YMIBD500-33,Module IGBT,IGBT à double interrupteur,CRRC

je ne peux pas.

(Paramètre)

(conditions d'essai)

(valeur)

(Unité)

VCES

Voltage du collecteur-émetteur

V GE = 0V,Tvj = 25°C

3300

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V

Le C

Courant collecteur-émetteur

T case = 100 °C, Tvj = 150 °C

500

A

Je C ((PK)

Courant de collecteur de pointe

1ms, T case = 140 °C

1000

A

P max

Dissipation de puissance maximale du transistor

Tvj = 150°C, T case = 25 °C

5.2

kW

Je ne

Diode I t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

80

kA2s

Le visol

Voltage d'isolation par module

Bornes communes à la plaque de base),

AC RMS,1 min, 50Hz

6000

V

Q PD

Décharge partielle par module

- Je ne peux pas. Les données de la série de tests doivent être fournies à l'autorité compétente.

10

pC

T étude de cas = 25 ° C T étude de cas = 25° C à moins déclaré autrement

(Le symbole )

(Paramètre)

(conditions d'essai)

(Min )

(Typ )

(Max )

(Unité )

E Le CES

Courant de coupure du collecteur

V Généralement générés = 0V, V CE = V Le CES

1

le nombre de

V Généralement générés = 0V, V CE = V Le CES , T étude de cas = 125 °C

30

le nombre de

V Généralement générés = 0V, V CE = V Le CES , T étude de cas = 150 °C

50

le nombre de

E GES

Fuite de la porte actuel

V Généralement générés = ± 20 V, V CE = 0V

1

μA

V Généralement générés (TJ)

Tension de seuil de porte

E C = 40 le nombre de , V Généralement générés = V CE

5.50

6.10

7.00

V

V CE (assis )(*1)

Saturation collecteur-émetteur tension

V Généralement générés = 15 V, E C = 500A

2.40

2.90

V

V Généralement générés = 15 V, E C = 500A, T vj = 125 °C

2.95

3.40

V

V Généralement générés = 15 V, E C = 500A, T vj = 150 °C

3.10

3.60

V

E F

Courant direct de la diode

CC

500

A

E MFN

Diode maximum vers l'avant actuel

t P = 1 ms

1000

A

V F (*1)

Tension Directe de Diode

E F = 500A

2.10

2.60

V

E F = 500A, T vj = 125 °C

2.25

2.70

V

E F = 500A, T vj = 150 °C

2.25

2.70

V

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, V Généralement générés = 0V, f = 1MHz

90

nF

Q: Le numéro g

Charge de la porte

±15V

9

le taux de décharge

C rés

Capas de transfert inverse citation

V CE = 25V, V Généralement générés = 0V, f = 1MHz

2

nF

L M

Module inductance

25

nH

Barre INT

Résistance interne du transistor

310

μΩ

E SC

Court-circuit courant, E SC

T vj = 150°C, V CC = 2500V, V Généralement générés ≤15 V, t p ≤10μs,

V CE (max ) = V Le CES – L (*2) ×di /dt ,IEC 6074-9

1800

A

le numéro de téléphone

Temps de retard de déclenchement

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH

V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1720

n.S.

t f

Temps d'automne

520

n.S.

E OFF

Perte d'énergie à l'arrêt

780

je suis désolé.

le numéro de téléphone

Temps de retard d'activation

650

n.S.

tr

Il est temps de monter.

260

n.S.

Eon

Perte d'énergie à l'activation

730

je suis désolé.

Je suis désolé.

Charge de récupération inverse de la diode

I F = 500A

VCE =1800V

le système de détection doit être conforme aux prescriptions de la présente annexe.

390

le taux de décharge

I rr

Courant de récupération inverse de la diode

420

A

Érec

Énergie de récupération inverse de la diode

480

je suis désolé.

je ne peux pas.

(Paramètre)

(conditions d'essai)

(Min)

(type)

(max)

(Unité)

le numéro de téléphone

Temps de retard de déclenchement

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1860

n.S.

t f

Temps d'automne

550

n.S.

E OFF

Perte d'énergie à l'arrêt

900

je suis désolé.

le numéro de téléphone

Temps de retard d'activation

630

n.S.

tr

le temps augmente Il est temps de monter.

280

n.S.

Eon

Perte d'énergie à l'activation

880

je suis désolé.

Je suis désolé.

Charge de récupération inverse de la diode

I F = 500A

VCE =1800V

le système de détection doit être conforme aux prescriptions de la présente annexe.

620

le taux de décharge

I rr

Courant de récupération inverse de la diode

460

A

Érec

Énergie de récupération inverse de la diode

760

je suis désolé.

je ne peux pas.

(Paramètre)

(conditions d'essai)

(Min)

(type)

(max)

(Unité)

le numéro de téléphone

Temps de retard de déclenchement

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1920

n.S.

t f

Temps d'automne

560

n.S.

E OFF

Perte d'énergie à l'arrêt

1020

je suis désolé.

le numéro de téléphone

Temps de retard d'activation

620

n.S.

tr

Il est temps de monter.

280

n.S.

Eon

Perte d'énergie à l'activation

930

je suis désolé.

Je suis désolé.

Charge de récupération inverse de la diode

I F = 500A

VCE =1800V

le système de détection doit être conforme aux prescriptions de la présente annexe.

720

le taux de décharge

I rr

Courant de récupération inverse de la diode

490

A

Érec

Énergie de récupération inverse de la diode

900

je suis désolé.