Présentation succincte
Module IGBT ,produit par Le système de régulation .1200V 100A. Je suis désolé.
Caractéristiques
- Technologie IGBT à faible VCE (sat)
- capacité de court-circuit de 10 μs
- VCE (sat) avec coefficient de température positif
-
Température maximale de la jonction 175 ℃
- Cas à faible inductance
- Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
- Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC
Applications Typiques
- Alimentation en mode commutation
- Chauffage par induction
- Soudeuse électronique
- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T F =25o C à moins autrement noté
L'IGBT
Le symbole |
DESCRIPTION |
Valeur |
Unité |
V Le CES |
Voltage du collecteur-émetteur |
1200 |
V |
V GES |
Voltage de l'émetteur de la porte |
±20 |
V |
IC |
Courant collecteur @ T C=25o C@ T C=75o C |
146
100
|
A |
ICm |
Courant collecteur pulsé t p =1ms |
200 |
A |
PD |
Puissance maximale Dissipation @ T vj =150o C |
771 |
L |
Diode
Le symbole |
DESCRIPTION |
Valeur |
Unité |
V RRM |
Tension inverse de crête répétitive âge |
1200 |
V |
IF |
Diode courant continu avant Cu rente |
100 |
A |
IFM |
Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms |
200 |
A |
Module
Le symbole |
DESCRIPTION |
Valeur |
Unité |
T vjmax |
Température maximale de jonction |
150 |
o C |
T vjop |
Température de fonctionnement des jonctions |
-40 à +125 |
o C |
T GST |
Plage de température de stockage |
-40 à +125 |
o C |
V ISO |
Tension d'isolation RMS, f=50Hz, t= une minute. |
2500 |
V |
L'IGBT Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
|
V CE (sat)
|
Collecteur à émetteur Voltage de saturation |
IC=100A,V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C |
|
3.00 |
3.45 |
V
|
IC=100A,V Généralement générés = 15 V, T vj =125o C |
|
3.80 |
|
V Généralement générés (th) |
Seuil d'émetteur de porte Tension |
IC=4.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T vj =25o C |
4.5 |
5.5 |
6.5 |
V |
ILe CES |
Le collecteur Découpé -Éteint Actuel |
V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T vj =25o C |
|
|
5.0 |
le nombre de |
IGES |
Fuite de l'émetteur de la porte Actuel |
V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Le gint |
Résistance à la porte interne ance |
|
|
1.0 |
|
oh |
C- Je vous en prie. |
Capacité d'entrée |
V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V |
|
6.50 |
|
nF |
Crés |
Transfert inverse Capacité |
|
0.42 |
|
nF |
QG |
Charge de la porte |
V Généralement générés =-15…+15V |
|
1.10 |
|
le taux de décharge |
t d (activé ) |
Temps de retard d'activation |
V CC =600V,I C=100A, R G=9,1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, LS =48nH ,T vj =25o C
|
|
38 |
|
n.S. |
t r |
Il est temps de monter. |
|
50 |
|
n.S. |
t d(off) |
Débranchement Temps de retard |
|
330 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
27 |
|
n.S. |
Eactivé |
On le met en marche Le changement Perte de |
|
8.92 |
|
je suis désolé. |
Eéteint |
Commutateur d'arrêt Perte de |
|
2.06 |
|
je suis désolé. |
t d (activé ) |
Temps de retard d'activation |
V CC =600V,I C=100A, R G=9,1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, LS =48nH ,T vj =125o C
|
|
37 |
|
n.S. |
t r |
Il est temps de monter. |
|
50 |
|
n.S. |
t d(off) |
Débranchement Temps de retard |
|
362 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
43 |
|
n.S. |
Eactivé |
On le met en marche Le changement Perte de |
|
10.7 |
|
je suis désolé. |
Eéteint |
Commutateur d'arrêt Perte de |
|
3.69 |
|
je suis désolé. |
ISC |
Données SC |
t P≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,
T vj =125o C,V CC =900V, V MEC ≤1200V
|
|
650 |
|
A |
Diode Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
V F |
Diode vers l'avant Tension |
IF =100A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V |
IF =100A,V Généralement générés =0V,T vj =125o C |
|
1.90 |
|
Qr |
Charge récupérée |
V R =600V,I F =100A,
-di/dt=2245A/μs,V Généralement générés =-15V LS =48nH ,T vj =25o C
|
|
11.5 |
|
le taux de décharge |
IRM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
|
101 |
|
A |
Eréc |
Récupération Énergie |
|
4.08 |
|
je suis désolé. |
Qr |
Charge récupérée |
V R =600V,I F =100A,
-di/dt=2352A/μs,V Généralement générés =-15V LS =48nH ,T vj =125o C
|
|
19.0 |
|
le taux de décharge |
IRM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
|
120 |
|
A |
Eréc |
Récupération Énergie |
|
7.47 |
|
je suis désolé. |
NTC Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
R 25 |
Résistance nominale |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Déviation de R 100 |
T vj =100 o C,R 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Puissance
Dissipation
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
Valeur B |
R 2= R 25exp [B 25/501/T 2- je suis désolé. |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
Valeur B |
R 2= R 25exp [B 25/801/T 2- je suis désolé. |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
Valeur B |
R 2= R 25exp [B 25/1001/T 2- je suis désolé. |
|
3433 |
|
K |
Module Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
LCE |
Inductivité de déplacement |
|
21 |
|
nH |
R CC+EE |
Module de résistance au plomb, Terminal au chip |
|
2.60 |
|
mΩ |
R le CJJ |
Réservoir -à -Boîtier (parIGBT ) Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi |
|
|
0.162 0.401 |
Pour les produits de base |
|
R thCH
|
Boîtier -à -Sink (parIGBT )
Pour les appareils de type "Sync"
Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge doit être de 0,8 MPa. (voir le tableau ci-dessous)
|
|
0.051 0.125 0.009 |
|
Pour les produits de base |
M |
Le couple de montage Vire M6 |
3.0 |
|
6.0 |
N.m. |
G |
Poids de Module |
|
300 |
|
g |
EN
