GD200HFX120C2S, Module IGBT, STARPOWER

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

E C

Courant collecteur @ T C =25o C

@ T C =90o C

297

200

A

E Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

400

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C

937

L

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

1200

V

E F

Diode à dérive continue le loyer

200

A

E FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

400

A

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Température de stockage Autonomie

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

E C =200A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.75

2.20

V

E C =200A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

2.00

E C =200A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

2.05

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

E C =5.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

E Le CES

Le collecteur Découpé -Éteint

Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V,

T j =25o C

5.0

le nombre de

E GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance à la porte interne ance

1.0

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz,

V Généralement générés =0V

18.6

nF

C rés

Transfert inverse

Capacité

0.52

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V Généralement générés =- 15...+15V

1.40

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =200A, Barre G = 1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C

120

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

26

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

313

n.S.

t f

Temps d'automne

88

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

8.96

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

10.7

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =200A, Barre G = 1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 125o C

129

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

30

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

391

n.S.

t f

Temps d'automne

157

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

15.8

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

16.1

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =200A, Barre G = 1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 150o C

129

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

34

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

411

n.S.

t f

Temps d'automne

175

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

17.5

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

18.1

je suis désolé.

E SC

Données SC

t P ≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC =900V, V MEC ≤1200V

720

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V F

Diode vers l'avant

Tension

E F =200A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.75

2.15

V

E F =200A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C

1.65

E F =200A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C

1.65

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Généralement générés =- 15V T j =25o C

18.5

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

239

A

E réc

Récupération Énergie

8.08

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Généralement générés =- 15V T j =125o C

33.1

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

250

A

E réc

Récupération Énergie

14.5

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Généralement générés =- 15V T j =150o C

38.4

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

259

A

E réc

Récupération Énergie

15.9

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

15

nH

Barre CC+EE

Module de résistance au plomb ensuite, terminal à puce

0.25

mΩ

Barre le CJJ

Les points de jonction (par IGB) T)

Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

0.160

0.206

Pour les produits de base

Barre thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne.

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 diode)

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.036

0.046

0.010

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Poids de Module

300

g