Module IGBT GD820HTX75P6HFB Starpower

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

750

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

ICN

Collecteur Cu implémenté rente

820

A

IC

Courant collecteur @ T F =75o C

450

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

1640

A

PD

Dissipation de puissance maximale le projet @ T F =75o C T j =175o C

751

L

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

V RRM

Voltage inverse de pic répétitif généralement générés

750

V

IFN

Collecteur Cu implémenté rente

820

A

IF

Diode courant continu avant Cu rente

450

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

1640

A

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement de la jonction continue

Pendant 10 secondes dans une période de 30 secondes, occurrence maximum 3000 fois sur toute la durée de vie

-40 à +150 +150 à +175

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

IC=450A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.25

1.50

V

IC=450A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

1.35

IC=450A,V Généralement générés = 15 V, T j =175o C

1.40

IC=820A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.55

IC=820A,V Généralement générés = 15 V, T j =175o C

1.90

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=9.60le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.0

5.7

7.0

V

IC=9.60le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =175o C

3.5

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C

1.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance interne de la porte

0.7

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE =50V, f=100kHz, V Généralement générés =0V

42.1

nF

Coes

Capacité de sortie

1.80

nF

Crés

Transfert inverse Capacité

1.18

nF

QG

Charge de la porte

V CE =400V,I C =450A, V Généralement générés =-8... +15V

3.01

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =400V,I C=450A, Barre G= 2,4Ω, LS =24nH ,V Généralement générés =-8V/+15V,

T j =25o C

126

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

62

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

639

n.S.

t f

Temps d'automne

149

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

17.3

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

25.4

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =400V,I C=450A, Barre G= 2,4Ω, LS =24nH ,V Généralement générés =-8V/+15V,

T j =150o C

136

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

68

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

715

n.S.

t f

Temps d'automne

221

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

22.5

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

31.0

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =400V,I C=450A, Barre G= 2,4Ω, LS =24nH ,V Généralement générés =-8V/+15V,

T j =175o C

138

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

68

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

739

n.S.

t f

Temps d'automne

227

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

24.8

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

32.6

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤6μs, V Généralement générés = 15 V,

5100

A

T j =25o C,V CC =400V, V MEC ≤750V

t P≤3μs, V Généralement générés = 15 V,

T j =175o C,V CC =400V, V MEC ≤750V

3800

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

IF =450A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.40

1.65

V

IF =450A,V Généralement générés =0V,T j =150o C

1.35

IF =450A,V Généralement générés =0V,T j =175o C

1.30

IF =820A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.70

IF =820A,V Généralement générés =0V,T j =175o C

1.65

Qbarre

Charge récupérée

V Barre =400V,I F =450A,

-di/dt=7070A/μs,V Généralement générés =-8V, LS =24nH ,T j =25o C

16.0

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

254

A

Eréc

Récupération Énergie

5.03

je suis désolé.

Qbarre

Charge récupérée

V Barre =400V,I F =450A,

-di/dt=6150A/μs,V Généralement générés =-8V, LS =24nH ,T j =150o C

36.0

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

320

A

Eréc

Récupération Énergie

9.49

je suis désolé.

Qbarre

Charge récupérée

V Barre =400V,I F =450A,

-di/dt=6010A/μs,V Généralement générés =-8V, LS =24nH ,T j =175o C

40.5

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

338

A

Eréc

Récupération Énergie

10.5

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Barre 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Déviation de Barre 100

T C=100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/501/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/801/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/1001/T 2- je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

LCE

Inductivité de déplacement

8

nH

Barre CC+EE

Résistance au plomb du module, terminal à la puce

0.75

mΩ

△p

△V/ △t=10.0 dm 3/mIN ,T F =75o C

64

mbar

p

Pression maximale dans le circuit de refroidissement cuit

T plaque de base <40o C

T plaque de base 40o C

(pression relative)

2.5 2.0

barre

Barre thJF

Réservoir -à -Réfrigération Douce (parIGBT )Jonction au fluide de refroidissement (par D iode) △V/ △t=10.0 dm 3/mIN ,T F =75o C

0.116 0.175

0.133 0.200

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M5 Le couple de montage Vire M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m.

G

Poids de Module

750

g