GD100HHU120C6SD, Module IGBT, STARPOWER

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C =75 o C

146

100

A

Je Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

200

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T vj = 150 o C

771

Le

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V. Le groupe

Je F

Diode courant continu avant Cu rente

100

A

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

200

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T vjmax

Température maximale de jonction

150

o C

T vjop

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +125

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolation RMS, f=50Hz, t= une minute.

2500

V. Le groupe

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

Je C =100A,V Généralement générés = 15 V, T vj = 25 o C

3.00

3.45

V. Le groupe

Je C =100A,V Généralement générés = 15 V, T vj = 125 o C

3.80

V. Le groupe Généralement générés (le )

Seuil d'émetteur de porte Tension

Je C = 4,0 le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , T vj = 25 o C

4.5

5.5

6.5

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, T vj = 25 o C

5.0

le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, T vj = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

1.0

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V

6.50

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.42

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés =-15…+15V

1.10

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =100A, R G =9,1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, LS = 48 nH ,T vj = 25 o C

38

n.S.

t r

Il est temps de monter.

50

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

330

n.S.

t f

Temps d'automne

27

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

8.92

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

2.06

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =100A, R G =9,1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, LS = 48 nH ,T vj = 125 o C

37

n.S.

t r

Il est temps de monter.

50

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

362

n.S.

t f

Temps d'automne

43

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

10.7

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

3.69

je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

T vj = 125 o C ,V. Le groupe CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V

650

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F =100A,V Généralement générés =0V,T vj = 2 5o C

1.85

2.30

V. Le groupe

Je F =100A,V Généralement générés =0V,T vj = 125 o C

1.90

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V,I F =100A,

-di/dt=2245A/μs,V Généralement générés =-15V LS = 48 nH ,T vj = 25 o C

11.5

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

101

A

E réc

Récupération Énergie

4.08

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V,I F =100A,

-di/dt=2352A/μs,V Généralement générés =-15V LS = 48 nH ,T vj = 125 o C

19.0

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

120

A

E réc

Récupération Énergie

7.47

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Déviation de R 100

T vj = 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25 à 50%

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25 à 50% 1/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/80 1/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/100 1/T 2- je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

21

nH

R CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

2.60

mΩ

R le CJJ

Réservoir -à -Étude de cas (parIGBT ) Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

0.162 0.401

Pour les produits de base

R thCH

Étude de cas -à -Sink (parIGBT )

Pour les appareils de type "Sync"

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge doit être de 0,8 MPa. (voir le tableau ci-dessous)

0.051 0.125 0.009

Pour les produits de base

M

Le couple de montage Vire M6

3.0

6.0

N.m.

G

Poids de Module

300

g