GD200HFX120C2S, Module IGBT, STARPOWER

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25 o C

@ T C = 90 o C

297

200

A

Je Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

400

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o C

937

Le

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V. Le groupe RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

1200

V. Le groupe

Je F

Diode à dérive continue le loyer

200

A

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

400

A

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Température de stockage Autonomie

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V. Le groupe

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

Je C =200A,V Généralement générés = 15 V, T j = 25 o C

1.75

2.20

V. Le groupe

Je C =200A,V Généralement générés = 15 V, T j = 125 o C

2.00

Je C =200A,V Généralement générés = 15 V, T j = 150 o C

2.05

V. Le groupe Généralement générés (le )

Seuil d'émetteur de porte Tension

Je C =5.0 le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , T j = 25 o C

5.2

6.0

6.8

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint

Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V,

T j = 25 o C

5.0

le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

1.0

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz,

V. Le groupe Généralement générés =0V

18.6

nF

C rés

Transfert inverse

Capacité

0.52

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés je suis désolé. 15...+15V

1.40

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 25 o C

120

n.S.

t r

Il est temps de monter.

26

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

313

n.S.

t f

Temps d'automne

88

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

8.96

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

10.7

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 125o C

129

n.S.

t r

Il est temps de monter.

30

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

391

n.S.

t f

Temps d'automne

157

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

15.8

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

16.1

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 150o C

129

n.S.

t r

Il est temps de monter.

34

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

411

n.S.

t f

Temps d'automne

175

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

17.5

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

18.1

je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V,

T j = 150 o C,V CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V

720

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe F

Diode vers l'avant

Tension

Je F =200A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C

1.75

2.15

V. Le groupe

Je F =200A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C

1.65

Je F =200A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C

1.65

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 25 o C

18.5

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

239

A

E réc

Récupération Énergie

8.08

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 125 o C

33.1

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

250

A

E réc

Récupération Énergie

14.5

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 150 o C

38.4

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

259

A

E réc

Récupération Énergie

15.9

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

15

nH

R CC+EE

Module de résistance au plomb ensuite, terminal à puce

0.25

mΩ

R le CJJ

Les points de jonction (par IGB) T)

Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

0.160

0.206

Pour les produits de base

R thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne.

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 diode)

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.036

0.046

0.010

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Poids de Module

300

g