Module IGBT, GD1000HFA75N5HT Starpower

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

750

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

E Nom de la CN

Collecteur Cu implémenté rente

1000

A

E C

Le collecteur Actuel T vj =175o C

680

A

E Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

1360

A

P D

Dissipation de puissance maximale le projet @ T F =75o C T vj =175o C

1086

L

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

750

V

E FN

Collecteur Cu implémenté rente

1000

A

E F

Diode courant continu avant Cu rente

680

A

E FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

1360

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T vjmax

Température maximale de jonction

175

o C

T vjop

Température de fonctionnement de la jonction continue

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

E C =680A,V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C

1.25

1.50

V

E C =680A,V Généralement générés = 15 V, T vj =150o C

1.35

E C =680A,V Généralement générés = 15 V, T vj =175o C

1.40

E C =1000A,V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C

1.45

E C =1000A,V Généralement générés = 15 V, T vj =175o C

1.70

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

E C =9.60le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T vj =25o C

5.5

6.5

7.0

V

E C =9.60le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T vj =175o C

3.5

E Le CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T vj =25o C

1.0

le nombre de

E GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance interne de la porte

1.0

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE =50V, f=100kHz, V Généralement générés =0V

72.3

nF

C oes

Capacité de sortie

1.51

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.32

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V CE =400V, E C =680A, V Généralement générés =-10…+15V

4.10

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =400V,I C =680A, Barre G =0.22Ω, L S =16nH , V Généralement générés =-10V/+15V,

T vj =25o C

196

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

50

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

407

n.S.

t f

Temps d'automne

125

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

11.1

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

29.1

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =400V,I C =680A, Barre G =0.22Ω, L S =16nH , V Généralement générés =-10V/+15V,

T vj =150o C

222

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

63

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

471

n.S.

t f

Temps d'automne

178

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

19.7

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

37.4

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =400V,I C =680A, Barre G =0.22Ω, L S =16nH , V Généralement générés =-10V/+15V,

T vj =175o C

224

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

68

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

490

n.S.

t f

Temps d'automne

194

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

21.7

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

39.5

je suis désolé.

E SC

Données SC

t P ≤6μs,V Généralement générés = 15 V,

4000

A

T vj =25o C,V CC =450V, V MEC ≤750V

t P ≤3μs,V Généralement générés = 15 V,

T vj =175o C,V CC =450V, V MEC ≤750V

3300

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

E F =680A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

E F =680A,V Généralement générés =0V,T vj =150o C

1.60

E F =680A,V Généralement générés =0V,T vj =175o C

1.55

E F =1000A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C

1.80

E F =1000A,V Généralement générés =0V,T vj =175o C

1.75

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =400V,I F =680A,

-di/dt=15030A/μs,V Généralement générés =-10V, L S =16nH ,T vj =25o C

19.9

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

458

A

E réc

Récupération Énergie

6.10

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =400V,I F =680A,

-di/dt=12360A/μs,V Généralement générés =-10V, L S =16nH ,T vj =150o C

29.7

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

504

A

E réc

Récupération Énergie

9.70

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =400V,I F =680A,

-di/dt=11740A/μs,V Généralement générés =-10V, L S =16nH ,T vj =175o C

34.5

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

526

A

E réc

Récupération Énergie

11.0

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Barre

Nominale Résistance

T C =0 o C

T C =150 o C

1000

1573

oh oh

T Cr

Coefficient de température nt

0.38

%/K

T SH

Auto Chauffage

T C =0 o C

E m =0,1...0,3 mA

0.4

K/mW

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

5

nH

p

Pression maximale dans le circuit de refroidissement cuit

2.5

barre

Barre thJF

Réservoir -à -Réfrigération Douce (parIGBT )Jonction au fluide de refroidissement (par D iode) △V/ △t=8.0 dm 3/min ,T F =65o C

0.080 0.115

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M5 Le couple de montage Vire M5

5.4 5.4

6.6 6.6

N.m.

G

Poids de Module

220

g