GD600HFX170C6S,Module IGBT,STARPOWER

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1700

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

IC

Le collecteur Actuel @ T C=25o C

@ T C= 100o C

1069

600

A

ICm

Impulsé Le collecteur Actuel t p =1ms

1200

A

PD

Maximum Puissance Dissipation @ T j =175o C

4166

L

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

1700

V

IF

Diode à courant continu vers l'avant

600

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

1200

A

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction nature

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Isolement Tension RMS ,f=50 Hz , t=1 mIN

4000

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (assis )

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

IC=600A, V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=600A, V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

2.25

IC=600A, V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

2.35

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC= 12.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés ,T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ILe CES

Coupe du collecteur

Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V,

T j =25o C

5.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V,

T j =25o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

1.1

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz ,

V Généralement générés =0V

72.3

nF

Crés

Transfert inverse

Capacité

1.75

nF

QG

Charge de la porte

V Généralement générés =- 15...+15V

5.66

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =900V, IC=600A, R G= 1.0Ω, V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C

160

n.S.

t r

Il est temps de monter.

67

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

527

n.S.

t f

Temps d'automne

138

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement

Perte de

154

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

132

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =900V, IC=600A, R G= 1.0Ω, V Généralement générés = ± 15 V, T j = 125o C

168

n.S.

t r

Il est temps de monter.

80

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

585

n.S.

t f

Temps d'automne

168

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement

Perte de

236

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

189

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =900V, IC=600A, R G= 1.0Ω, V Généralement générés = ± 15 V, T j = 150o C

192

n.S.

t r

Il est temps de monter.

80

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

624

n.S.

t f

Temps d'automne

198

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement

Perte de

259

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

195

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC = un débit de tension de 1000 V, V MEC ≤ 1700V

2400

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V F

Diode vers l'avant

Tension

IF =600A, V Généralement générés =0V, T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =600A, V Généralement générés =0V, T j = 125o C

1.90

IF =600A, V Généralement générés =0V, T j = 150o C

1.95

Qr

Charge récupérée

V R =900V, IF =600A,

-di /dt =6700A/μs, V Généralement générés =- 15V T j =25o C

153

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

592

A

Eréc

Récupération Énergie

76.5

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R =900V, IF =600A,

-di /dt =6700A/μs, V Généralement générés =- 15V T j =125o C

275

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

673

A

Eréc

Récupération Énergie

150

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R =900V, IF =600A,

-di /dt =6700A/μs, V Généralement générés =- 15V T j =150o C

299

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

690

A

Eréc

Récupération Énergie

173

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

δR/R

Déviation de R 100

T C= 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

Je suis désolé. valeur

R 2= R 25exp [B 25/501/T 2-

je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Je suis désolé. valeur

R 2= R 25exp [B 25/801/T 2-

je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Je suis désolé. valeur

R 2= R 25exp [B 25/1001/T 2-

je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

LCE

Inductivité de déplacement

20

nH

R CC ’+EE ’

Résistance au plomb du module, borne à Chip

1.10

mΩ

R le CJJ

Réservoir -à -Boîtier (par L'IGBT )

Réservoir -à -Boîtier (par Diode )

0.036

0.073

Pour les produits de base

R thCH

Boîtier -à -Disjoncteur (par L'IGBT )

Boîtier -à -Disjoncteur (par Diode )

Pour les appareils de traitement de la chaleur, le système de chauffage doit être équipé d'un système de chauffage de type "H" (exemple:

0.027

0.055

0.009

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vis M6 Montage Couple , Vis M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m.

G

POIDS DE Module

350

g