küszöbértéke Feszültség

Én... C =3.0 mA ,V. CE = V. Általános energia , T vj =25 o C

5.0

6.1

7.0

V.

Én... A CES

Gyűjtő Vágás -Ki van kapcsolva. A jelenlegi

V. CE = V. A CES ,V. Általános energia =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

Én... GES

A kapuk kibocsátójának szivárgása A jelenlegi

V. Általános energia = V. GES ,V. CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Belső kapu ellenállás a

1.50

ó

C a)

Bevezető kapacitás

V. CE =30V, f=1MHz, V. Általános energia =0V

19.2

nF

C res

Visszafordítás A kapacitás

0.60

nF

Q G

Kapu díj

V. Általános energia =-15...+15V

1.83

μC

t m (a )

Beállítási késleltetési idő

V. CC = 600V,I C =150A, R G =6.8Ω,Ls=48nH, V. Általános energia =±15V,T vj =25 o C

74

cs

t r

Felemelkedési idő

92

cs

t d(ki)

Kiállás Késésítési idő

401

cs

t f

Őszidő

31

cs

E a

Beállítva Átváltás Veszély

19.0

mJ

E ki van kapcsolva.

Kiállító kapcsoló Veszély

3.09

mJ

t m (a )

Beállítási késleltetési idő

V. CC = 600V,I C =150A, R G =6.8Ω, Ls=48nH, V. Általános energia =±15V,T vj = 125 o C

61

cs

t r

Felemelkedési idő

95

cs

t d(ki)

Kiállás Késésítési idő

444

cs

t f

Őszidő

47

cs

E a

Beállítva Átváltás Veszély

22.5

mJ

E ki van kapcsolva.

Kiállító kapcsoló Veszély

3.99

mJ

Én... A sz.

SC-adatok

t P ≤10μs, V. Általános energia =15V,

T vj = 125 o C,V CC = 800V, V. A CEM ≤ 1200V

975

A

Diódák A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum

Paraméter

A vizsgálati feltételek

Min.

- Tipikus.

- Max, kérlek!

Egység

V. F

Előrehajtó diódák Feszültség

Én... F =150A,V Általános energia =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V.

Én... F =150A,V Általános energia =0V,T vj = 125 o C

1.90

Q r

Helyreállított töltés

V. R = 600V,I F =150A,

-di/dt=1480A/μs,V Általános energia = 15 V, LS =48 nH ,T vj =25 o C

13.7

μC

Én... RM

A csúcs fordított

Visszanyerési áram

91

A

E a felvétel

Visszafordított helyreállítás Energia

4.01

mJ

Q r

Helyreállított töltés

V. R = 600V,I F =150A,

-di/dt=1560A/μs,V Általános energia = 15 V, LS =48 nH ,T vj = 125 o C

22.1

μC

Én... RM

A csúcs fordított

Visszanyerési áram

111

A

E a felvétel

Visszafordított helyreállítás Energia

6.65

mJ

Modul A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum

Paraméter

Min.

- Tipikus.

- Max, kérlek!

Egység

L CE

Sétáló induktancia

30

nH

R CC+EE

Modul vezetési ellenállás, Terminál a chipphez

0.35

R thJC

Csomópont -ahhoz -ESET (perIGBT ) Keresztmetszet és ház (per Di ód)

0.099 0.259

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) A hőszink (pe) r Diódás) A hőfolyadékok közötti átállás (M-re) (a szájon belül)

0.028 0.072 0.010

K/W

M

Terminál csatlakozási nyomaték, Csavar M5 Szerelési nyomaték, Függöny M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m.

G

Súly a Modul

300

g

Az ábrázolás

Ekvivalens áramkör séma

Ingyenes ajánlat kérése

A képviselőnk hamarosan kapcsolatba lép velük.
Email
Név
Cégnév
Üzenet
0/1000

KAPCSOLÓDÓ TERMÉK

Van kérdése bármely termékről?

Profi értékesítési csapatunk várja tanácsát.
Követheti terméklistájukat, és kérdezheti az Ön által fontosnak tartott kérdéseket.

Kérjen árajánlatot

Ingyenes ajánlat kérése

A képviselőnk hamarosan kapcsolatba lép velük.
Email
Név
Cégnév
Üzenet
0/1000