GD600HFX170C6S,Module IGBT,STARPOWER

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1700

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Le collecteur Actuel @ T C = 25 o C

@ T C = 100o C

1069

600

A

Je Cm

Impulsé Le collecteur Actuel t p =1 mS

1200

A

P D

Le montant maximal Puissance Dissipation @ T j = 175 o C

4166

Le

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

1700

V. Le groupe

Je F

Diode à courant continu vers l'avant

600

A

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

1200

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction nature

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Isolement Tension RMS ,f=50 HZ , t=1 min

4000

V. Le groupe

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe CE (assis )

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

Je C =600A, V. Le groupe Généralement générés = 15 V, T j = 25 o C

1.85

2.20

V. Le groupe

Je C =600A, V. Le groupe Généralement générés = 15 V, T j = 125 o C

2.25

Je C =600A, V. Le groupe Généralement générés = 15 V, T j = 150 o C

2.35

V. Le groupe Généralement générés (le )

Seuil d'émetteur de porte Tension

Je C = 12.0le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés ,T j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V. Le groupe

Je Le CES

Coupe du collecteur

Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V,

T j = 25 o C

5.0

le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V,

T j = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

1.1

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz ,

V. Le groupe Généralement générés =0V

72.3

nF

C rés

Transfert inverse

Capacité

1.75

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés je suis désolé. 15...+15V

5.66

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =900V, Je C =600A, R G = 1.0Ω, V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, T j = 25 o C

160

n.S.

t r

Il est temps de monter.

67

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

527

n.S.

t f

Temps d'automne

138

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

154

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

132

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =900V, Je C =600A, R G = 1.0Ω, V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, T j = 125o C

168

n.S.

t r

Il est temps de monter.

80

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

585

n.S.

t f

Temps d'automne

168

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

236

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

189

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =900V, Je C =600A, R G = 1.0Ω, V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, T j = 150o C

192

n.S.

t r

Il est temps de monter.

80

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

624

n.S.

t f

Temps d'automne

198

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

259

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

195

je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

T j = 150 o C ,V. Le groupe CC = un débit de tension de 1000 V, V. Le groupe MEC ≤ 1700V

2400

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe F

Diode vers l'avant

Tension

Je F =600A, V. Le groupe Généralement générés =0V, T j = 25 o C

1.80

2.25

V. Le groupe

Je F =600A, V. Le groupe Généralement générés =0V, T j = 125o C

1.90

Je F =600A, V. Le groupe Généralement générés =0V, T j = 150o C

1.95

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =900V, Je F =600A,

-di /dt =6700A/μs, V. Le groupe Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 25 o C

153

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

592

A

E réc

Récupération Énergie

76.5

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =900V, Je F =600A,

-di /dt =6700A/μs, V. Le groupe Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 125 o C

275

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

673

A

E réc

Récupération Énergie

150

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =900V, Je F =600A,

-di /dt =6700A/μs, V. Le groupe Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 150 o C

299

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

690

A

E réc

Récupération Énergie

173

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

δR/R

Déviation de R 100

T C = 100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25 à 50%

Je suis désolé. valeur

R 2= R 25exp [B 25 à 50% 1/T 2-

je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Je suis désolé. valeur

R 2= R 25exp [B 25/80 1/T 2-

je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Je suis désolé. valeur

R 2= R 25exp [B 25/100 1/T 2-

je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

20

nH

R CC + EE ’

Résistance au plomb du module, borne à Chip

1.10

mΩ

R le CJJ

Réservoir -à -Étude de cas (par L'IGBT )

Réservoir -à -Étude de cas (par Diode )

0.036

0.073

Pour les produits de base

R thCH

Étude de cas -à -Disjoncteur (par L'IGBT )

Étude de cas -à -Disjoncteur (par Diode )

Pour les appareils de traitement de la chaleur, le système de chauffage doit être équipé d'un système de chauffage de type "H" (exemple:

0.027

0.055

0.009

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vis M6 Montage Couple , Vis M 5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m.

G

Poids de Module

350

g