Module IGBT, GD1000HFA75N5HT Starpower

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

750

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

ICN

Collecteur Cu implémenté rente

1000

A

IC

Le collecteur Actuel T vj =175o C

680

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

1360

A

PD

Dissipation de puissance maximale le projet @ T F =75o C T vj =175o C

1086

L

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

750

V

IFN

Collecteur Cu implémenté rente

1000

A

IF

Diode courant continu avant Cu rente

680

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

1360

A

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T vjmax

Température maximale de jonction

175

o C

T vjop

Température de fonctionnement de la jonction continue

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

IC=680A,V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C

1.25

1.50

V

IC=680A,V Généralement générés = 15 V, T vj =150o C

1.35

IC=680A,V Généralement générés = 15 V, T vj =175o C

1.40

IC=1000A,V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C

1.45

IC=1000A,V Généralement générés = 15 V, T vj =175o C

1.70

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=9.60le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T vj =25o C

5.5

6.5

7.0

V

IC=9.60le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T vj =175o C

3.5

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T vj =25o C

1.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance interne de la porte

1.0

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE =50V, f=100kHz, V Généralement générés =0V

72.3

nF

Coes

Capacité de sortie

1.51

nF

Crés

Transfert inverse Capacité

0.32

nF

QG

Charge de la porte

V CE =400V, IC=680A, V Généralement générés =-10…+15V

4.10

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =400V,I C=680A, Barre G=0.22Ω, LS =16nH ,V Généralement générés =-10V/+15V,

T vj =25o C

196

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

50

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

407

n.S.

t f

Temps d'automne

125

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

11.1

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

29.1

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =400V,I C=680A, Barre G=0.22Ω, LS =16nH ,V Généralement générés =-10V/+15V,

T vj =150o C

222

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

63

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

471

n.S.

t f

Temps d'automne

178

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

19.7

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

37.4

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =400V,I C=680A, Barre G=0.22Ω, LS =16nH ,V Généralement générés =-10V/+15V,

T vj =175o C

224

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

68

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

490

n.S.

t f

Temps d'automne

194

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

21.7

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

39.5

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤6μs,V Généralement générés = 15 V,

4000

A

T vj =25o C,V CC =450V, V MEC ≤750V

t P≤3μs,V Généralement générés = 15 V,

T vj =175o C,V CC =450V, V MEC ≤750V

3300

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

IF =680A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

IF =680A,V Généralement générés =0V,T vj =150o C

1.60

IF =680A,V Généralement générés =0V,T vj =175o C

1.55

IF =1000A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C

1.80

IF =1000A,V Généralement générés =0V,T vj =175o C

1.75

Qbarre

Charge récupérée

V Barre =400V,I F =680A,

-di/dt=15030A/μs,V Généralement générés =-10V, LS =16nH ,T vj =25o C

19.9

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

458

A

Eréc

Récupération Énergie

6.10

je suis désolé.

Qbarre

Charge récupérée

V Barre =400V,I F =680A,

-di/dt=12360A/μs,V Généralement générés =-10V, LS =16nH ,T vj =150o C

29.7

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

504

A

Eréc

Récupération Énergie

9.70

je suis désolé.

Qbarre

Charge récupérée

V Barre =400V,I F =680A,

-di/dt=11740A/μs,V Généralement générés =-10V, LS =16nH ,T vj =175o C

34.5

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

526

A

Eréc

Récupération Énergie

11.0

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Barre

Nominale Résistance

T C=0 o C

T C=150 o C

1000

1573

oh oh

T Cr

Coefficient de température nt

0.38

%/K

T SH

Auto Chauffage

T C=0 o C

Im =0,1...0,3 mA

0.4

K/mW

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

LCE

Inductivité de déplacement

5

nH

p

Pression maximale dans le circuit de refroidissement cuit

2.5

barre

Barre thJF

Réservoir -à -Réfrigération Douce (parIGBT )Jonction au fluide de refroidissement (par D iode) △V/ △t=8.0 dm 3/mIN ,T F =65o C

0.080 0.115

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M5 Le couple de montage Vire M5

5.4 5.4

6.6 6.6

N.m.

G

Poids de Module

220

g