Breve introducción
Módulo de Tiroistro/Diodo, MTx 500 El número de personas 500 MT: el precio de venta 500，500A ,Refrigeración por agua ，producido por TECHSEM.
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600V
800V
1000V
1200V
1400V
1600V
1800V
1800V
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MT2 tecnología de la información
MT2 tecnología de la información
MT3 tecnología de la información
MT2 tecnología de la información
MT4 tecnología de la información
MT3 tecnología de la información
MT2 tecnología de la información
MT520-46F3G
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MFx500-06-406F3 y sus componentes
MFx500-08-406F3 y sus componentes
MFx500-10-406F3 y sus componentes
MFx500-12-406F3 y sus componentes
MFx500-14-406F3 y sus componentes
MFx500-16-406F3 y sus componentes
MFx500-18-406F3 y sus componentes
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MTx es el acrónimo de cualquier tipo de MTC, El MTA , MTK
MFx es el acrónimo de cualquier tipo de MFC, El MFA, El MFK
Características
- Base de montaje aislada 3000V~
- Tecnología de contacto por presión con
- Capacidad de ciclo de potencia aumentada
- Ahorro de espacio y peso
Aplicaciones típicas
- Motor de transmisión de corriente alterna
- Varios rectificadores
- Fuente de corriente continua para el invertido PWM
El símbolo |
Características |
Condiciones de ensayo |
Tj( ℃ ) |
Valor |
Unidad |
Mín |
Tipo |
Máx |
IT(AV) |
Corriente media en estado de conducción |
180° media onda senoidal 50Hz
Refrigerado de un solo lado, THS=55 ℃
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125
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500 |
A |
IT(RMS) |
Corriente de estado en RMS |
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785 |
A |
No puedo no puedo |
Corriente pico repetitiva |
en VDRM en VRRM |
125 |
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35 |
el número de |
ITSM |
Corriente de sobrecarga en estado de conducción |
VR=60%VRRM, t=10 ms medio seno, |
125 |
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14.5 |
kA |
El 1 de enero |
I2t para coordinación de fusibles |
125 |
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1051 |
103A 2s |
VTO |
Voltaje de umbral |
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125
|
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0.80 |
V |
rT |
Resistencia de pendiente en estado de conducción |
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0.64 |
mΩ |
VTM |
Voltaje pico en estado de conducción |
El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente: |
25 |
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1.90 |
V |
dv/dt |
Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto |
VDM=67%VDRM |
125 |
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|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Tasa crítica de aumento de corriente de estado de encendido |
Fuente de puerta 1.5A
tr ≤0.5μs Repetitivo
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125 |
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200 |
A/μs |
IGT |
Corriente de disparo de puerta |
El valor de la corriente de corriente de la corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corri
|
25
|
30 |
|
200 |
el número de |
Vgt. |
Voltaje de disparo de puerta |
0.8 |
|
3.0 |
V |
IH |
Corriente de mantenimiento |
10 |
|
200 |
el número de |
El |
Corriente de retención |
|
|
1000 |
el número de |
VGD |
Voltaje de puerta no disparado |
VDM=67%VDRM |
125 |
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0.20 |
V |
Rth(j-c) |
Resistencia térmica unión a carcasa |
Enfriado por un lado por chip |
|
|
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0.085 |
。C/W |
Rth(c-h) |
Resistencia térmica de la caja al disipador |
Enfriado por un lado por chip |
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0.040 |
。C/W |
VISO (en inglés) |
Voltaje de aislamiento |
50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA (máx) |
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3000 |
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|
V |
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- ¿ Qué?
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El par de conexión del terminal ((M12) |
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12 |
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14 |
Nuevo Méjico |
Par de montaje (M6) |
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4.5 |
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6 |
Nuevo Méjico |
TVj |
Temperatura de unión |
|
|
-40 |
|
125 |
。C |
TSTG |
Temperatura almacenada |
|
|
-40 |
|
125 |
。C |
El |
Peso |
|
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1580 |
|
g. El |
Esquema |
406F3 |
EN
