YMIBD500-33,Module IGBT,IGBT à double interrupteur,CRRC

je ne peux pas.

(Paramètre)

(conditions d'essai)

(valeur)

(Unité)

VCES

Voltage du collecteur-émetteur

V GE = 0V,Tvj = 25°C

3300

V. Le groupe

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Le C

Courant collecteur-émetteur

T case = 100 °C, Tvj = 150 °C

500

A

Je C ((PK)

Courant de collecteur de pointe

1ms, T case = 140 °C

1000

A

P max

Dissipation de puissance maximale du transistor

Tvj = 150°C, T case = 25 °C

5.2

kW

Je ne

Diode I t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

80

kA2s

Le visol

Voltage d'isolation par module

Bornes communes à la plaque de base),

AC RMS,1 min, 50Hz

6000

V. Le groupe

Q PD

Décharge partielle par module

- Je ne peux pas. Les données de la série de tests doivent être fournies à l'autorité compétente.

10

pC

T étude de cas = 25 ° C T étude de cas = 25° C à moins déclaré autrement

(Le symbole )

(Paramètre)

(conditions d'essai)

(Min )

(Typ )

(Max )

(Unité )

Je Le CES

Courant de coupure du collecteur

V. Le groupe Généralement générés = 0V, V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES

1

le nombre de

V. Le groupe Généralement générés = 0V, V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES , T étude de cas = 125 °C

30

le nombre de

V. Le groupe Généralement générés = 0V, V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES , T étude de cas = 150 °C

50

le nombre de

Je GES

Fuite de la porte actuel

V. Le groupe Généralement générés = ± 20 V, V. Le groupe CE = 0V

1

μA

V. Le groupe Généralement générés (TJ)

Tension de seuil de porte

Je C = 40 le nombre de , V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe CE

5.50

6.10

7.00

V. Le groupe

V. Le groupe CE (assis )le nombre de personnes

Saturation collecteur-émetteur tension

V. Le groupe Généralement générés = 15 V, Je C = 500A

2.40

2.90

V. Le groupe

V. Le groupe Généralement générés = 15 V, Je C = 500A, T vj = 125 °C

2.95

3.40

V. Le groupe

V. Le groupe Généralement générés = 15 V, Je C = 500A, T vj = 150 °C

3.10

3.60

V. Le groupe

Je F

Courant direct de la diode

CC

500

A

Je MFN

Diode maximum vers l'avant actuel

t P = 1 ms

1000

A

V. Le groupe F le nombre de personnes

Tension Directe de Diode

Je F = 500A

2.10

2.60

V. Le groupe

Je F = 500A, T vj = 125 °C

2.25

2.70

V. Le groupe

Je F = 500A, T vj = 150 °C

2.25

2.70

V. Le groupe

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, V. Le groupe Généralement générés = 0V, f = 1MHz

90

nF

Q: Le numéro g

Charge de la porte

±15V

9

le taux de décharge

C rés

Capas de transfert inverse citation

V. Le groupe CE = 25V, V. Le groupe Généralement générés = 0V, f = 1MHz

2

nF

L M

Module inductance

25

nH

R INT

Résistance interne du transistor

310

μΩ

Je SC

Court-circuit courant, Je SC

T vj = 150°C, V. Le groupe CC = 2500V, V. Le groupe Généralement générés ≤ 15 V, t p ≤ 10μs,

V. Le groupe CE (max ) = V. Le groupe Le CES – L le nombre de personnes × di /dt ,IEC les produits de base

1800

A

le numéro de téléphone

Temps de retard de déclenchement

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH

V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1720

n.S.

t f

Temps d'automne

520

n.S.

E OFF

Perte d'énergie à l'arrêt

780

je suis désolé.

le numéro de téléphone

Temps de retard d'activation

650

n.S.

le

Il est temps de monter.

260

n.S.

Eon

Perte d'énergie à l'activation

730

je suis désolé.

Je suis désolé.

Charge de récupération inverse de la diode

I F = 500A

VCE =1800V

le système de détection doit être conforme aux prescriptions de la présente annexe.

390

le taux de décharge

I rr

Courant de récupération inverse de la diode

420

A

Érec

Énergie de récupération inverse de la diode

480

je suis désolé.

je ne peux pas.

(Paramètre)

(conditions d'essai)

(Min)

(type)

(max)

(Unité)

le numéro de téléphone

Temps de retard de déclenchement

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1860

n.S.

t f

Temps d'automne

550

n.S.

E OFF

Perte d'énergie à l'arrêt

900

je suis désolé.

le numéro de téléphone

Temps de retard d'activation

630

n.S.

le

le temps augmente Il est temps de monter.

280

n.S.

Eon

Perte d'énergie à l'activation

880

je suis désolé.

Je suis désolé.

Charge de récupération inverse de la diode

I F = 500A

VCE =1800V

le système de détection doit être conforme aux prescriptions de la présente annexe.

620

le taux de décharge

I rr

Courant de récupération inverse de la diode

460

A

Érec

Énergie de récupération inverse de la diode

760

je suis désolé.

je ne peux pas.

(Paramètre)

(conditions d'essai)

(Min)

(type)

(max)

(Unité)

le numéro de téléphone

Temps de retard de déclenchement

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1920

n.S.

t f

Temps d'automne

560

n.S.

E OFF

Perte d'énergie à l'arrêt

1020

je suis désolé.

le numéro de téléphone

Temps de retard d'activation

620

n.S.

le

Il est temps de monter.

280

n.S.

Eon

Perte d'énergie à l'activation

930

je suis désolé.

Je suis désolé.

Charge de récupération inverse de la diode

I F = 500A

VCE =1800V

le système de détection doit être conforme aux prescriptions de la présente annexe.

720

le taux de décharge

I rr

Courant de récupération inverse de la diode

490

A

Érec

Énergie de récupération inverse de la diode

900

je suis désolé.