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Módulo IGBT 750V

Módulo IGBT 750V

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Módulo IGBT GD820HFA75N6HY Starpower

750V 820A, Envoltorio:P6

Brand:
El sistema de energía
Spu:
GD820HFA75N6HY
  • Introducción
  • Esquema
  • Esquema del circuito equivalente
Introducción

Introducción breve

Modulo IGBT ,producido por El sistema de energía .820V 750A. ¿ Qué?

Características

  • Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
  • Bajas pérdidas de conmutación
  • capacidad de cortocircuito de 6 μs
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Temperatura máxima de la unión 175
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Placa base aislada de cobre con tecnología DBC

Aplicaciones típicas

  • Automotriz aplicación
  • Vehículo Híbrido y Eléctrico
  • Inversores para motor de transmisión

En absoluto Máximo Calificaciones T F =25a C a menos que de otro modo anotado

El IGBT

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valores

Unidad

V El CES

Voltagem del colector-emittente

750

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

Yo CN

El colector Cu implementado renta

820

R

Yo C

Corriente Colectora @ T F =95a C T vj =175a C

450

R

Yo CRM

Repetitivo Pico El colector Actual tp limitado por T vjop

1640

R

PG

Disposición máxima de energía ation @ T F =65a C T vj =175a C

909

R

Diodo

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valores

Unidad

V RRM

Volt inverso de pico repetitivo edad

750

V

Yo FN

El colector Cu implementado renta

820

R

Yo F

Diodo continuo hacia adelante Cu renta

450

R

Yo El MFR

Repetitivo Pico Adelante Actual tp limitado por T vjop

1640

R

Módulo

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

Unidad

T vjmax

Temperatura máxima de unión

175

a C

T vjop

Temperatura de las uniones de funcionamiento continua

-40 a +150

a C

T El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

a C

V ISO

Voltaje de aislamiento RMS, f=50Hz, t = 1 minuto

2500

V

g Deslizamiento

Terminal para el sumidero Terminal a terminal

7.3 7.3

mm

g Claro

Terminal para el sumidero Terminal a terminal

7.3 4.0

mm

El IGBT Características T F =25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

V CE (sat)

Recolector al emisor Voltagem de saturación

Yo C=680A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =25a C

1.25

1.50

V

Yo C=680A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =150a C

1.35

Yo C=680A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =175a C

1.40

Yo C=820A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =25a C

1.30

Yo C=820A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =175a C

1.50

V GE (th)

Umbral de emisor de puertas Tensión

Yo C=12.9el número de ,V CE =V GE , T vj =25a C

5.5

6.5

7.0

V

Yo El CES

El colector Cortado -Off Actual

V CE =V El CES ,V GE =0V, T vj =25a C

1.0

el número de

Yo El GES

Fugas de los emisores de puertas Actual

V GE =V El GES ,V CE =0V, T vj =25a C

400

nA

Barra El ginto

Resistencia de la puerta interna

1.0

ω

Cies

Capacidad de entrada

V CE =50V,f=100kHz, V GE el valor de la energía de la corriente

72.3

nF (número de trabajo)

Ces

Capacidad de salida

1.51

nF (número de trabajo)

Cres

Transferencia inversa Capacidad

0.32

nF (número de trabajo)

PG

Cargo por puerta

V CE =400V, Yo C=680A, V GE =-10…+15V

4.10

el valor de la concentración

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC =400V,I C= 450A, Barra G= 2,4Ω, CS =20nH ,V GE el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a:

T vj =25a C

483

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

60

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

664

el Consejo

t f

Tiempo de caída

67

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

16.3

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

17.4

mJ

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC =400V,I C= 450A, Barra G= 2,4Ω, CS =20nH ,V GE el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a:

T vj =150a C

507

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

76

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

750

el Consejo

t f

Tiempo de caída

125

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

26.3

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

22.1

mJ

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC =400V,I C= 450A, Barra G= 2,4Ω, CS =20nH ,V GE el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a:

T vj =175a C

509

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

79

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

764

el Consejo

t f

Tiempo de caída

139

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

27.6

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

23.0

mJ

Yo SC

Datos de la SC

t P≤3μs, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

T j =175a C, V CC =450V, V El CEM ≤750V

3300

R

Diodo Características T F =25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

V F

Diodo hacia adelante Tensión

Yo F =680A,V GE =0V,T vj =25a C

1.60

2.05

V

Yo F =680A,V GE =0V,T vj =150a C

1.60

Yo F =680A,V GE =0V,T vj =175a C

1.55

Yo F =820A,V GE =0V,T vj =25a C

1.70

Yo F =820A,V GE =0V,T vj =175a C

1.65

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra =400V,I F = 450A,

-di/dt=8350A/μs,L S =20n H, V GE =-8V, T vj =25a C

12.4

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

273

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

3.45

mJ

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra =400V,I F = 450A,

-di/dt=6670A/μs,L S =20n H, V GE =-8V, T vj =150a C

27.7

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

319

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

6.51

mJ

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra =400V,I F = 450A,

-di/dt=6410A/μs,L S =20n H, V GE =-8V, T vj =175a C

31.8

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

334

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

7.26

mJ

PTC Características T F =25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

Barra

Nominal Resistencia

T C=0 a C

T C=150 a C

1000

1573

ω ω

T Cr

Coeficiente de Temperatura nt

0.38

%/K

T El

Auto Calefacción

T C=0 a C

Yo m =0.1...0.3mA

0.4

K/mW

Módulo Características T F =25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

CCE

Inductividad de alejamiento

5

nH

p

Presión máxima en el círculo de enfriamiento el cuco

2.5

barra

Barra el JF

Unión -a -Enfriamiento El fluido (perIGBT )Unión a Líquido de Enfriamiento (por Di iodo) V/ t=2.67 L/ mIN ,T F =65a C

0.105 0.157

0.121 0.181

El número de unidades

M

El par de conexión de la terminal, El tornillo M5 Torque de montaje El tornillo M5

3.6 5.4

4.4 6.6

Nuevo Méjico

G

Peso de Módulo

220

g

Esquema

Esquema del circuito equivalente

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