GD200TLQ120L3S, Module IGBT, 3-niveaux, STARPOWER

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25 o C

@ T C = 100o C

339

200

A

Je Cm

Courant collecteur pulsé t p = 1 ms

400

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o C

1456

Le

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

1200

V. Le groupe

Je F

Diode à dérive continue le loyer

75

A

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t p = 1 ms

150

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

650

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25 o C

@ T C =95 o C

158

100

A

Je Cm

Courant collecteur pulsé t p = 1 ms

200

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o C

441

Le

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

650

V. Le groupe

Je F

Diode à dérive continue le loyer

100

A

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t p = 1 ms

200

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Température de stockage Autonomie

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V. Le groupe

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

Je C = 100A,V Généralement générés = 15 V, T j = 25 o C

1.40

1.85

V. Le groupe

Je C = 100A,V Généralement générés = 15 V, T j = 125 o C

1.65

Je C = 100A,V Généralement générés = 15 V, T j = 150 o C

1.70

V. Le groupe Généralement générés (le )

Seuil d'émetteur de porte Tension

Je C =5.0 le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , T j = 25 o C

5.2

6.0

6.8

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint

Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V,

T j = 25 o C

1.0

le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

3.8

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz,

V. Le groupe Généralement générés =0V

20.7

nF

C rés

Transfert inverse

Capacité

0.58

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés je suis désolé. 15...+15V

1.56

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =400V,I C = 100A, R G = 1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 25 o C

142

n.S.

t r

Il est temps de monter.

25

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

352

n.S.

t f

Temps d'automne

33

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

1.21

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

3.90

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =400V,I C = 100A, R G = 1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 125o C

155

n.S.

t r

Il est temps de monter.

29

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

440

n.S.

t f

Temps d'automne

61

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

2.02

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

5.83

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =400V,I C = 100A, R G = 1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 150o C

161

n.S.

t r

Il est temps de monter.

30

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

462

n.S.

t f

Temps d'automne

66

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

2.24

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

6.49

je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V,

T j = 150 o C,V CC =800V, V. Le groupe MEC ≤1200V

800

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant

Tension

Je F =75A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C

1.70

2.15

V. Le groupe

Je F =75A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C

1.65

Je F =75A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C

1.65

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 25 o C

8.7

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

122

A

E réc

Récupération Énergie

2.91

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 125o C

17.2

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

143

A

E réc

Récupération Énergie

5.72

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 150o C

19.4

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

152

A

E réc

Récupération Énergie

6.30

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

Je C = 100A,V Généralement générés = 15 V, T j = 25 o C

1.45

1.90

V. Le groupe

Je C = 100A,V Généralement générés = 15 V, T j = 125 o C

1.60

Je C = 100A,V Généralement générés = 15 V, T j = 150 o C

1.70

V. Le groupe Généralement générés (le )

Seuil d'émetteur de porte Tension

Je C = 1,60mA,V CE =V Généralement générés , T j = 25 o C

5.0

5.8

6.5

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint

Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V,

T j = 25 o C

1.0

le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

2.0

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz,

V. Le groupe Généralement générés =0V

11.6

nF

C rés

Transfert inverse

Capacité

0.23

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés je suis désolé. 15...+15V

0.69

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =400V,I C = 100A, R G = 3,3Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 25 o C

44

n.S.

t r

Il est temps de monter.

20

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

200

n.S.

t f

Temps d'automne

28

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

1.48

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

2.48

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =400V,I C = 100A, R G = 3,3Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 125o C

48

n.S.

t r

Il est temps de monter.

24

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

216

n.S.

t f

Temps d'automne

40

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

2.24

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

3.28

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =400V,I C = 100A, R G = 3,3Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 150o C

52

n.S.

t r

Il est temps de monter.

24

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

224

n.S.

t f

Temps d'automne

48

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

2.64

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

3.68

je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤6μs,V Généralement générés = 15 V,

T j = 150 o C,V CC = 360 V, V. Le groupe MEC ≤ 650 V

500

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant

Tension

Je F = 100A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C

1.55

2.00

V. Le groupe

Je F = 100A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C

1.50

Je F = 100A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C

1.45

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 25 o C

3.57

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

99

A

E réc

Récupération Énergie

1.04

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 125o C

6.49

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

110

A

E réc

Récupération Énergie

1.70

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 150o C

7.04

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

110

A

E réc

Récupération Énergie

1.81

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

δR/R

Déviation de R 100

T C = 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25 à 50%

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25 à 50% 1/T 2-

je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/80 1/T 2-

je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/100 1/T 2-

je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R le CJJ

Les points de contact sont les points de contact les plus proches de la surface de l'appareil. T4 IGBT)

Junction-to-Case (par D1,D4 Dio de)

Junction-to-Case (par T2, T3 IGBT)

Junction-to-Case (par D2,D3 Dio de)

0.094

0.405

0.309

0.544

0.103

0.446

0.340

0.598

Pour les produits de base

R thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. T1,T4 IGBT)

Case-to-Heatsink (par D1,D4 Diode)

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. T2,T3 IGBT)

Case-to-Heatsink (par D2,D3 Diode)

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.126

0.547

0.417

0.733

0.037

Pour les produits de base

F

Force de serrage par pince

40

80

N

G

Poids de Module

39

g