Breve introducción
Qué bueno. Módulo de Diodo de Recuperación Rápida , MUR20040 ,producido por TECHSEM .
VIRM |
Tipo y contorno |
200V |
MUR20040-235H3 |
Características ：
- Recuperación súper rápida
- Bajo voltaje directo
- Bajo corriente de fuga
- Paquete de módulo popular
Típico Aplicaciones ：
- Suministro de energía para soldadura por inverter
- Suministro de energía para telecomunicaciones
-
Varios conmutadores Fuente de alimentación
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El símbolo
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Características
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Condiciones de ensayo
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Tj( ℃) |
Valor |
Unidad
|
Mínimo |
Tipo |
Máx. |
IF(AV) |
Corriente directa promedio máxima |
Enfriamiento de un solo lado, TC=100 。C Por Módulo. |
150 |
|
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200 |
A |
VIRM |
Voltaje pico repetitivo |
tp=10ms |
25 |
|
|
400 |
V |
|
MIRR
|
Corriente pico repetitiva
|
VRM=400V
|
150 |
|
|
500 |
mA |
25 |
|
|
10 |
mA |
El IFSM |
Corriente de avance de sobretensión |
Por Diodo , 8.3ms media onda senoidal |
25 |
|
|
1.1 |
kA |
|
VFM
|
Voltaje directo pico
|
Por Diodo @IFM=100A
|
125 |
|
1.1 |
1.2 |
V |
25 |
|
1.2 |
1.4 |
V |
|
trr
|
Tiempo de recuperación inversa
|
IF=0.5A, IRM=1A, IRR=0.25A
|
125 |
|
60 |
65 |
el Consejo |
25 |
|
80 |
100 |
el Consejo |
CJ |
Capacitancia de unión |
VR=200V |
|
|
35 |
|
pF |
Rth(j-c) |
Resistencia térmica unión a carcasa |
Por Diodo , enfriado por un lado |
|
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0.40 |
℃/W |
TVj |
Temperatura de unión |
|
|
-55 |
|
150 |
℃ |
TSTG |
Temperatura almacenada |
|
|
-55 |
|
125 |
℃ |
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- ¿ Qué?
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Par de conexión de terminal (M6) |
|
|
|
5.0 |
|
Nuevo Méjico |
Par de montaje (M6) |
|
|
|
5.0 |
|
Nuevo Méjico |
El |
Peso |
|
|
|
105 |
|
g |
Esquema |
235H3 |
EN
