Breve introducción
Módulo de tiristor de soldadura ,MTC200 ，200A, Refrigeración por aire ,producido por TECHSEM.
VDRM, VRRM |
Tipo y contorno |
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600V
800V
1000V
1200V
1400V
1600V
1800V
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MTC200-06-229H3/229H3B
MTC200-08-229H3/229H3B
MTC200-10-229H3/229H3B
MTC200-12-229H3/229H3B
MTC200-14-229H3/229H3B
MTC200-16-229H3/229H3B
MTC200-18-229H3/229H3B
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Características ：
- Base de montaje aislada 3000V~
-
Tecnología de unión de soldadura con capacidad de ciclo de potencia aumentada
- Ahorro de espacio y peso
Aplicaciones típicas ：
- Motor de transmisión de corriente alterna
- Varios rectificadores
- Suministro de CC para inversor PWM
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El símbolo
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Características
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Condiciones de ensayo
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Tj( ℃ ) |
Valor |
Unidad
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Mín |
Tipo |
Máx |
IT(AV) |
Corriente media en estado de conducción |
180° media onda senoidal 50Hz Enfriado por un lado, Tc=85 ℃ |
125 |
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200 |
A |
IT(RMS) |
Corriente de estado en RMS |
125 |
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314 |
A |
No puedo no puedo |
Corriente pico repetitiva |
en VDRM en VRRM |
125 |
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40 |
el número de |
ITSM |
Corriente de sobrecarga en estado de conducción |
onda sinusoidal de medio ciclo VR=60%VRRM |
125
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4.0 |
kA |
El 1 de enero |
I2t para coordinación de fusibles |
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80 |
A 2s*10 3 |
VTO |
Voltaje de umbral |
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125
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0.70 |
V |
rT |
Resistencia de pendiente en estado de conducción |
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1.11 |
mΩ |
VTM |
Voltaje pico en estado de conducción |
ITM=600A |
25 |
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1.80 |
V |
dv/dt |
Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto |
VDM=67%VDRM |
125 |
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1000 |
V/μs |
di/dt |
Tasa crítica de aumento de corriente de estado de encendido |
Fuente de puerta 1.5A
tr ≤0.5μs Repetitivo
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125 |
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200 |
A/μs |
IGT |
Corriente de disparo de puerta |
El valor de la energía de la unidad de carga será igual a la unidad de carga de la unidad de carga.
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25
|
30 |
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200 |
el número de |
Vgt. |
Voltaje de disparo de puerta |
0.6 |
|
2.5 |
V |
IH |
Corriente de mantenimiento |
10 |
|
250 |
el número de |
El |
Corriente de retención |
|
|
1000 |
el número de |
VGD |
Voltaje de puerta no disparado |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
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0.2 |
V |
Rth(j-c) |
Resistencia térmica unión a carcasa |
Enfriado por un lado por chip |
|
|
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0.16 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Resistencia térmica de la caja al disipador |
Enfriado por un lado por chip |
|
|
|
0.08 |
℃ /W |
VISO (en inglés) |
Voltaje de aislamiento |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
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3000 |
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|
V |
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- ¿ Qué?
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Par de conexión de terminal (M6) |
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2.5 |
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4.0 |
Nuevo Méjico |
Par de montaje (M6) |
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|
4.5 |
|
6.0 |
Nuevo Méjico |
TVj |
Temperatura de unión |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
TSTG |
Temperatura almacenada |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
El |
Peso |
|
|
|
165 |
|
g. El |
Esquema |
229H3 、229H3B |
Esquema
Esquema del circuito equivalente
Laboratorio bien equipado
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Caso de Aplicación
Usuarios
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