Folleto del producto:DESCARGAR
Breve introducción
VIRM |
Tipo y contorno |
12las demás |
MRC100-12-224H3 |
Características :
Aplicaciones típicas
El símbolo |
Características |
Condiciones de ensayo |
Tj( ℃ ) |
Valor |
Unidad |
||
Mín |
Tipo |
Máx |
|||||
IF(AV) |
Corriente media directa |
TC=75 ℃ , Por Diodo |
150 |
|
|
100 |
A. El |
TC=85 ℃ , 20KHz, Por Módulo |
|
|
75 |
A. El |
|||
IF(RMS) |
Corriente directa RMS |
TC=75 ℃ , Por Diodo |
|
|
150 |
A. El |
|
MIRR |
Corriente pico repetitiva |
en VRRM |
125 |
|
|
10 |
el número de |
El IFSM |
Corriente de avance de sobretensión |
VR=0V, tp=10ms |
45 |
|
|
1100 |
A. El |
VR=0V,tp=8.3ms |
45 |
|
|
1200 |
|||
Yo 2t |
Yo 2t para coordinación de fusión |
VR=0V, tp=10ms |
45 |
|
|
6050 |
103A. El 2s |
VR=0V,tp=8.3ms |
45 |
|
|
7200 |
|||
PD |
Disipación de Potencia Máxima |
|
|
|
280 |
|
W |
VFM |
Voltaje directo pico |
IFM= 100A |
25 |
|
1.58 |
1.80 |
V |
125 |
|
1.35 |
|
||||
trr |
Tiempo de recuperación inversa |
I F= 1A, diF/dt=-200A/μs, VR=30V |
25 |
|
90 |
|
el Consejo |
trr |
Tiempo de recuperación inversa |
VR=600V, IF=100A, diF/dt=-200A/μs |
25 |
|
160 |
|
el Consejo |
MIR |
Corriente inversa |
|
10 |
|
A. El |
||
trr |
Tiempo de recuperación inversa |
125 |
|
400 |
|
el Consejo |
|
MIR |
Corriente inversa |
|
21 |
|
A. El |
||
Rth(j-c) |
Resistencia térmica unión a carcasa |
A 1800 sine. Enfriado por un solo lado por chip |
|
|
|
0.40 |
℃ /W |
VISO (en inglés) |
Voltaje de aislamiento |
50Hz,R.M.S,t= 1min |
|
3000 |
|
|
V |
- ¿ Qué? |
Par de conexión del terminal (M5) |
|
|
2.55 |
|
3.45 |
Nuevo Méjico |
Par de montaje (M6) |
|
|
4.25 |
|
5.75 |
Nuevo Méjico |
|
TVj |
Temperatura de unión |
|
|
-40 |
|
150 |
℃ |
TSTG |
Temperatura almacenada |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
El |
Peso |
|
|
|
100 |
|
g. El |
Esquema |
224H3 |
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