Introduction brève
Module de thyristor/diode e, MTx800 MFx800 MT800 ,8 00A ,Refroidissement par eau ，produit par TECHSEM.
Introduction brève
Module de thyristor/diode e, MTx 800 Le montant de la dette 800 MT 800，800A ,Refroidissement par eau ，produit par TECHSEM.
VDRM VRRM, |
Type & Contour |
800V |
MT2 émission de gaz |
Les données de référence doivent être fournies conformément à la norme ISO 11992-2. |
1000V |
MT3 système de gestion des déchets |
Les données de référence doivent être fournies conformément à la norme ISO 11000-1:2011. |
les autres |
MT3 système de gestion des déchets |
Les données de référence doivent être fournies conformément à la norme ISO/IEC 17041. |
1400V |
MT3 système de gestion des ressources |
Les données de référence doivent être fournies conformément à la norme ISO/IEC 17041. |
1600V |
MT3 émission de gaz |
Les données de référence doivent être fournies conformément à la norme ISO/IEC 17041. |
1800V |
MT3 système de gestion des déchets |
Les données de référence doivent être fournies conformément à la norme ISO 11992-2. |
1800V |
MT4A3B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4B4 |
|
MTx signifie tout type de MTC, MTA , MTK
MFx signifie tout type de MFC, MFA, RFC
Caractéristiques
- Base de montage isolée 3000V~
- Technologie de contact sous pression avec
- Capacité de cyclage de puissance accrue
- Économie d'espace et de poids
Applications Typiques
- Moteurs à courant alternatif
- Divers redresseurs
- Appareil de commande de courant continu pour le PWM inverse
|
Le symbole
|
Caractéristique
|
Conditions d'essai
|
Tj(℃) |
Valeur |
Unité
|
Min |
Type |
Max |
Les États membres |
Courant moyen en état passant |
180。demi-onde sinusoïdale 50 Hz, refroidie d'un côté, Tc=55°C |
125
|
|
|
800 |
A |
RMS (en anglais seulement) |
Courant de l'état actif RMS |
180° demi-onde sinusoïdale de 50 Hz |
|
|
1256 |
A |
Idrm Irrm |
Courant de crête répétitif |
à VDRM à VRRM |
125 |
|
|
120 |
le nombre de |
ITSM |
Courant de surtension en état passant |
10 ms demi-onde sinusoïdale, VR = 0V |
125
|
|
|
16 |
kA |
I2t |
I2t pour coordination de fusion |
|
|
1280 |
A 2s* 10 3 |
VTO |
Voltage de seuil |
|
135
|
|
|
0.80 |
V. Le groupe |
rT |
Résistance de pente en état passant |
|
|
0.26 |
mΩ |
VTM |
Tension de pointe en état passant |
Le débit de la commande est de 1500 A. |
25 |
|
|
1.45 |
V. Le groupe |
dv/dt |
Taux critique d'augmentation de la tension de seuil |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Taux critique d'augmentation du courant en état actif |
Source de porte 1.5A
tr ≤0.5μs Répétitif
|
125 |
|
|
200 |
A/μs |
tgd |
Temps de retard contrôlé par la porte |
IG= 1A dig/dt= 1A/μs |
25 |
|
|
4 |
μs |
tq |
Temps d'extinction commuté par circuit |
Les données de l'échantillon doivent être conservées dans un système de mesure de l'énergie. |
125 |
|
250 |
|
μs |
TIG |
Courant de déclenchement de porte |
VA= 12V, IA= 1A
|
25
|
30 |
|
250 |
le nombre de |
Vgt |
Tension de déclenchement de porte |
0.8 |
|
3.0 |
V. Le groupe |
Je suis |
Courant de maintien |
10 |
|
300 |
le nombre de |
IL |
Courant de verrouillage |
L'émission de CO2 est calculée en fonction de la fréquence de la chaleur. |
25 |
|
|
1500 |
le nombre de |
VGD |
Tension de porte non déclenchée |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.25 |
V. Le groupe |
DIG |
Courant de sortie non déclencheur |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
5 |
le nombre de |
Rth(j-c) |
Résistance thermique jonction à boîtier |
Refroidi par un seul côté par puce |
|
|
|
0.065 |
°C/W |
Rth(c-h) |
Résistance thermique du boîtier au dissipateur |
Refroidi par un seul côté par puce |
|
|
|
0.020 |
°C/W |
VISO |
Tension d'isolement |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V. Le groupe |
|
FM
|
Couple de connexion des bornes (M10) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
N m |
Couple de montage (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N m |
Tvj |
Température de jonction |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
TSTG |
Température de stockage |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Poids |
|
|
|
2100 |
|
g |
Le schéma |
414S3 |
EN
