EN
Le MOSFET à jonction superposée (transistor à effet de champ à semi-conducteur métal-oxyde) introduit un contrôle du champ électrique latéral sur la base du VDMOS traditionnel, ce qui permet de faire tendre la répartition du champ électrique vertical vers un rectangle idéal. Cette structure améliore la tenue en tension de l'appareil d'environ 20 % tout en conservant la même résistance épitaxiale. Pour produits des spécifications identiques de tenue en tension, la résistance à l’état passant par unité de surface obtenue avec la technologie à jonction superposée peut être réduite à moins d’un huitième de celle de la structure traditionnelle, permettant ainsi une optimisation synergique des caractéristiques à l’état passant et à l’état bloqué.
Notre série de MOSFET à jonction superposée est fabriquée à l’aide d’une technologie de tranchée profonde et de plusieurs procédés épitaxiaux, ce qui lui confère une faible résistance à l’état passant et une faible charge de grille. Elle réduit considérablement les pertes à l’état passant et à l’état bloqué, ce qui la rend particulièrement adaptée aux systèmes de conversion électronique de puissance à forte densité de puissance et à haut rendement.
Aperçu de l’application du MOSFET à jonction superposée dans les chargeurs embarqués (OBC)
Aperçu de l’application du MOSFET à jonction superposée dans les chargeurs embarqués (OBC)
Les emplacements de recharge idéaux pour les véhicules électriques et les véhicules hybrides ne se limitent pas aux bornes de recharge. Tout lieu disposant d’un accès à l’électricité est susceptible d’être utilisé à cette fin. Un chargeur embarqué est un dispositif qui convertit le courant alternatif en courant continu requis pour recharger le véhicule. Il permet de recharger le véhicule à à la maison ou sur le lieu de travail. Sa capacité détermine la puissance et l’efficacité de la recharge, et influe directement sur l’expérience utilisateur.
