Refrigeración por agua

MTx800 MFx800 MT800, Módulos de Tiroistro/Diodo, Enfriamiento por agua

las instalaciones de la categoría M2 incluidas en el anexo I se considerarán instalaciones de la categoría M3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MTx800 MFx800 MT800

Appurtenance:

Folleto del producto:DESCARGAR

Introducción
Esquema
Esquema del circuito equivalente

Introducción

Breve introducción

Modulo de tiristoro/diodo e, MTx1000 MFx1000 MT1000 ，1000A. El ,Refrigeración por agua ，producido por TECHSEM.

VRRM,VDRM

Tipo y contorno

las demás

MT2 tecnología de la información

MT4Más de un año

MFx800-20-411F3 y sus componentes

MFx800-22-411F3 y sus componentes

MFx800-25-411F3 y sus componentes

MTx es el acrónimo de cualquier tipo de MTC, MTA, MTK

MFx es el acrónimo de cualquier tipo de MFC, MFA, MFK

Características

Base de montaje aislada 3000V~
Tecnología de contacto por presión con
Capacidad de ciclo de potencia aumentada
Ahorro de espacio y peso

Aplicaciones típicas

Motor de transmisión de corriente alterna
Varios rectificadores
Fuente de corriente continua para el invertido PWM

El símbolo	Características	Condiciones de ensayo	Tj( ℃ )	Valor			Unidad
El símbolo	Características	Condiciones de ensayo	Tj( ℃ )	Mín	Tipo	Máx	Unidad
IT(AV)	Corriente media en estado de conducción	180° media onda senoidal 50Hz Refrigerado de un solo lado, THS=55 ℃	125			800	A. El
IT(RMS)	Corriente de estado en RMS		125			1256	A. El
No puedo no puedo	Corriente pico repetitiva	en VDRM en VRRM	125			50	el número de
ITSM	Corriente de sobrecarga en estado de conducción	La velocidad de la corriente de corriente de la corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de	125			16.0	kA
El 1 de enero	I2t para coordinación de fusibles		125			1280	10³A. El ²s
VTO	Voltaje de umbral		125			0.98	V
rT	Resistencia de pendiente en estado de conducción		125			0.35	mΩ
VTM	Voltaje pico en estado de conducción	El ITM=2400A	25			2.35	V
dv/dt	Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Tasa crítica de aumento de corriente de estado de encendido	Fuente de puerta 1.5A tr ≤0.5μs Repetitivo	125			200	A/μs
IGT	Corriente de disparo de puerta	El valor de la energía de la unidad de carga será igual a la unidad de carga de la unidad de carga.	25	30		200	el número de
Vgt.	Voltaje de disparo de puerta			0.8		3.0	V
IH	Corriente de mantenimiento			10		200	el número de
El	Corriente de retención					1000	el número de
VGD	Voltaje de puerta no disparado	VDM=67%VDRM	125			0.20	V
Rth(j-c)	Resistencia térmica unión a carcasa	Enfriado por un lado por chip				0.050	℃ /W
Rth(c-h)	Resistencia térmica de la caja al disipador	Enfriado por un lado por chip				0.024	℃ /W
VISO (en inglés)	Voltaje de aislamiento	el valor de la carga de los gases de escape es el valor de la carga de escape de los gases de escape.		3000			V
- ¿ Qué?	El par de conexión del terminal ((M12)			12		16	Nuevo Méjico
- ¿ Qué?	El par de montaje ((M8)			10		12	Nuevo Méjico
TVj	Temperatura de unión			-40		125	℃
TSTG	Temperatura almacenada			-40		125	℃
El	Peso				3230		g. El
Esquema	411F3