GD200TLQ120L3S, Module IGBT, 3-niveaux, STARPOWER

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

E C

Courant collecteur @ T C =25o C

@ T C = 100o C

339

200

A

E Cm

Courant collecteur pulsé t p = 1 ms

400

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C

1456

L

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

1200

V

E F

Diode à dérive continue le loyer

75

A

E FM

Courant Avant Maximum du Diode t p = 1 ms

150

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

650

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

E C

Courant collecteur @ T C =25o C

@ T C =95o C

158

100

A

E Cm

Courant collecteur pulsé t p = 1 ms

200

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C

441

L

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

650

V

E F

Diode à dérive continue le loyer

100

A

E FM

Courant Avant Maximum du Diode t p = 1 ms

200

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Température de stockage Autonomie

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

E C = 100A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.40

1.85

V

E C = 100A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

1.65

E C = 100A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

1.70

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

E C =5.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

E Le CES

Le collecteur Découpé -Éteint

Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V,

T j =25o C

1.0

le nombre de

E GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance à la porte interne ance

3.8

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz,

V Généralement générés =0V

20.7

nF

C rés

Transfert inverse

Capacité

0.58

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V Généralement générés =- 15...+15V

1.56

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =400V,I C = 100A, Barre G = 1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C

142

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

25

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

352

n.S.

t f

Temps d'automne

33

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

1.21

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

3.90

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =400V,I C = 100A, Barre G = 1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 125o C

155

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

29

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

440

n.S.

t f

Temps d'automne

61

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

2.02

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

5.83

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =400V,I C = 100A, Barre G = 1. 1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 150o C

161

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

30

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

462

n.S.

t f

Temps d'automne

66

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

2.24

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

6.49

je suis désolé.

E SC

Données SC

t P ≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC =800V, V MEC ≤1200V

800

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant

Tension

E F =75A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.70

2.15

V

E F =75A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C

1.65

E F =75A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C

1.65

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V Généralement générés =- 15V T j =25o C

8.7

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

122

A

E réc

Récupération Énergie

2.91

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V Généralement générés =- 15V T j = 125o C

17.2

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

143

A

E réc

Récupération Énergie

5.72

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V Généralement générés =- 15V T j = 150o C

19.4

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

152

A

E réc

Récupération Énergie

6.30

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

E C = 100A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.45

1.90

V

E C = 100A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

1.60

E C = 100A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

1.70

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

E C = 1,60mA,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.0

5.8

6.5

V

E Le CES

Le collecteur Découpé -Éteint

Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V,

T j =25o C

1.0

le nombre de

E GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance à la porte interne ance

2.0

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz,

V Généralement générés =0V

11.6

nF

C rés

Transfert inverse

Capacité

0.23

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V Généralement générés =- 15...+15V

0.69

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =400V,I C = 100A, Barre G = 3,3Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C

44

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

20

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

200

n.S.

t f

Temps d'automne

28

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

1.48

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

2.48

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =400V,I C = 100A, Barre G = 3,3Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 125o C

48

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

24

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

216

n.S.

t f

Temps d'automne

40

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

2.24

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

3.28

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =400V,I C = 100A, Barre G = 3,3Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 150o C

52

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

24

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

224

n.S.

t f

Temps d'automne

48

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

2.64

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

3.68

je suis désolé.

E SC

Données SC

t P ≤6μs,V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC = 360 V, V MEC ≤ 650 V

500

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant

Tension

E F = 100A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.55

2.00

V

E F = 100A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C

1.50

E F = 100A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C

1.45

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V Généralement générés =- 15V T j =25o C

3.57

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

99

A

E réc

Récupération Énergie

1.04

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V Généralement générés =- 15V T j = 125o C

6.49

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

110

A

E réc

Récupération Énergie

1.70

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V Généralement générés =- 15V T j = 150o C

7.04

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

110

A

E réc

Récupération Énergie

1.81

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Barre 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

δR/R

Déviation de Barre 100

T C = 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/501/T 2-

je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/801/T 2-

je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/1001/T 2-

je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Barre le CJJ

Les points de contact sont les points de contact les plus proches de la surface de l'appareil. T4 IGBT)

Junction-to-Case (par D1,D4 Dio de)

Junction-to-Case (par T2, T3 IGBT)

Junction-to-Case (par D2,D3 Dio de)

0.094

0.405

0.309

0.544

0.103

0.446

0.340

0.598

Pour les produits de base

Barre thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. T1,T4 IGBT)

Case-to-Heatsink (par D1,D4 Diode)

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. T2,T3 IGBT)

Case-to-Heatsink (par D2,D3 Diode)

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.126

0.547

0.417

0.733

0.037

Pour les produits de base

F

Force de serrage par pince

40

80

N

G

Poids de Module

39

g