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Modules de thyristor ((Type non isolé)

Modules de thyristor ((Type non isolé)

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MTG150,MTY150,Modules de thyristor ((type non isolé)),TECHSEM

800V~1800V,213F4

Brand:
TECHSEM
Spu:
MTG150/MTY150
Appurtenance:

Brochure produit :TÉLÉCHARGER

  • Introduction
  • Le schéma
  • Schéma de circuit équivalent
Introduction

Introduction brève

Modules de thyristor ((Type non isolé) ,MTG150 ,MTY150 ,produit par TECHSEM.

VRRM,VDRM

Type & Contour

800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V

MTx150-08-213F4 MTx150-10-213F4 MTx150-12-213F4 MTx150-14-213F4 MTx150-16-213F4 MTx150-18-213F4

MFx150-08-213F4 MFx150-10-213F4 MFx150-12-213F4 MFx150-14-213F4 MFx150-16-213F4 MFx150-18-213F4

MTx signifie tout type de type de MTG, MTY

MFx signifie tout type de type de MFG, MFY

Caractéristiques

  • Non isolé. Montage base comme terminal anode ou cathode
  • Technologie de contact sous pression avec Cycle de puissance accru capacité
  • Tension d'état conducteur faible rop

Applications Typiques

  • Alimentation de soudage
  • Différentes alimentations continues
  • Appareil de commande de courant continu pour le PWM inverse

Le symbole

Caractéristique

Conditions d'essai

Tj( )

Valeur

Unité

Min

Type

Max

Les États membres

Courant moyen en état passant

180demi-onde sinusoïdale de 50 Hz

Refroidi par un seul côté, TC=90

125

150

Une

RMS (en anglais seulement)

Courant de l'état actif RMS

236

Une

Idrm Irrm

Courant de crête répétitif

à VDRM à VRRM

125

12

le nombre de

ITSM

Courant de surtension en état passant

Les données de référence sont fournies par les autorités compétentes.

125

3.9

kA

I2t

I2t pour coordination de fusion

125

76

103Une 2s

VTO

Voltage de seuil

125

0.80

V. Le groupe

rT

Résistance de pente en état passant

1.74

VTM

Tension de pointe en état passant

Le débit de la commande est de 0,01 m3/h.

25

1.67

V. Le groupe

dv/dt

Taux critique d'augmentation de la tension de seuil

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Taux critique d'augmentation du courant en état actif

Source de porte 1.5A

tr ≤0.5μs Répétitif

125

100

A/μs

TIG

Courant de déclenchement de porte

VA=12V, IA=1A

25

30

100

le nombre de

Vgt

Tension de déclenchement de porte

0.8

2.5

V. Le groupe

Je suis

Courant de maintien

10

180

le nombre de

IL

Courant de verrouillage

1000

le nombre de

VGD

Tension de porte non déclenchée

VDM=67%VDRM

125

0.20

V. Le groupe

Rth(j-c)

Résistance thermique jonction à boîtier

À 180 ° sinusoïdal, Refroidi par un seul côté par puce

0.16

/W

Rth(c-h)

Résistance thermique du boîtier au dissipateur

À 180 ° sinusoïdal, Refroidi par un seul côté par puce

0.10

/W

FM

Couple de connexion des bornes (M6)

4.5

6.0

N m

Couple de montage (M6)

4.5

6.0

N m

Tvj

Température de jonction

-40

125

TSTG

Température de stockage

-40

125

Wt

Poids

280

g

Le schéma

213F4

Le schéma

Schéma de circuit équivalent

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