Breve introducción
Modulo IGBT ,H iGBT de alta corriente módulo , módulos IGBT de un solo interruptor producidos por CRRC. 1700V 3600A.
Características
●Conjunto de chips SPT+ para bajas pérdidas de conmutación
●Bajo VCEsat
●Bajo consumo de energía del controlador
●Placa base de AlSiC para alta capacidad de ciclo de potencia
●Sustrato de AlN para baja resistencia térmica
Típico aplicación
●Accionamientos de tracción
●Chopper de CC
●Inversores/convertidores de media tensión
Valores nominales máximos
Parámetro |
El símbolo |
Condiciones |
mín |
máx |
Unidad |
Voltagem del colector-emittente |
VCES |
VGE =0V,Tvj ≥25°C |
|
1700 |
V |
Corriente de colector de CC |
CI |
TC =80°C |
|
3600 |
A |
Corriente máxima del colector |
MIC |
tp=1ms,Tc=80°C |
|
7200 |
A |
Voltagem del emisor de la puerta |
VGES |
|
-20 |
20 |
V |
Disipación total de potencia |
Ptot |
TC =25°C, por interruptor (IGBT) |
|
17800 |
W |
Corriente directa DC |
IF |
|
|
3600 |
A |
Corriente directa pico |
El número de personas |
tP=1 ms |
|
7200 |
A |
Corriente de sobretensión |
El IFSM |
VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, onda semi-senoidal |
|
18000 |
A |
Cortocircuito SOA IGBT |
tPSC
|
VCC =1200V,VCEMCHIP≤1700V VGE ≤15V,Tvj≤125°C
|
|
10
|
μs
|
Voltaje de aislamiento |
El visol |
1min, f=50Hz |
|
4000 |
V |
Temperatura de unión |
TVj |
|
|
175 |
℃ |
Temperatura de operación del unión |
¿Qué es eso? |
|
-50 |
150 |
℃ |
Temperatura del caso |
Tc |
|
-50 |
125 |
℃ |
Temperatura de almacenamiento |
TSTG |
|
-50 |
125 |
℃ |
Torques de montaje |
Ms |
|
4 |
6 |
Nm
|
El número de personas |
|
8 |
10 |
El valor de las emisiones |
|
2 |
3 |
Valores de las características de las IGBT
Parámetro |
El símbolo |
Condiciones |
Mín |
tipo |
máx |
Unidad |
Desgaste de colector (- emisor) voltaje |
V (BR) CES |
VGE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C |
1700 |
|
|
V |
Tensión de saturación colector-emisor |
VCEsat
|
IC =3600A, VGE =15V |
Tvj= 25°C |
|
2.5 |
|
V |
Tvj=125°C |
|
3.0 |
|
V |
Tvj=150°C |
|
3.1 |
|
V |
Corriente de corte del colector |
El CIEM
|
VCE =1700V, VGE =0V |
Tvj= 25°C |
|
|
10 |
el número de |
Tvj=125°C |
|
|
100 |
el número de |
Tvj=150°C |
|
170 |
|
el número de |
Corriente de fuga de la puerta |
El IGES |
VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C |
-500 |
|
500 |
nA |
Voltaje de umbral de puerta-emisor |
VGE (h) |
IC =240mA,VCE =VGE, Tvj =25°C |
5.3 |
|
7.3 |
V |
Cargo por puerta |
El número de |
IC =2400A,VCE =900V, VGE =-15V … 15V |
|
21.0 |
|
el valor de la concentración |
Capacidad de entrada |
Las |
VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C
|
|
239 |
|
nF (número de trabajo)
|
Capacidad de salida |
Coes |
|
20.9 |
|
Capacidad de transferencia inversa |
El Cres |
|
9.24 |
|
Tiempo de retraso de encendido |
en el momento en que se inicia
|
VCC =900V, IC =3600A, RG =2,2Ω , VGE =±15V, Lσ=280nH,
|
Tvj = 25 °C |
|
1200 |
|
el Consejo
|
Tvj = 125 °C |
|
1500 |
|
Tvj = 150 °C |
|
1600 |
|
Tiempo de ascenso |
tr
|
Tvj = 25 °C |
|
1400 |
|
Tvj = 125 °C |
|
1600 |
|
Tvj = 150 °C |
|
1700 |
|
Tiempo de retraso de apagado |
el número de teléfono
|
Tvj = 25 °C |
|
3000 |
|
el Consejo
|
Tvj = 125 °C |
|
3500 |
|
Tvj = 150 °C |
|
3700 |
|
Tiempo de caída |
tF
|
Tvj = 25 °C |
|
500 |
|
Tvj = 125 °C |
|
560 |
|
Tvj = 150 °C |
|
620 |
|
Energía de pérdida de conmutación de encendido |
El EON
|
Tvj = 25 °C |
|
2700 |
|
mJ
|
Tvj = 125 °C |
|
2900 |
|
Tvj = 150 °C |
|
3200 |
|
Pérdida de energía de conmutación de apagado |
El número de personas
|
Tvj = 25 °C |
|
3800 |
|
mJ
|
Tvj = 125 °C |
|
4100 |
|
Tvj = 150 °C |
|
4400 |
|
Corriente de cortocircuito |
ISC |
tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 125°C,VCC = 1200V |
|
10000 |
|
A |
EN
