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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

Page d'accueil/Produits/Module IGBT/Module IGBT 1200V

GD400CLU120C2S, Module IGBT, Chopper en un seul package, STARPOWER

1200V 400A;Chopper dans un seul package

Brand:
Le système de régulation
Spu:
Les données de référence doivent être fournies conformément à la norme ISO 11000-1:2011.
  • Introduction
  • Le schéma
  • Schéma de circuit équivalent
Introduction

Présentation succincte

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 400A.

Caractéristiques

  • Technologie IGBT NPT
  • capacité de court-circuit de 10 μs
  • Faibles pertes de commutation
  • Robuste avec des performances ultra rapides
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Typique Applications

  • Alimentation en mode commutation
  • Chauffage par induction
  • Soudeuse électronique

- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T C=25o C à moins autrement noté

L'IGBT

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

IC

Courant collecteur @ T C=25o C

@ T C=60o C

505

400

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

800

A

PD

Puissance maximale Dissipation @ T j =150o C

2358

L

Diode

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

1200

V

IF

Diode à dérive continue le loyer

400

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

800

A

Module

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

150

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +125

o C

T GST

Température de stockage Autonomie

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

L'IGBT Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

IC= 400 A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

2.90

3.35

V

IC= 400 A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

3.60

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=4.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.0

5.8

6.6

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint

Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V,

T j =25o C

5.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

0.5

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz,

V Généralement générés =0V

26.2

nF

Crés

Transfert inverse

Capacité

1.68

nF

QG

Charge de la porte

V Généralement générés =- 15...+15V

4.18

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C= 400A, R G= 2,4Ω,

V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C

337

n.S.

t r

Il est temps de monter.

88

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

460

n.S.

t f

Temps d'automne

116

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement

Perte de

21.2

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

19.4

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C= 400A, R G= 2,4Ω,

V Généralement générés = ± 15 V, T j = 125o C

359

n.S.

t r

Il est temps de monter.

90

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

492

n.S.

t f

Temps d'automne

128

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement

Perte de

29.4

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

26.0

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V,

T j =125o C,V CC =900V, V MEC ≤1200V

2400

A

Diode Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant

Tension

IF = 400 A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

2.00

2.45

V

IF = 400 A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C

2.10

Qr

Charge récupérée

V CC =600V,I F = 400A,

-di/dt=2840A/μs,V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C

27.0

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

280

A

Eréc

Récupération Énergie

16.6

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V CC =600V,I F = 400A,

-di/dt=2840A/μs,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 125o C

46.0

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

380

A

Eréc

Récupération Énergie

30.0

je suis désolé.

Module Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R le CJJ

Les points de jonction (par IGB) T)

Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.053

0.103

Pour les produits de base

R thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne.

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 diode)

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.048

0.094

0.032

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Poids de Module

350

g

Le schéma

image(c3756b8d25).png

Schéma de circuit équivalent

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