Breve introducción
Modulo de tiristoro/diodo e, MTx1000 MFx1000 MT1000 ，1000A ,Refrigeración por agua ，producido por TECHSEM.
VRRM,VDRM |
Tipo y contorno |
las demás |
MT1capacidad de producción |
MFx1000-20-411F3 y sus componentes |
las demás |
MT2 tecnología de la información |
MFx1000-22-411F3 y sus componentes |
las demás |
MT2 tecnología de la información |
MFx1000-25-411F3 y sus componentes |
las demás |
MT1 - El uso de la tecnología |
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Características
- Base de montaje aislada 3000V~
- Tecnología de contacto por presión con
- Capacidad de ciclo de potencia aumentada
- Ahorro de espacio y peso
Aplicaciones típicas
- Motor de transmisión de corriente alterna
- Varios rectificadores
- Fuente de corriente continua para el invertido PWM
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El símbolo
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Características
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Condiciones de ensayo
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Tj( ℃ ) |
Valor |
Unidad
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Mín |
Tipo |
Máx |
IT(AV) |
Corriente media en estado de conducción |
180。media onda senoidal 50Hz
Refrigerado de un solo lado, THS=55 ℃
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125
|
|
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1000 |
A |
IT(RMS) |
Corriente de estado en RMS |
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|
1570 |
A |
No puedo no puedo |
Corriente pico repetitiva |
en VDRM en VRRM |
125 |
|
|
50 |
el número de |
ITSM |
Corriente de sobrecarga en estado de conducción |
La velocidad de la corriente de corriente de la corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de |
125 |
|
|
18.0 |
kA |
El 1 de enero |
I2t para coordinación de fusibles |
125 |
|
|
1620 |
103A 2s |
VTO |
Voltaje de umbral |
|
125
|
|
|
0.85 |
V |
rT |
Resistencia de pendiente en estado de conducción |
|
|
0.24 |
mΩ |
VTM |
Voltaje pico en estado de conducción |
El ITM=3000A |
25 |
|
|
2.20 |
V |
dv/dt |
Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Tasa crítica de aumento de corriente de estado de encendido |
Fuente de puerta 1.5A
tr ≤ 0,5 μs Repetitivo
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125 |
|
|
200 |
A/μs |
IGT |
Corriente de disparo de puerta |
El valor de la energía de la unidad de carga será igual a la unidad de carga de la unidad de carga.
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25
|
30 |
|
200 |
el número de |
Vgt. |
Voltaje de disparo de puerta |
0.8 |
|
3.0 |
V |
IH |
Corriente de mantenimiento |
10 |
|
200 |
el número de |
El |
Corriente de retención |
|
|
1000 |
el número de |
VGD |
Voltaje de puerta no disparado |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.20 |
V |
Rth(j-c) |
Resistencia térmica unión a carcasa |
Refrigerado de un solo lado por ficha |
|
|
|
0.048 |
。C/W |
Rth(c-h) |
Resistencia térmica de la caja al disipador |
Refrigerado de un solo lado por ficha |
|
|
|
0.024 |
。C/W |
VISO (en inglés) |
Voltaje de aislamiento |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
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3000 |
|
|
V |
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- ¿ Qué?
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El par de conexión del terminal ((M12) |
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12 |
|
16 |
Nuevo Méjico |
El par de montaje ((M8) |
|
|
10 |
|
12 |
Nuevo Méjico |
TVj |
Temperatura de unión |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
TSTG |
Temperatura almacenada |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
El |
Peso |
|
|
|
3230 |
|
g. El |
Esquema |
411F3 |
EN
