las instalaciones de la categoría M2 incluidas en el anexo II se considerarán instalaciones de la categoría M3 con una capacidad de carga de hasta 300 kW.
Folleto del producto:DESCARGAR
Breve introducción
Modulo de tiristoro/diodo e, MTx800 MFx800 MT810 ,8 00A. El ,Refrigeración por agua ,producido por TECHSEM.
Breve introducción
Modulo de tiristoro/diodo e, MTx 800 El número de personas 800 MT: el precio de venta 800,800A. El ,Refrigeración por agua ,producido por TECHSEM.
VRRM,VDRM |
Tipo y contorno |
|
600V |
MT2 tecnología de la información |
MFx800-06-411F3 y sus componentes |
800V |
MT2 tecnología de la información |
MFx800-08-411F3 y sus componentes |
1000V |
MT2 tecnología de la información |
MFx800-10-411F3 y sus componentes |
1200V |
MT2 tecnología de la información |
MFx800-12-411F3 y sus componentes |
1400V |
MT2 tecnología de la información |
MFx800-14-411F3 y sus componentes |
1600V |
MT2 tecnología de la información |
MFx800-16-411F3 y sus componentes |
1800V |
MT2 tecnología de la información |
MFx800-18-411F3 y sus componentes |
1800V |
MT4204 - Sistema de gestión de las emisiones de gases de efecto invernadero |
|
MTx es el acrónimo de cualquier tipo de MTC, El MTA , MTK
MFx es el acrónimo de cualquier tipo de MFC, El MFA, El MFK
Características
Aplicaciones típicas
El símbolo |
Características |
Condiciones de ensayo |
Tj( ℃ ) |
Valor |
Unidad |
||
Mín |
Tipo |
Máx |
|||||
IT(AV) |
Corriente media en estado de conducción |
180° media onda senoidal 50Hz Refrigerado de un solo lado, THS=55 ℃ |
125 |
|
|
800 |
A. El |
IT(RMS) |
Corriente de estado en RMS |
|
|
1256 |
A. El |
||
No puedo no puedo |
Corriente pico repetitiva |
en VDRM en VRRM |
125 |
|
|
45 |
el número de |
ITSM |
Corriente de sobrecarga en estado de conducción |
VR=60%VRRM, t= 10 ms medio seno |
125 |
|
|
22.0 |
kA |
El 1 de enero |
I2t para coordinación de fusibles |
125 |
|
|
2420 |
103A. El 2s |
|
VTO |
Voltaje de umbral |
|
125 |
|
|
0.90 |
V |
rT |
Resistencia de pendiente en estado de conducción |
|
|
0.35 |
mΩ |
||
VTM |
Voltaje pico en estado de conducción |
El ITM=2400A |
25 |
|
|
1.95 |
V |
dv/dt |
Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Tasa crítica de aumento de corriente de estado de encendido |
Fuente de puerta 1.5A tr ≤0.5μs Repetitivo |
125 |
|
|
200 |
A/μs |
IGT |
Corriente de disparo de puerta |
El valor de la energía de la unidad de carga será igual a la unidad de carga de la unidad de carga. |
25 |
30 |
|
200 |
el número de |
Vgt. |
Voltaje de disparo de puerta |
0.8 |
|
3.0 |
V |
||
IH |
Corriente de mantenimiento |
10 |
|
200 |
el número de |
||
El |
Corriente de retención |
|
|
1000 |
el número de |
||
VGD |
Voltaje de puerta no disparado |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.20 |
V |
Rth(j-c) |
Resistencia térmica unión a carcasa |
Enfriado por un lado por chip |
|
|
|
0.050 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Resistencia térmica de la caja al disipador |
Enfriado por un lado por chip |
|
|
|
0.024 |
℃ /W |
VISO (en inglés) |
Voltaje de aislamiento |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V |
- ¿ Qué? |
El par de conexión del terminal ((M12) |
|
|
12 |
|
16 |
Nuevo Méjico |
El par de montaje ((M8) |
|
|
10 |
|
12 |
Nuevo Méjico |
|
TVj |
Temperatura de unión |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
TSTG |
Temperatura almacenada |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
El |
Peso |
|
|
|
3230 |
|
g. El |
Esquema |
411F3 |
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