GD800HFA120C6SD,Module IGBT,STARPOWER

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

IC

Courant collecteur @ T C=100o C

800

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

1600

A

PD

Puissance maximale Dissipation @ T vj =175o C

4687

L

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V

IF

Diode courant continu avant Cu rente

900

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

1800

A

ILe FSM

Courant de pointe p =10ms @ T vj =125o C @ T vj =175o C

2392

2448

A

I2t

I2t- valeur ,t p =10ms @ T vj =125o C@ T vj =175o C

28608

29964

A2s

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T vjmax

Température maximale de jonction

175

o C

T vjop

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

2500

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

IC= 800 A, V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C

1.40

1.85

V

IC= 800 A, V Généralement générés = 15 V, T vj =125o C

1.60

IC= 800 A, V Généralement générés = 15 V, T vj =175o C

1.60

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=24.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T vj =25o C

1.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

0.5

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE =25V,f=100kHz, V Généralement générés =0V

28.4

nF

Crés

Transfert inverse Capacité

0.15

nF

QG

Charge de la porte

V Généralement générés =-15…+15V

2.05

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C= 800A, R G=0.5Ω, L S =40nH, V Généralement générés =-8V/+15V,

T vj =25o C

168

n.S.

t r

Il est temps de monter.

78

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

428

n.S.

t f

Temps d'automne

123

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

43.4

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

77.0

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C= 800A,

R G=0.5Ω, L S =40nH,

V Généralement générés =-8V/+15V,

T vj =125o C

172

n.S.

t r

Il est temps de monter.

84

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

502

n.S.

t f

Temps d'automne

206

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

86.3

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

99.1

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C= 800A,

R G=0.5Ω, L S =40nH,

V Généralement générés =-8V/+15V,

T vj =175o C

174

n.S.

t r

Il est temps de monter.

90

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

531

n.S.

t f

Temps d'automne

257

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

99.8

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

105

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤8μs, V Généralement générés = 15 V,

T vj =150o C,

V CC =800V, V MEC ≤les autres

2600

A

t P≤6μs, V Généralement générés = 15 V,

T vj =175o C,

V CC =800V, V MEC ≤les autres

2500

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V F

Diode vers l'avant Tension

IF =900A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C

1.60

2.00

V

IF =900A,V Généralement générés =0V,T vj =125o C

1.60

IF =900A,V Généralement générés =0V,T vj =175o C

1.50

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=7778A/μs,V Généralement générés =-8V, LS =40nH ,T vj =25o C

47.7

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

400

A

Eréc

Récupération Énergie

13.6

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=7017A/μs,V Généralement générés =-8V, LS =40nH ,T vj =125o C

82.7

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

401

A

Eréc

Récupération Énergie

26.5

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F = 800A,

-di/dt=6380A/μs,V Généralement générés =-8V, LS =40nH ,T vj =175o C

110

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

413

A

Eréc

Récupération Énergie

34.8

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Déviation de R 100

T C=100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/501/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/801/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/1001/T 2- je suis désolé.

3433

K