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Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

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GD200FFY120C6S,Módulo IGBT,STARPOWER

1200V 200A

Brand:
El sistema de energía
Spu:
GD200FFY120C6S
  • Introducción
  • Esquema
  • Esquema del circuito equivalente
Introducción

Introducción breve

Modulo IGBT ,producido por STARPOWER. 1200V 200A. ¿ Qué?

Características

  • Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Bajas pérdidas de conmutación
  • Temperatura máxima de la unión 175
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base de cobre aislada con tecnología DBC

Aplicaciones típicas

  • Suministro de energía ininterrumpible
  • Calentamiento por inducción
  • Máquina de soldadura

En absoluto Máximo Calificaciones T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El IGBT

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valores

Unidad

V El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

Yo C

Corriente Colectora @ T C=25a C

@ T C= 100a C

309

200

R

Yo Cm

Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms

400

R

PG

Disipación de potencia máxima @ T =175a C

1006

R

Diodo

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valores

Unidad

V RRM

Voltado inverso de pico repetitivo

1200

V

Yo F

Diodo de dirección continua hacia adelante alquiler

200

R

Yo - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms

400

R

Módulo

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valores

Unidad

T jmax

Temperatura máxima de unión

175

a C

T el juego

Temperatura de funcionamiento de las uniones

-40 a +150

a C

T El GST

Temperatura de almacenamiento Gama

-40 a +125

a C

V ISO

El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

El IGBT Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

V CE (sat)

Recolector al emisor

Voltagem de saturación

Yo C=200A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =25a C

1.70

2.15

V

Yo C=200A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =125a C

1.95

Yo C=200A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =150a C

2.00

V GE (th)

Umbral de emisor de puertas Tensión

Yo C=5.0el número de ,V CE =V GE , T j =25a C

5.2

6.0

6.8

V

Yo El CES

El colector Cortado -Off

Actual

V CE =V El CES ,V GE =0V,

T j =25a C

1.0

el número de

Yo El GES

Fugas de los emisores de puertas Actual

V GE =V El GES ,V CE =0V, T j =25a C

400

nA

Barra El ginto

Resistencia de la puerta interna el

4.0

ω

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=200A, Barra G= 1. 1Ω,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =25a C

150

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

32

el Consejo

t g (off )

Apagado Tiempo de retraso

330

el Consejo

t f

Tiempo de caída

93

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio

Pérdida

11.2

mJ

Eoff

Cambiar el encendido

Pérdida

11.3

mJ

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=200A, Barra G= 1. 1Ω,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j = 125a C

161

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

37

el Consejo

t g (off )

Apagado Tiempo de retraso

412

el Consejo

t f

Tiempo de caída

165

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio

Pérdida

19.8

mJ

Eoff

Cambiar el encendido

Pérdida

17.0

mJ

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=200A, Barra G= 1. 1Ω,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j = 150a C

161

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

43

el Consejo

t g (off )

Apagado Tiempo de retraso

433

el Consejo

t f

Tiempo de caída

185

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio

Pérdida

21.9

mJ

Eoff

Cambiar el encendido

Pérdida

19.1

mJ

Yo SC

Datos de la SC

t P≤ 10 μs, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

T j =150a C, V CC =900V, V El CEM no más de 1200 V

800

R

Diodo Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

V F

Diodo hacia adelante

Tensión

Yo F =200A,V GE =0V,T j =25a C

1.65

2.10

V

Yo F =200A,V GE =0V,T j = 125a C

1.65

Yo F =200A,V GE =0V,T j = 150a C

1.65

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25a C

17.6

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

228

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

7.7

mJ

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125a C

31.8

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

238

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

13.8

mJ

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150a C

36.6

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

247

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

15.2

mJ

NTC Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

Barra 25

Resistencia nominal

5.0

δR/R

Desviación de Barra 100

T C= 100 a C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Potencia

Disipación

20.0

mW

B 25/50

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/501/T 2-

¿Qué es lo que se está haciendo?

3375

K

B 25/80

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/801/T 2-

¿Qué es lo que se está haciendo?

3411

K

B 25/100

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/1001/T 2-

¿Qué es lo que se está haciendo?

3433

K

Módulo Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

CCE

Inductividad de alejamiento

21

nH

Barra CC+EE

Resistencia de plomo del módulo e, Terminal a Chip

1.80

Barra el JC

Enlace a la caja (por IGB) T)

Enlace a la caja (por D) yodo)

0.149

0.206

El número de unidades

Barra el CH

En el caso de los equipos de refrigeración de aire acondicionado, el valor de la presión de refrigeración debe ser igual o superior a: El número de unidades de carga

El sistema de refrigeración de la caja (p) diodo de acero)

Caja-a-disipador (por M ódulo)

0.031

0.043

0.009

El número de unidades

M

El número de unidades de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga

3.0

6.0

Nuevo Méjico

G

Peso de Módulo

300

g

Esquema

Esquema del circuito equivalente

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