GD200HFU120C2S, Module IGBT, STARPOWER

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25 o C

@ T C =65 o C

262

200

A

Je Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

400

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T = 150 o C

1315

Le

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

1200

V. Le groupe

Je F

Diode à dérive continue le loyer

200

A

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

400

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

150

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +125

o C

T GST

Température de stockage Autonomie

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V. Le groupe

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

Je C =200A,V Généralement générés = 15 V, T j = 25 o C

3.00

3.45

V. Le groupe

Je C =200A,V Généralement générés = 15 V, T j = 125 o C

3.80

V. Le groupe Généralement générés (le )

Seuil d'émetteur de porte Tension

Je C =2.0 le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , T j = 25 o C

4.5

5.4

6.5

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint

Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V,

T j = 25 o C

5.0

le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

1.3

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz,

V. Le groupe Généralement générés =0V

13.0

nF

C rés

Transfert inverse

Capacité

0.85

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés je suis désolé. 15...+15V

2.10

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =200A, R G = 4,7Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 25 o C

87

n.S.

t r

Il est temps de monter.

40

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

451

n.S.

t f

Temps d'automne

63

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

6.8

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

11.9

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =200A, R G = 4,7Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 125o C

88

n.S.

t r

Il est temps de monter.

44

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

483

n.S.

t f

Temps d'automne

78

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

11.4

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

13.5

je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V,

T j = 125 o C,V CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V

1300

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant

Tension

Je F =200A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C

1.95

2.40

V. Le groupe

Je F =200A,V Généralement générés =0V,T j = 125 o C

2.00

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 25 o C

13.3

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

236

A

E réc

Récupération Énergie

6.6

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V Généralement générés je suis désolé. 15V T j = 125 o C

23.0

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

269

A

E réc

Récupération Énergie

10.5

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

30

nH

R CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

0.35

mΩ

R le CJJ

Les points de jonction (par IGB) T)

Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.095

0.202

Pour les produits de base

R thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne.

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 diode)

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.029

0.063

0.010

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M5 Le couple de montage Vire M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Poids de Module

300

g