GD100PFX170C6SG, Module IGBT, STARPOWER

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1700

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

IC

Courant collecteur @ T C=25o C @ T C=100o C

161

100

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

200

A

PD

Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C

592

L

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1700

V

IF

Diode courant continu avant Cu rente

100

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

200

A

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1800

V

IO

Courant de sortie moyen 5 0Hz/60Hz, onde sinusoïdale

100

A

ILe FSM

Courant de pointe p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

1600

1400

A

I2t

I2t-valeur,t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

13000

9800

A2s

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de la jonction (inversor) Température maximale de la jonction (redresseur)

175

150

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

4000

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

IC=100A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=100A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

2.25

IC=100A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

2.35

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=4.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C

5.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

7.5

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V

12.0

nF

Crés

Transfert inverse Capacité

0.29

nF

QG

Charge de la porte

V Généralement générés =-15 ... + 15V

0.94

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C=100A, R G= 4,7Ω,V Généralement générés = ± 15 V, LS =46nH ,T j =25o C

257

n.S.

t r

Il est temps de monter.

47

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

377

n.S.

t f

Temps d'automne

382

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

24.6

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

16.7

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C=100A, R G= 4,7Ω,V Généralement générés = ± 15 V, LS =46nH, T j =125o C

284

n.S.

t r

Il est temps de monter.

56

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

444

n.S.

t f

Temps d'automne

555

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

34.9

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

23.1

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C=100A, R G= 4,7Ω,V Généralement générés = ± 15 V, LS =46nH, T j =150o C

286

n.S.

t r

Il est temps de monter.

60

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

465

n.S.

t f

Temps d'automne

636

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

38.0

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

26.1

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC =1000V, V MEC ≤ 1700V

400

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

IF =100A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =100A,V Généralement générés =0V,T j =125o C

1.90

IF =100A,V Généralement générés =0V,T j =150o C

1.95

Qr

Charge récupérée

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1590A/μs,V Généralement générés =-15V LS =46nH ,T j =25o C

13.3

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

107

A

Eréc

Récupération Énergie

8.79

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1300A/μs,V Généralement générés =-15V LS =46nH, T j =125o C

25.0

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

111

A

Eréc

Récupération Énergie

18.6

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1230A/μs,V Généralement générés =-15V LS =46nH, T j =150o C

28.0

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

112

A

Eréc

Récupération Énergie

20.4

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

IC=100A, T j =150o C

0.85

V

IR

Courant inverse

T j =150o C,V R =1800V

3.0

le nombre de

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Déviation de R 100

T C=100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/501/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/801/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/1001/T 2- je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R le CJJ

Réservoir -à -Boîtier (parIGBT -invertisseur ) Jonction-à-Boîtier (par DIODE-onduleur er) Junction-to-Case (par Diode-rectif ieur)

0.253 0.424 0.289

Pour les produits de base

R thCH

Boîtier -à -Disjoncteur (parIGBT -invertisseur )Case-to-Heatsink (par Diode-i nverseur) Case-to-Heatsink (par Diode-re ctifieur) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.105 0.176 0.120 0.009

Pour les produits de base

M

Le couple de montage Pour les appareils de type à moteur

3.0

6.0

N.m.

G

Poids de Module

300

g