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Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

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GD400HTX120P6H,Módulo IGBT,STARPOWER

1200V 720A Paquete: P6

Brand:
El sistema de energía
Spu:
GD400HTX120P6H
  • Introducción
  • Esquema
  • Esquema del circuito equivalente
Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT ,producido por El sistema de energía . 1200V 400A. ¿ Qué?

Características

  • Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
  • Bajas pérdidas de conmutación
  • capacidad de cortocircuito de 6 μs
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Temperatura máxima de la unión 175
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base aislada de cobre con pinfins usando Si 3Norte 4Tecnología AMB

Aplicaciones típicas

  • Automotriz aplicación
  • Vehículo Híbrido y Eléctrico
  • Inversores para motor de transmisión

En absoluto Máximo Calificaciones El F =25o Do a menos que de otro modo anotado

El IGBT

El símbolo

Descripción

Valores

UNIDAD

V El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

I CN

El colector Cu implementado renta

400

A

I Do

Corriente Colectora @ T F =120o Do

250

A

I Cm

Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms

800

A

P D

Disposición máxima de energía ation @ El F =75o Do El j =175o Do

970

W

Diodo

El símbolo

Descripción

Valores

UNIDAD

V RRM

Volta inversa de pico repetitivo el sector de la energía

1200

V

I FN

El colector Cu implementado renta

400

A

I F

Diodo continuo hacia adelante Cu renta

250

A

I - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms

800

A

Módulo

El símbolo

Descripción

Valor

UNIDAD

El jmax

Temperatura máxima de unión

175

o Do

El el juego

Temperatura de las uniones de funcionamiento continua

Por 10s dentro de un período de 30s, ocurrencia máximo 3000 veces durante la vida útil yo

-40 a +150 +150 a +175

o Do

El El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

o Do

V ISO

El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1 mínimo

2500

V

d Deslizamiento

Terminal para el sumidero Terminal a terminal

9.0 9.0

mmm

d Claro

Terminal para el sumidero Terminal a terminal

4.5 4.5

mmm

El IGBT Características El F =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

V CE (sat)

Recolector al emisor Voltagem de saturación

I Do =250A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =25o Do

1.45

1.80

V

I Do =250A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =125o Do

1.65

I Do =250A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =150o Do

1.70

I Do =380A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =25o Do

1.70

I Do =380A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =150o Do

2.15

V El sector de la energía (th )

Umbral de emisor de puertas Voltaje

I Do =9.75el número de ,V CE =V El sector de la energía , El j =25o Do

5.6

6.2

6.8

V

I El CES

El colector Corte -Off Corriente

V CE =V El CES ,V El sector de la energía =0V, El j =25o Do

1.0

el número de

I El GES

Fugas de los emisores de puertas Corriente

V El sector de la energía =V El GES ,V CE =0V, El j =25o Do

400

nA

R El ginto

Resistencia de la puerta interna

2.4

ω

Do ies

Capacidad de entrada

V CE = 25V, f = 100 kHz, V El sector de la energía el valor de la energía de la corriente

33.6

nF (número de trabajo)

Do es

Capacidad de salida

1.43

nF (número de trabajo)

Do res

Transferencia inversa Capacidad

0.82

nF (número de trabajo)

¿Qué es? GRAMO

Cargo por puerta

V CE = 600 V,I Do =250A, V El sector de la energía =-8... +15V

1.98

el valor de la concentración

el d (on )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I Do = 250 A, R GRAMO = 2,2Ω, L S =24nH ,V El sector de la energía el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a:

El j =25o Do

231

el Consejo

el r

Tiempo de ascenso

50

el Consejo

el no se puede

Apagado Tiempo de retraso

545

el Consejo

el f

Tiempo de caída

172

el Consejo

Mi on

Enciende Conmutación Pérdida

19.6

mJ

Mi off

Cambiar el encendido Pérdida

23.2

mJ

el d (on )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I Do = 250 A, R GRAMO = 2,2Ω, L S =24nH ,V El sector de la energía el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a:

El j =125o Do

241

el Consejo

el r

Tiempo de ascenso

57

el Consejo

el no se puede

Apagado Tiempo de retraso

619

el Consejo

el f

Tiempo de caída

247

el Consejo

Mi on

Enciende Conmutación Pérdida

26.6

mJ

Mi off

Cambiar el encendido Pérdida

28.7

mJ

el d (on )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I Do = 250 A, R GRAMO = 2,2Ω, L S =24nH ,V El sector de la energía el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a:

El j =150o Do

245

el Consejo

el r

Tiempo de ascenso

57

el Consejo

el no se puede

Apagado Tiempo de retraso

641

el Consejo

el f

Tiempo de caída

269

el Consejo

Mi on

Enciende Conmutación Pérdida

30.1

mJ

Mi off

Cambiar el encendido Pérdida

30.9

mJ

I SC

Datos de la SC

el P ≤ 6 μs, V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

El j =150o C, V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. V El CEM no más de 1200 V

1200

A

Diodo Características El F =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

V F

Diodo hacia adelante Voltaje

I F =250A,V El sector de la energía =0V,T j =25o Do

1.50

1.90

V

I F =250A,V El sector de la energía =0V,T j =125o Do

1.45

I F =250A,V El sector de la energía =0V,T j =150o Do

1.40

I F =380A,V El sector de la energía =0V,T j =25o Do

1.65

I F =380A,V El sector de la energía =0V,T j =150o Do

1.60

¿Qué es? r

Cargo recuperado

V R = 600 V,I F = 250 A,

-di/dt=4860A/μs,V El sector de la energía el valor de la presión de escape L S =24nH ,El j =25o Do

9.10

el valor de la concentración

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

160

A

Mi reconocimiento

Recuperación inversa Energía

4.39

mJ

¿Qué es? r

Cargo recuperado

V R = 600 V,I F = 250 A,

-di/dt=4300A/μs,V El sector de la energía el valor de la presión de escape L S =24nH ,El j =125o Do

21.4

el valor de la concentración

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

192

A

Mi reconocimiento

Recuperación inversa Energía

8.43

mJ

¿Qué es? r

Cargo recuperado

V R = 600 V,I F = 250 A,

-di/dt=4120A/μs,V El sector de la energía el valor de la presión de escape L S =24nH ,El j =150o Do

25.7

el valor de la concentración

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

203

A

Mi reconocimiento

Recuperación inversa Energía

9.97

mJ

NTC Características El F =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

R 25

Resistencia nominal

5.0

∆R/R

Desviación de R 100

El Do =100 o Do ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Fuerza

Disipación

20.0

mW

B 25/50

Valor B

R 2=R 25exp [B 25/501/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3375

K

B 25/80

Valor B

R 2=R 25exp [B 25/801/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3411

K

B 25/100

Valor B

R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3433

K

Módulo Características El F =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

L CE

Inductividad de alejamiento

8

nH

R CC+EE

Modulo de resistencia al plomo, Terminal a el chip

0.75

p

V/ t=10,0 dM 3/mínimo ,El F =75o Do

64

el mbar

p

Presión máxima en el círculo de enfriamiento el cuco

2.5

bar

R el JF

Unión-a-Líquido de Enfriamiento (por El número de unidades de carga Unión a fluido de refrigeración (por D yodo) V/ t=10,0 dM 3/mínimo ,El F =75o Do

0.090 0.126

0.103 0.145

El número de unidades

METRO

El par de conexión de la terminal, El tornillo M5 Torque de montaje Tornillo M4

3.6 1.8

4.4 2.2

Nuevo Méjico

GRAMO

Peso de Módulo

750

gRAMO

Esquema

Esquema del circuito equivalente

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