Introduction succincte
Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 200A. Je suis désolé.
Caractéristiques
- Technologie IGBT NPT
- capacité de court-circuit de 10 μs
- Faibles pertes de commutation
- Robuste avec des performances ultra rapides
- VCE (sat) avec coefficient de température positif
- Cas à faible inductance
- Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
- Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC
Applications Typiques
- Les sources d'alimentation en mode commutateur
- Chauffage par induction
- Soudeuse électronique
- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T C =25℃ à moins autrement noté
Le symbole |
Description |
GD200SGU120C2S |
Unités |
V Le CES |
Voltage du collecteur-émetteur |
1200 |
V |
V GES |
Voltage de l'émetteur de la porte |
±20 |
V |
E C |
Courant Collecteur @ T C =25℃
@ T C =80℃
|
320
200
|
A |
E Cm |
Courant collecteur pulsé t p =1ms |
400 |
A |
E F |
Courant continu de diode en avant @ T C =80℃ |
200 |
A |
E FM |
Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms |
400 |
A |
P D |
Puissance maximale Dissipation @ T j =150℃ |
1645 |
L |
T jmax |
Température maximale de jonction |
150 |
℃ |
T GST |
Température de stockage Autonomie |
-40 à +125 |
℃ |
V ISO |
Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min |
4000 |
V |
Montage Couple |
Terminal de signal Vis:M4 |
1.1 à 2.0 |
|
Écrou de borne de puissance:M6 |
2,5 à 5.0 |
N.m. |
Vis de montage:M6 |
3.0 à 5.0 |
|
Électrique Caractéristiques de L'IGBT T C =25℃ à moins autrement noté
Caractéristiques hors
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
V (BR )Le CES |
Collecteur-Émetteur
Tension de rupture
|
T j =25℃ |
1200 |
|
|
V |
E Le CES |
Le collecteur Découpé -Éteint
Actuel
|
V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25℃ |
|
|
5.0 |
le nombre de |
E GES |
Fuite de l'émetteur de la porte Actuel |
V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25℃ |
|
|
400 |
nA |
Caractéristiques à l'état passant
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
V Généralement générés (th) |
Seuil d'émetteur de porte Tension |
E C =2.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25℃ |
4.4 |
4.9 |
6.0 |
V |
|
V CE (sat)
|
Collecteur à émetteur
Voltage de saturation
|
E C =200A,V Généralement générés = 15 V, T j =25℃ |
|
3.10 |
3.55 |
V
|
E C =200A,V Généralement générés = 15 V, T j =125℃ |
|
3.45 |
|
Caractéristiques de commutation
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
t d (sur ) |
Temps de retard d'activation |
V CC =600V,I C =200A, Barre G = 4,7Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =25℃
|
|
577 |
|
n.S. |
t barre |
Il est temps de monter. |
|
120 |
|
n.S. |
t d (éteint ) |
Débranchement Temps de retard |
|
540 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
123 |
|
n.S. |
E sur |
On le met en marche Le changement Perte de |
|
16.3 |
|
je suis désolé. |
E éteint |
Commutateur d'arrêt Perte de |
|
12.0 |
|
je suis désolé. |
t d (sur ) |
Temps de retard d'activation |
V CC =600V,I C =200A, Barre G = 4,7Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =125℃
|
|
609 |
|
n.S. |
t barre |
Il est temps de monter. |
|
121 |
|
n.S. |
t d (éteint ) |
Débranchement Temps de retard |
|
574 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
132 |
|
n.S. |
E sur |
On le met en marche Le changement Perte de |
|
22.0 |
|
je suis désolé. |
E éteint |
Commutateur d'arrêt Perte de |
|
16.2 |
|
je suis désolé. |
C - Je vous en prie. |
Capacité d'entrée |
V CE = 30V, f=1MHz,
V Généralement générés =0V
|
|
16.9 |
|
nF |
C oes |
Capacité de sortie |
|
1.51 |
|
nF |
C rés |
Transfert inverse
Capacité
|
|
0.61 |
|
nF |
|
E SC
|
Données SC
|
t P ≤ 10 μs,V Généralement générés =15 V,
T j =125℃,V CC =900V, V MEC ≤1200V
|
|
1800
|
|
A
|
L CE |
Inductivité de déplacement |
|
|
|
20 |
nH |
|
Barre CC+EE
|
Conducteur de module
La résistance,
Terminal au chip
|
|
|
0.18
|
|
mΩ
|
Électrique Caractéristiques de Diode T C =25℃ à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
V F |
Diode vers l'avant
Tension
|
E F =200A |
T j =25℃ |
|
1.82 |
2.25 |
V |
T j =125℃ |
|
1.92 |
|
Q: Le numéro barre |
Récupéré
Charge
|
E F =200A,
V Barre =600V,
Barre G = 4,7Ω,
V Généralement générés =-15V
|
T j =25℃ |
|
13.1 |
|
le taux de décharge |
T j =125℃ |
|
26.1 |
|
E RM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
T j =25℃ |
|
123 |
|
A |
T j =125℃ |
|
172 |
|
E réc |
Récupération Énergie |
T j =25℃ |
|
7.0 |
|
je suis désolé. |
T j =125℃ |
|
12.9 |
|
Caractéristique thermique ics
Le symbole |
Paramètre |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
Barre θ JC |
Les points de jonction (par IGB) T) |
|
0.076 |
Pour les produits de base |
Barre θ JC |
Les points de contact entre les deux cas (par D) Iode) |
|
0.128 |
Pour les produits de base |
Barre θ CS |
Boîtier à dissipateur (application de graisse conductrice faite) |
0.035 |
|
Pour les produits de base |
Poids |
Poids Module |
300 |
|
g |
EN
