Introduction brève
Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 300A.
Caractéristiques
- Technologie IGBT NPT
- capacité de court-circuit de 10 μs
- Faibles pertes de commutation
- Robuste avec des performances ultra rapides
- VCE (sat) avec coefficient de température positif
- Cas à faible inductance
- Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
- Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC
Typique Applications
- Les sources d'alimentation en mode commutateur
- Chauffage par induction
- Soudeuse électronique
- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation T C = 25 ℃ à moins autrement noté
Le symbole |
Description |
Les données sont fournies par les autorités compétentes. |
Unités |
VCES |
Voltage du collecteur-émetteur |
1200 |
V. Le groupe |
VGES |
Voltage de l'émetteur de la porte |
± 20 |
V. Le groupe |
IC |
Courant Collecteur @ TC=25℃
@ TC=80°C
|
440
300
|
A |
MIC |
Courant Collecteur Impulsé tp=1ms |
600 |
A |
Si |
Courant continu en avant de la diode @ TC=80℃ |
300 |
A |
MFI |
Courant Avant Maximum du Diode tp=1ms |
600 |
A |
PD |
Dissipation de puissance maximale @ Tj=150℃ |
2272 |
Le |
Tjmax |
Température maximale de jonction |
150 |
℃ |
TSTG |
Plage de température de stockage |
-40 à +125 |
℃ |
VISO |
Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1min |
4000 |
V. Le groupe |
Le couple de montage |
Vis de terminal de signal:M4 |
1.1 à 2.0 |
|
Écrou de borne de puissance:M6 |
2,5 à 5,0 |
N.m. |
Vis de montage:M6 |
3,0 à 5,0 |
|
Électrique Caractéristiques de L'IGBT T C = 25 ℃ à moins autrement noté
Caractéristiques hors
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
V(BR)CES |
Collecteur-Émetteur
Tension de rupture
|
Tj=25℃ |
1200 |
|
|
V. Le groupe |
Le CIEM |
Coupe du collecteur
Actuel
|
VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25℃ |
|
|
5.0 |
le nombre de |
IGES |
Courant de fuite de l'émetteur de la porte |
Les températures sont calculées en fonction des températures de l'air. |
|
|
400 |
nA |
Caractéristiques à l'état passant
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
VGE (ème) |
Voltage de seuil de la porte émetteur |
Les données de l'échantillon doivent être conservées dans un système de mesure de l'échantillon. |
4.4 |
5.2 |
6.0 |
V. Le groupe |
|
VCE (sat)
|
Collecteur à émetteur
Voltage de saturation
|
Les données de l'échantillon doivent être conservées dans un système de mesure de la température. |
|
3.10 |
3.55 |
V. Le groupe
|
Les données de la série de tests sont fournies à l'aide de la méthode suivante: |
|
3.45 |
|
Caractéristiques de commutation
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
t d (sur ) |
Temps de retard d'activation |
V. Le groupe CC =600V,I C = 300A, R G = 3,3Ω,
V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, T j = 25 ℃
|
|
662 |
|
n.S. |
t r |
Il est temps de monter. |
|
142 |
|
n.S. |
t d (éteint ) |
Débranchement Temps de retard |
|
633 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
117 |
|
n.S. |
E sur |
On le met en marche Le changement Perte de |
|
19.7 |
|
je suis désolé. |
E éteint |
Commutateur d'arrêt Perte de |
|
22.4 |
|
je suis désolé. |
t d (sur ) |
Temps de retard d'activation |
V. Le groupe CC =600V,I C = 300A, R G = 3,3Ω,
V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, T j = 125 ℃
|
|
660 |
|
n.S. |
t r |
Il est temps de monter. |
|
143 |
|
n.S. |
t d (éteint ) |
Débranchement Temps de retard |
|
665 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
137 |
|
n.S. |
E sur |
On le met en marche Le changement Perte de |
|
24.9 |
|
je suis désolé. |
E éteint |
Commutateur d'arrêt Perte de |
|
28.4 |
|
je suis désolé. |
C - Je vous en prie. |
Capacité d'entrée |
V. Le groupe CE = 30V, f=1MHz,
V. Le groupe Généralement générés =0V
|
|
25.3 |
|
nF |
C oes |
Capacité de sortie |
|
2.25 |
|
nF |
C rés |
Transfert inverse
Capacité
|
|
0.91 |
|
nF |
|
Je SC
|
Données SC
|
t P ≤ 10 μs,V Généralement générés =15 V,
T j = 125 ℃, V. Le groupe CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V
|
|
2550
|
|
A
|
L CE |
Inductivité de déplacement |
|
|
|
20 |
nH |
|
R CC+EE
|
Conducteur de module
Résistance,
Terminal au chip
|
|
|
0.18
|
|
mΩ
|
Électrique Caractéristiques de Diode T C = 25 ℃ à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
V. Le groupe F |
Diode vers l'avant
Tension
|
Je F = 300A |
T j = 25 ℃ |
|
1.82 |
2.25 |
V. Le groupe |
T j = 125 ℃ |
|
1.95 |
|
Q: Le numéro r |
Récupéré
Charge
|
Je F = 300A,
V. Le groupe R =600V,
R G = 3,3Ω,
V. Le groupe Généralement générés =-15V
|
T j = 25 ℃ |
|
29.5 |
|
le taux de décharge |
T j = 125 ℃ |
|
42.3 |
|
Je RM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
T j = 25 ℃ |
|
210 |
|
A |
T j = 125 ℃ |
|
272 |
|
E réc |
Récupération Énergie |
T j = 25 ℃ |
|
16.4 |
|
je suis désolé. |
T j = 125 ℃ |
|
22.7 |
|
Caractéristique thermique ics
Le symbole |
Paramètre |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
R θ JC |
Les points de jonction (par IGB) T) |
|
0.055 |
Pour les produits de base |
R θ JC |
Les points de contact entre les deux cas (par D) Iode) |
|
0.092 |
Pour les produits de base |
R θ CS |
Boîtier à dissipateur (application de graisse conductrice faite) |
0.035 |
|
Pour les produits de base |
Poids |
Poids Module |
300 |
|
g |
EN
