Breve introducción
Módulo de Tiroistro/Diodo, MTx 400 El número de personas 600 MT400，400A ,Refrigeración por agua ，producido por TECHSEM.
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V RRM ,V DRM |
Tipo & Esquema |
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las demás
las demás
las demás
las demás
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MT4 tecnología de la información
MTx las demás
MTx las demás
MT420-4204F3G
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MFx400-20-405F3 y sus componentes
MFx400-22-405F3 y sus componentes
MFx400-25-405F3 y sus componentes
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MTx es el acrónimo de cualquier tipo de MTC, El MTA, MTK
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Características
- Base de montaje aislada 3000V~
- Tecnología de contacto por presión con
- Capacidad de ciclo de potencia aumentada
- Ahorro de espacio y peso
Aplicaciones típicas
- Motor de transmisión de corriente alterna
- Varios rectificadores
- Fuente de corriente continua para el invertido PWM
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El símbolo
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Características
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Condiciones de ensayo
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Tj( ℃) |
Valor |
Unidad
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Mínimo |
Tipo |
Máx. |
IT(AV) |
Corriente media en estado de conducción |
180°media onda senoidal 50Hz
El valor de la presión de refrigeración de la unilateral, TC=55 。C
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125
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400 |
A |
IT(RMS) |
Corriente de estado en RMS |
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628 |
A |
No puedo no puedo |
Corriente pico repetitiva |
en VDRM en VRRM |
125 |
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45 |
el número de |
ITSM |
Corriente de sobrecarga en estado de conducción |
VR=60%VRRM, t= 10 ms medio seno, |
125 |
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11 |
kA |
El 1 de enero |
I2t para coordinación de fusibles |
125 |
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605 |
103A2 s |
VTO |
Voltaje de umbral |
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125
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0.82 |
V |
rT |
Resistencia de pendiente en estado de conducción |
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0.79 |
mΩ |
VTM |
Voltaje pico en estado de conducción |
ITM= 1200A |
25 |
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2.18 |
V |
dv/dt |
Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto |
VDM=67%VDRM |
125 |
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1000 |
V/μs |
di/dt |
Tasa crítica de aumento de corriente de estado de encendido |
Fuente de puerta 1.5A
tr ≤0.5μs Repetitivo
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125 |
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200 |
A/μs |
IGT |
Corriente de disparo de puerta |
El valor de la energía de la unidad de carga será igual a la unidad de carga de la unidad de carga.
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25
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30 |
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200 |
el número de |
Vgt. |
Voltaje de disparo de puerta |
0.8 |
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3.0 |
V |
IH |
Corriente de mantenimiento |
10 |
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200 |
el número de |
El |
Corriente de retención |
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1000 |
el número de |
VGD |
Voltaje de puerta no disparado |
VDM=67%VDRM |
125 |
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0.20 |
V |
Rth(j-c) |
Resistencia térmica unión a carcasa |
Enfriado por un lado por chip |
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0.11 |
℃/W |
Rth(c-h) |
Resistencia térmica de la caja al disipador |
Enfriado por un lado por chip |
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0.04 |
℃/W |
VISO (en inglés) |
Voltaje de aislamiento |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
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3000 |
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V |
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- ¿ Qué?
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El par de conexión del terminal ((M12) |
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12 |
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14 |
Nuevo Méjico |
Par de montaje (M6) |
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4.5 |
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6 |
Nuevo Méjico |
TVj |
Temperatura de unión |
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-40 |
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125 |
℃ |
TSTG |
Temperatura almacenada |
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-40 |
|
125 |
℃ |
El |
Peso |
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1060 |
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g |
Esquema |
las demás |
EN
