MTx800 MFx800 MT800,Modules Thyristor/Diode,Circulation d'eau

Introduction

Introduction brève

Module de thyristor/diode e, MTx800 MFx800 MT800 ,8 00Une ,Refroidissement par eau ，produit par TECHSEM.

Introduction brève

Module de thyristor/diode e, MTx 800 Le montant de la dette 800 MT 800，800Une ,Refroidissement par eau ，produit par TECHSEM.

VDRM VRRM,	Type & Contour
800V	MT2 émission de gaz	Les données de référence doivent être fournies conformément à la norme ISO 11992-2.
1000V	MT3 système de gestion des déchets	Les données de référence doivent être fournies conformément à la norme ISO 11000-1:2011.
les autres	MT3 système de gestion des déchets	Les données de référence doivent être fournies conformément à la norme ISO/IEC 17041.
1400V	MT3 système de gestion des ressources	Les données de référence doivent être fournies conformément à la norme ISO/IEC 17041.
1600V	MT3 émission de gaz	Les données de référence doivent être fournies conformément à la norme ISO/IEC 17041.
1800V	MT3 système de gestion des déchets	Les données de référence doivent être fournies conformément à la norme ISO 11992-2.
1800V	MT4A3B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4

MTx signifie tout type de MTC, MTA , MTK

MFx signifie tout type de MFC, MFA, RFC

Caractéristiques

Base de montage isolée 3000V~
Technologie de contact sous pression avec
Capacité de cyclage de puissance accrue
Économie d'espace et de poids

Applications Typiques

Moteurs à courant alternatif
Divers redresseurs
Appareil de commande de courant continu pour le PWM inverse

Le symbole	Caractéristique	Conditions d'essai	Tj(℃)	Valeur			Unité
Le symbole	Caractéristique	Conditions d'essai	Tj(℃)	Min	Type	Max	Unité
Les États membres	Courant moyen en état passant	180。demi-onde sinusoïdale 50 Hz, refroidie d'un côté, Tc=55°C	125			800	Une
RMS (en anglais seulement)	Courant de l'état actif RMS	180° demi-onde sinusoïdale de 50 Hz	125			1256	Une
Idrm Irrm	Courant de crête répétitif	à VDRM à VRRM	125			120	le nombre de
ITSM	Courant de surtension en état passant	10 ms demi-onde sinusoïdale, VR = 0V	125			16	kA
I2t	I2t pour coordination de fusion	10 ms demi-onde sinusoïdale, VR = 0V	125			1280	Une ²s* 10 ³
VTO	Voltage de seuil		135			0.80	V. Le groupe
rT	Résistance de pente en état passant		135			0.26	mΩ
VTM	Tension de pointe en état passant	Le débit de la commande est de 1500 A.	25			1.45	V. Le groupe
dv/dt	Taux critique d'augmentation de la tension de seuil	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Taux critique d'augmentation du courant en état actif	Source de porte 1.5A tr ≤0.5μs Répétitif	125			200	A/μs
tgd	Temps de retard contrôlé par la porte	IG= 1A dig/dt= 1A/μs	25			4	μs
tq	Temps d'extinction commuté par circuit	Les données de l'échantillon doivent être conservées dans un système de mesure de l'énergie.	125		250		μs
TIG	Courant de déclenchement de porte	VA= 12V, IA= 1A	25	30		250	le nombre de
Vgt	Tension de déclenchement de porte			0.8		3.0	V. Le groupe
Je suis	Courant de maintien			10		300	le nombre de
IL	Courant de verrouillage	L'émission de CO2 est calculée en fonction de la fréquence de la chaleur.	25			1500	le nombre de
VGD	Tension de porte non déclenchée	VDM=67%VDRM	125			0.25	V. Le groupe
DIG	Courant de sortie non déclencheur	VDM=67%VDRM	125			5	le nombre de
Rth(j-c)	Résistance thermique jonction à boîtier	Refroidi par un seul côté par puce				0.065	°C/W
Rth(c-h)	Résistance thermique du boîtier au dissipateur	Refroidi par un seul côté par puce				0.020	°C/W
VISO	Tension d'isolement	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		3000			V. Le groupe
FM	Couple de connexion des bornes (M10)			10.0		12.0	N m
FM	Couple de montage (M6)			4.5		6.0	N m
Tvj	Température de jonction			-40		125	℃
TSTG	Température de stockage			-40		125	℃
Wt	Poids				2100		g
Le schéma	414S3