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Introduction brève
Modules de diodes à récupération rapide , MZx75 ,MZ75 ,Refroidissement par air ,produit par TECHSEM.
RRVM |
Type & Contour |
600V 800V 1000V les autres 1400V 1600V 1800V 1800V |
MZx75-06-216F3 MZx75-08-216F3 MZx75-10-216F3 MZx75-12-216F3 MZx75-14-216F3 MZx75-16-216F3 MZx75-18-216F3 MZ75-18-216F3G |
MZx signifie tout type de MZC, MZA, MZK
Caractéristiques :
Applications Typiques :
Le symbole |
Caractéristique |
Conditions d'essai |
Tj( ℃ ) |
Valeur |
Unité |
||
Min |
Type |
Max |
|||||
IF(AV) |
Courant direct moyen |
180° demi-onde sinusoïdale de 50 Hz Refroidi par un seul côté, TC=85 ℃ |
140 |
|
|
75 |
Une |
IF(RMS) |
Courant direct RMS |
|
|
118 |
Une |
||
RSI |
Courant de crête répétitif |
à VRRM |
140 |
|
|
20 |
le nombre de |
MFI |
Courant de surtension avant |
10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM |
140 |
|
|
2.0 |
kA |
I2t |
I2t pour coordination de fusion |
|
|
20 |
103Une 2s |
||
VFO |
Voltage de seuil |
|
140 |
|
|
1.10 |
V. Le groupe |
rF |
Résistance de pente directe |
|
|
3.00 |
m |
||
VFM |
Tension directe de crête |
IFM=225A |
25 |
|
|
2.00 |
V. Le groupe |
le |
Temps de récupération inverse |
IFM=200A,tp=4000μs, -di/dt=20A/μs,VR=50V |
140 |
|
3.0 |
|
μs |
25 |
|
2.0 |
|
μs |
|||
Rth(j-c) |
Résistance thermique jonction à boîtier |
Refroidi par un seul côté par puce |
|
|
|
0.310 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Résistance thermique du boîtier au dissipateur |
Refroidi par un seul côté par puce |
|
|
|
0.080 |
℃ /W |
FM |
Couple de connexion des bornes (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N m |
Couple de montage (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N m |
|
VISO |
Tension d'isolement |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V. Le groupe |
Tvj |
Température de jonction |
|
|
-40 |
|
140 |
℃ |
TSTG |
Température de stockage |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Poids |
|
|
|
320 |
|
g |
Le schéma |
216F3 |
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