GD100HHU120C6SD, Module IGBT, STARPOWER

Introduction

Introduction brève

Module IGBT ,produit par Le système de régulation . 1200V 100A. Je suis désolé.

Caractéristiques

Technologie IGBT à faible VCE (sat)
capacité de court-circuit de 10 μs
VCE (sat) avec coefficient de température positif
Température maximale de la jonction 175 ℃
Cas à faible inductance
Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

Alimentation en mode commutation
Chauffage par induction
Soudeuse électronique

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation T F = 25 o C à moins autrement noté

L'IGBT

Le symbole	Description	Valeur	Unité
V. Le groupe Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	1200	V. Le groupe
V. Le groupe GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je C	Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C =75 o C	146 100	Une
Je Cm	Courant collecteur pulsé t p =1ms	200	Une
P D	Puissance maximale Dissipation @ T vj = 150 o C	771	Le

Diode

Le symbole	Description	Valeur	Unité
V. Le groupe RRM	Tension inverse de crête répétitive âge	1200	V. Le groupe
Je F	Diode courant continu avant Cu rente	100	Une
Je FM	Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms	200	Une

Module

Le symbole	Description	Valeur	Unité
T vjmax	Température maximale de jonction	150	o C
T vjop	Température de fonctionnement des jonctions	-40 à +125	o C
T GST	Plage de température de stockage	-40 à +125	o C
V. Le groupe ISO	Tension d'isolation RMS, f=50Hz, t= une minute.	2500	V. Le groupe

L'IGBT Caractéristiques T C = 25 o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C =100A,V Généralement générés = 15 V, T vj = 25 o C		3.00	3.45	V. Le groupe
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C =100A,V Généralement générés = 15 V, T vj = 125 o C		3.80		V. Le groupe
V. Le groupe Généralement générés (le )	Seuil d'émetteur de porte Tension	Je C = 4,0 le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , T vj = 25 o C	4.5	5.5	6.5	V. Le groupe
Je Le CES	Le collecteur Coupe -Éteint Actuel	V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, T vj = 25 o C			5.0	le nombre de
Je GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, T vj = 25 o C			400	nA
R Le gint	Résistance à la porte interne ance			1.0		oh
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V		6.50		nF
C rés	Transfert inverse Capacité			0.42		nF
Q: Le numéro G	Charge de la porte	V. Le groupe Généralement générés =-15…+15V		1.10		le taux de décharge
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C =100A, R G =9,1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, LS = 48 nH ,T vj = 25 o C		38		n.S.
t r	Il est temps de monter.			50		n.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			330		n.S.
t f	Temps d'automne			27		n.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			8.92		je suis désolé.
E. Je suis désolé. éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			2.06		je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C =100A, R G =9,1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, LS = 48 nH ,T vj = 125 o C		37		n.S.
t r	Il est temps de monter.			50		n.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			362		n.S.
t f	Temps d'automne			43		n.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			10.7		je suis désolé.
E. Je suis désolé. éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			3.69		je suis désolé.
Je SC	Données SC	t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V, T vj = 125 o C ,V. Le groupe CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V		650		Une

Diode Caractéristiques T C = 25 o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
V. Le groupe F	Diode vers l'avant Tension	Je F =100A,V Généralement générés =0V,T vj = 2 5o C		1.85	2.30	V. Le groupe
V. Le groupe F	Diode vers l'avant Tension	Je F =100A,V Généralement générés =0V,T vj = 125 o C		1.90		V. Le groupe
Q: Le numéro r	Charge récupérée	V. Le groupe R =600V,I F =100A, -di/dt=2245A/μs,V Généralement générés =-15V LS = 48 nH ,T vj = 25 o C		11.5		le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			101		Une
E. Je suis désolé. réc	Récupération Énergie			4.08		je suis désolé.
Q: Le numéro r	Charge récupérée	V. Le groupe R =600V,I F =100A, -di/dt=2352A/μs,V Généralement générés =-15V LS = 48 nH ,T vj = 125 o C		19.0		le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			120		Une
E. Je suis désolé. réc	Récupération Énergie			7.47		je suis désolé.

NTC Caractéristiques T C = 25 o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
R 25	Résistance nominale			5.0		kΩ
∆R/R	Déviation de R 100	T vj = 100 o C,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Puissance Dissipation				20.0	mW
B 25 à 50%	Valeur B	R 2= R 25exp [B 25 à 50% 1/T 2- je suis désolé.		3375		K
B 25/80	Valeur B	R 2= R 25exp [B 25/80 1/T 2- je suis désolé.		3411		K
B 25/100	Valeur B	R 2= R 25exp [B 25/100 1/T 2- je suis désolé.		3433		K

Module Caractéristiques T C = 25 o C à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
L CE	Inductivité de déplacement		21		nH
R CC+EE	Module de résistance au plomb, Terminal au chip		2.60		mΩ
R le CJJ	Réservoir -à -Cas (parIGBT ) Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi			0.162 0.401	Pour les produits de base
R thCH	Cas -à -Sink (parIGBT ) Pour les appareils de type "Sync" Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge doit être de 0,8 MPa. (voir le tableau ci-dessous)		0.051 0.125 0.009		Pour les produits de base
M	Le couple de montage Vire M6	3.0		6.0	N.m.
G	Poids de Module		300		g