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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

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GD800HFA120C6SD,Module IGBT,STARPOWER

1200V 800A Package:C6.1

Brand:
Le système de régulation
Spu:
GD800HFA120C6SD
  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

Introduction succincte

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 800A.

Caractéristiques

  • IGBT Trench à faible VCE(sat) T technologie
  • Capacité de court-circuit
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Maximum température de jonction 175o C
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce fWD antiparallèle
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Typique Applications

  • Véhicule hybride et électrique
  • Invertisseurs pour moteur
  • Énergie ininterrompue

- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T C =25o C à moins autrement noté

L'IGBT

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

E C

Courant collecteur @ T C =100o C

800

A

E Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

1600

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T vj =175o C

4687

L

Diode

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V

E F

Diode courant continu avant Cu rente

900

A

E FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

1800

A

E Le FSM

Courant de pointe p =10ms @ T vj =125o C @ T vj =175o C

2392

2448

A

E 2t

E 2t- valeur ,t p =10ms @ T vj =125o C @ T vj =175o C

28608

29964

A 2s

Module

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T vjmax

Température maximale de jonction

175

o C

T vjop

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

2500

V

L'IGBT Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

E C = 800 A, V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C

1.40

1.85

V

E C = 800 A, V Généralement générés = 15 V, T vj =125o C

1.60

E C = 800 A, V Généralement générés = 15 V, T vj =175o C

1.60

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

E C =24.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

E Le CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T vj =25o C

1.0

le nombre de

E GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance à la porte interne ance

0.5

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE =25V,f=100kHz, V Généralement générés =0V

28.4

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.15

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V Généralement générés =-15…+15V

2.05

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C = 800A, Barre G =0.5Ω, L S =40nH, V Généralement générés =-8V/+15V,

T vj =25o C

168

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

78

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

428

n.S.

t f

Temps d'automne

123

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

43.4

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

77.0

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C = 800A,

Barre G =0.5Ω, L S =40nH,

V Généralement générés =-8V/+15V,

T vj =125o C

172

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

84

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

502

n.S.

t f

Temps d'automne

206

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

86.3

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

99.1

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C = 800A,

Barre G =0.5Ω, L S =40nH,

V Généralement générés =-8V/+15V,

T vj =175o C

174

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

90

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

531

n.S.

t f

Temps d'automne

257

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

99.8

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

105

je suis désolé.

E SC

Données SC

t P ≤8μs, V Généralement générés = 15 V,

T vj =150o C,

V CC =800V, V MEC les autres

2600

A

t P ≤6μs, V Généralement générés = 15 V,

T vj =175o C,

V CC =800V, V MEC les autres

2500

A

Diode Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V F

Diode vers l'avant Tension

E F =900A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C

1.60

2.00

V

E F =900A,V Généralement générés =0V,T vj =125o C

1.60

E F =900A,V Généralement générés =0V,T vj =175o C

1.50

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F = 800A,

-di/dt=7778A/μs,V Généralement générés =-8V, L S =40nH ,T vj =25o C

47.7

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

400

A

E réc

Récupération Énergie

13.6

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F = 800A,

-di/dt=7017A/μs,V Généralement générés =-8V, L S =40nH ,T vj =125o C

82.7

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

401

A

E réc

Récupération Énergie

26.5

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F = 800A,

-di/dt=6380A/μs,V Généralement générés =-8V, L S =40nH ,T vj =175o C

110

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

413

A

E réc

Récupération Énergie

34.8

je suis désolé.

NTC Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Barre 25

Résistance nominale

5.0

∆R/R

Déviation de Barre 100

T C =100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/501/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/801/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/1001/T 2- je suis désolé.

3433

K

Module Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

20

nH

Barre CC+EE

Résistance au plomb du module, terminal à la puce

0.80

Barre le CJJ

Réservoir -à -Étude de cas (parIGBT ) Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

0.032

0.049

Pour les produits de base

Barre thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le système de chauffage doit être conforme aux normes de sécurité énoncées à l'annexe II. diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.030

0.046

0.009

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m.

G

Poids de Module

350

g

Le schéma

image(c537ef1333).png

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