GD100HHU120C6SD, IGBT Modul, STARPOWER

Bevezetés

Rövid bevezetés

IGBT modul ,a következők által gyártott STARPOWER . 1200V 100A.

Jellemzők

Alacsony VCE(sat) árok IGBT technológia
10 μs rövidzárlat-képesség
VCE (sat) pozitív hőmérsékleti együtthatóval
Maximális csatoponti hőmérséklet 175 ℃
Alacsony induktancia
Gyors és puha fordított helyreállítási anti-párhuzamos FWD
DBC technológiát használó, szigetelt réz alaplemez

Tipikus alkalmazások

Kapcsoló üzemmód
Induktív fűtés
Elektronikus hegesztő

Abszolút Legfeljebb Szabályozás T F =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

IGBT

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
V. A CES	A kollektor-kibocsátó feszültség	1200	V.
V. GES	Kapu-kibocsátó feszültség	±20	V.
Én... C	Gyűjtőáram @ T C =25 o C @ T C = 75 o C	146 100	A
Én... A CM	Pulzáló gyűjtőáram t p =1 ms	200	A
P M	Maximális teljesítmény disszipáció @ T vj =150 o C	771	W

Diódák

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
V. RRM	Ismétlődő csúcs fordított volt kor	1200	V.
Én... F	Diódák folyamatos előrecsatlakozó Cu áram	100	A
Én... FM	Dióda maximális előre irányuló áram t p =1 ms	200	A

Modul

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
T vjmax	A csatlakozás maximális hőmérséklete	150	o C
T vjop	A csatlakozó üzemfoka hőmérséklete	-40 és +125 között	o C
T STG	Tárolóhőmérséklet-tartomány	-40 és +125 között	o C
V. ISO-k	Izolációs feszültség RMS,f=50Hz,t= 1perc	2500	V.

IGBT A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
V. CE (szombat)	A gyűjtő a kibocsátóhoz Telítettség	Én... C =100A,V Általános energia =15V, T vj =25 o C		3.00	3.45	V.
V. CE (szombat)	A gyűjtő a kibocsátóhoz Telítettség	Én... C =100A,V Általános energia =15V, T vj = 125 o C		3.80		V.
V. Általános energia (a )	A kapcsoló-kibocsátó küszöbértéke Feszültség	Én... C =4.0 mA ,V. CE = V. Általános energia , T vj =25 o C	4.5	5.5	6.5	V.
Én... A CES	Gyűjtő Vágás -Ki van kapcsolva. A jelenlegi	V. CE = V. A CES ,V. Általános energia =0V, T vj =25 o C			5.0	mA
Én... GES	A kapuk kibocsátójának szivárgása A jelenlegi	V. Általános energia = V. GES ,V. CE =0V, T vj =25 o C			400	nA
R Gint	Belső kapu ellenállás a			1.0		ó
C a)	Bevezető kapacitás	V. CE = 25V, f=1Mhz, V. Általános energia =0V		6.50		nF
C res	Visszafordítás A kapacitás	V. CE = 25V, f=1Mhz, V. Általános energia =0V		0.42		nF
Q G	Kapu díj	V. Általános energia =-15...+15V		1.10		μC
t m (a )	Beállítási késleltetési idő	V. CC = 600V,I C =100A, R G =9.1Ω,V Általános energia =±15V, LS =48 nH ,T vj =25 o C		38		cs
t r	Felemelkedési idő			50		cs
t d(ki)	Kiállás Késésítési idő			330		cs
t f	Őszidő			27		cs
E a	Beállítva Átváltás Veszély			8.92		mJ
E ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			2.06		mJ
t m (a )	Beállítási késleltetési idő	V. CC = 600V,I C =100A, R G =9.1Ω,V Általános energia =±15V, LS =48 nH ,T vj = 125 o C		37		cs
t r	Felemelkedési idő			50		cs
t d(ki)	Kiállás Késésítési idő			362		cs
t f	Őszidő			43		cs
E a	Beállítva Átváltás Veszély			10.7		mJ
E ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			3.69		mJ
Én... A sz.	SC-adatok	t P ≤10μs, V. Általános energia =15V, T vj = 125 o C ,V. CC = 900V, V. A CEM ≤ 1200V		650		A

Diódák A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
V. F	Előrehajtó diódák Feszültség	Én... F =100A,V Általános energia =0V,T vj =2 5o C		1.85	2.30	V.
V. F	Előrehajtó diódák Feszültség	Én... F =100A,V Általános energia =0V,T vj = 125 o C		1.90		V.
Q r	Helyreállított töltés	V. R = 600V,I F =100A, -di/dt=2245A/μs,V Általános energia =-15V LS =48 nH ,T vj =25 o C		11.5		μC
Én... RM	A csúcs fordított Visszanyerési áram			101		A
E a felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			4.08		mJ
Q r	Helyreállított töltés	V. R = 600V,I F =100A, -di/dt=2352A/μs,V Általános energia =-15V LS =48 nH ,T vj = 125 o C		19.0		μC
Én... RM	A csúcs fordított Visszanyerési áram			120		A
E a felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			7.47		mJ

NTC A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
R 25	Névleges ellenállás			5.0		kΩ
∆R/R	Eltérés a R 100	T vj =100 o C,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Teljesítmény Disszipáció				20.0	mW
B 25/50	B-érték	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-érték	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-érték	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
L CE	Sétáló induktancia		21		nH
R CC+EE	Modul vezetési ellenállás, Terminál a chipphez		2.60		mΩ
R thJC	Csomópont -ahhoz -ESET (perIGBT ) Keresztmetszet és ház (per Di ód)			0.162 0.401	K/W
R thCH	ESET -ahhoz -Hullámút (perIGBT ) A "Hall-to-Sink" (diódánként) A hőfolyadékok közötti átállás (M-re) (a szájon belül)		0.051 0.125 0.009		K/W
M	Szerelési nyomaték, Függöny M6	3.0		6.0	N.m.
G	Súly a Modul		300		g